测量电镀浴中的添加剂浓度制造技术

本发明专利技术提出了一种利用电分析技术测量电镀溶液的目标组分的方法，其中电镀溶液包括一种或多种其副产品使得对电分析技术的能量输入的初始电响应偏离的组分。该方法包括一个第一步骤，在第一步骤中通过向置于电镀溶液中的一对电极（１０，２０）提供能量输入来启动目标组分的电分析测量循环。到电极对的能量输入至少持续一预定的时段，这一预定时段相当于电分析测量循环在其中达到稳定状态条件的时段。在其后的一个步骤中，当电分析测量循环达到稳定状态条件之后，进行电分析技术的能量输出的电分析测量。然后，用电分析测量确定电镀溶液中目标组分的量。本发明专利技术还提出了一种包括上述方法和／或在闭环系统中的一种或多种已知的电分析技术的自动定量供料系统（１００）。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
过去三十年中半导体工业显示出的奇迹般的增长主要是由于制造商们能够在此期间使每功能元件的造价每年降低25-30％。设计的革新、器件结构的“收缩”、晶片尺寸的增大和产量的提高是能够实现这种显著特性的一些因素。根据半导体工业协会(SemiconductorIndustry Association)出版的1997年版的“国家半导体技术指导(NTRS)(National Technology Roadmap for Semiconductors)，在下三个器件时代中使生产率提高最大的动力将是特征尺寸的减小；这种尺寸定标提高了集成电路中每平方厘米上的晶体管的封装密度。集成电路的复杂性和由此产生的制造难度随特征尺寸的减小而增大。利用现有的材料技术和设计方法提高制造复杂度的困难在于制造成本或对产量和可靠性的有害影响抵消了尺寸定标的益处。决定从180nm减小到亚-100nm宽度的晶体管门电路尺寸的下一技术时代的器件尺寸和芯片性能的最主要因素是向和从有源器件区传输信号所用的结构和材料。总称为“互连”，这些处理过程已经占了前沿微处理器的制造过程预算的一多半。互连结构的改进现在列于半导体加工和集成度提高的最为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用电分析技术执行电镀溶液目标组分的测量的方法，电镀溶液包括一种或多种其副产品使得对电分析技术的能量输入的初始电响应偏离的组分，该方法包括以下步骤：通过向置于电镀溶液中的至少一对电极提供能量输入来启动目标组分的电分析测量循环，向该对 电极提供的能量输入至少持续预定的时段，这个时段相当于其中分析测量循环达到稳定状态条件的时段；在分析测量循环达到稳定状态条件后，进行电分析技术的能量输出的电分析测量；利用电分析测量确定电镀溶液中目标组分的量。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯C泰勒，托马斯L里茨多夫，弗雷德里克A林贝尔，布拉德利C卡彭特，
申请(专利权)人：塞米图尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]