用于对包括有由电源供电的加热元件（３０）并具有分布热电偶（４２）和峰值热电偶（３６）的热反应器和其它半导体热处理器进行控制的控制器及其相关方法。一种优选方法包括如下步骤：对热反应器（１２）的热动态特性进行建模，建模步骤包括将装配有热电偶...

本发明使用了一种新的方法来形成工件的铜镀层。按照本发明，使用一碱性电镀液（３５）来在种层（３０）上电镀铜、直接在一阻挡层上电镀铜、或强化已经用ＰＶＤ等法沉积在阻挡层上的超薄铜种层。所获得的铜层是优良的共形铜镀层，填充了工件中的沟槽、转接...

提出了一种用于处理制造微电子元件的工件（Ｗ）的装置（１０）。该装置包括其中盛有用于处理工件的处理液（３８）的处理容器（１４）和设计成固定该工件的工件固定器（１６）。采用位置传感器以提供表示工件表面（Ｓ↓［１］）和处理液的表面（３９）之间...

提出了一种在处理工具（１０）中操纵半导体晶片的传送系统。该系统包括：配置在处理工具（１０）内的传送单元导向装置（６６），当晶片传送单元在第一位置和第二位置之间移动时用于支撑晶片传送单元（６１）。传送单元导向装置（６６）包括框架（６５）、...

提供一种半导体处理装置。该处理装置包括输入部分（１２），该输入部分（１２）具有通过其可插入支撑多个半导体晶片（Ｗ）的托架（１６）的开口（３２）。当托架通过输入部分的开口插入时使该半导体晶片以一般的垂直状态取向。取向改变装置（４０）设置成...

本发明公开了用于填充微电子工件（１０１）的凹陷微结构的电镀组合物和电镀方法，所述工件如具有金属化的半导体晶片。所述电镀组合物可包括铜和硫酸的混合物，其中铜的浓度对硫酸的浓度的比为约０．３至约０．８ｇ／ｌ（克／升溶液）。本发明公开的电镀组...

一种用于加工半导体晶片的加工腔。所述加工腔包括位于所述加工腔内的至少一个转子。所述转子适合于接收和／或加工半导体晶片。所述加工腔顶部也包括可倾斜边缘。这种边缘从非倾斜位置倾斜到倾斜位置。当所述边缘处于其倾斜位置时，可以给所述加工腔内加载...

本发明提出了一种利用电分析技术测量电镀溶液的目标组分的方法，其中电镀溶液包括一种或多种其副产品使得对电分析技术的能量输入的初始电响应偏离的组分。该方法包括一个第一步骤，在第一步骤中通过向置于电镀溶液中的一对电极（１０，２０）提供能量输入...

一种用于电镀半导体晶片的系统，包括与半导体晶片（５５）电接触的第一电极，和第二电极。第一电极和半导体晶片（５５）形成阴极。第二电极形成阳极（１００），反应杯（２０５）限定处理室（７５）。外部电极（２３５）设置在反应杯外部并定位成用于接触...

本发明公开了一种将电流取样器（９５）用于电镀晶片的阴极电流控制系统。所述电流取样器（９５）包括装置在基本上环绕所述晶片（５５）周边区域的多元导电的环节（１３０）。使用了第一多元电阻器件，每个电阻器件与相应的多元导电环节（１３０）之一相连...

提出了一种在由奥氏体不锈钢或镍基合金钢制成的构件表面产生一种氧化物涂层的方法。该构件表面有自然形成的氧化物薄膜。该薄膜通过至少两个步骤的工艺增强。在第一个步骤中，第一时间段内在循环的干燥空气中将构件加热到大约３００℃。在第二个步骤中，第...

用于处理如半导体晶片类物品的处理器，包括限定封闭的洁净处理腔室的机箱和至少一个设在该腔室内的处理工位；邻接部分有连接开口，装有待处理物品的容器经开口被装入或从中卸载。邻接部分以卫生的方式与处理腔室分开。适于与所述容器密封的物品提取机构能...

本发明提供一种用于加工半导体工件的系统。新的装置和方法允许生产更薄的、同时保持强固的工件。具体地说，提供了一种卡盘，所述卡盘包括主体、可拆卸地附连至所述主体的保持件、以及密封形成构件。当工件被放在卡盘主体上、且保持件被接合至主体时，所述...

公开了一种处理微电子工件的设备（１０）。设备（１０）包括一槽（１２），其限定了一处理室。槽（１２）与机架（５０）固定对齐。安装工件支撑结构（１５）以在处理室内转动。将电机驱动组件（２１）设置在处理室外部并转动工件支撑结构（１５）。驱动组...