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形成半导体结构的方法包括接收具有衬底、位于衬底上方的导电部件以及位于导电部件上方的介电层的结构。该方法还包括在介电层中形成孔以暴露导电部件；在孔的侧壁上形成第一含金属层；并且在孔中形成由第一含金属层围绕的第二含金属层。第一含金属层和第二含金...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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