用于电镀晶片装置的阴极电流控制系统制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种将电流取样器（９５）用于电镀晶片的阴极电流控制系统。所述电流取样器（９５）包括装置在基本上环绕所述晶片（５５）周边区域的多元导电的环节（１３０）。使用了第一多元电阻器件，每个电阻器件与相应的多元导电环节（１３０）之一相连接。所述电阻器件在晶片（５５）电镀过程中调节流经相应的导电环节（１３０）的电流。电流取样器可以使用各种结构，并且如指杆（２３５）的其它导电器件也可用于该系统。由于使用了导电环节，因此可以单独的控制流经指杆（２３５）的电流。根据所述整个系统的实施例，每个相应的电阻器件的电阻的选择可以按照已经设定的程序进行自动控制。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种用于电镀晶片的电流取样器，该电流取样器包括：一多元导电环节，该多元导电环节装置在基本上环绕所述晶片周边区域；一第一多元电阻器件，每个电阻器件与相应的多元导电环节之一相连接，并在所述晶片的电镀过程中调节流经所述相应的导电环节的电流 。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：凯尔M汉森，K克里斯豪根，凯文W科伊尔，詹姆斯W杜利特尔，
申请(专利权)人：塞米图尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]