【技术实现步骤摘要】
半导体制备和研发制造设施的资本设备上使用的检修隧道本申请是申请号为201610860001.2，申请日为2016年9月28日，申请人为朗姆研究公司，专利技术创造名称为“半导体制备和研发制造设施的资本设备上使用的检修隧道”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术的实施方式涉及半导体晶片加工设备，更特别地，涉及多室处理工具系统、装置和相关方法。
技术介绍
在半导体制造设施(通常被称为“fab”)中，空间是有限且昂贵的，并且不能容易地增加。因此，为了实现最高的生产效率，高效的空间利用率是期望的。然而，为了维护和检修，也有必要提供到fab中的设备的足够通道(access)。本专利技术的实施方式就是在这种背景下产生的。
技术实现思路
本公开的实施方案提供与紧凑的集群工具架构相关的方法、装置和系统。该架构包括限定在晶片输送组件下方的检修隧道，所述检修隧道利用低于制造设施层高度的底层空间。另外，晶片输送组件可包括若干缓冲器，所述若干缓冲器被定位以实现紧凑的设计(acompactfootprint)并提...
【技术保护点】
1.用于处理晶片的集群工具系统，包括：/n晶片输送组件，其沿着所述集群工具系统的纵轴延伸；/n沿所述晶片输送组件的横向侧耦合到所述晶片输送组件的至少两个处理模块，所述晶片输送组件被配置成往来于沿所述横向侧耦合的所述至少两个处理模块输送晶片；/n检修隧道，其被限定在所述晶片输送组件的下方，所述检修隧道沿着所述集群工具系统的所述纵轴延伸，所述检修隧道的垂直尺寸被限定在所述晶片输送组件的底面和定位在所述晶片输送组件下方的检修层之间。/n
【技术特征摘要】
20151020 US 14/887,8761.用于处理晶片的集群工具系统，包括：
晶片输送组件，其沿着所述集群工具系统的纵轴延伸；
沿所述晶片输送组件的横向侧耦合到所述晶片输送组件的至少两个处理模块，所述晶片输送组件被配置成往来于沿所述横向侧耦合的所述至少两个处理模块输送晶片；
检修隧道，其被限定在所述晶片输送组件的下方，所述检修隧道沿着所述集群工具系统的所述纵轴延伸，所述检修隧道的垂直尺寸被限定在所述晶片输送组件的底面和定位在所述晶片输送组件下方的检修层之间。
2.根据权利要求1所述的集群工具系统，其中，所述检修层的高度低于所述集群工具系统被布置在其中的制造设施层的高度。
3.根据权利要求2所述的集群工具系统，其中，所述检修层的高度比所述制造设施层的高度低大约1英尺(30.5cm)至2英尺(61cm)。
4.根据权利要求1所述的集群工具系统，其中，所述晶片输送组件包括至少两个晶片输送模块，所述至少两个晶片输送模块沿着纵轴彼此耦接，其中，每个所述晶片输送模块耦接到所述处理模块之一，所述处理模块沿着所述晶片输送组件的横向侧耦接。
5.根据权利要求4所述的集群工具系统，还包括：
至少两个处理模块框架，其被配置成支撑沿所述晶片输送组件的所述横向侧耦合的所述至少两个处理模块并进一步被配置成搁置在所述制造设施层上。
6.根据权利要求1所述的集群工具系统，其中，所述晶片输送组件具有朝向设备前端模块(EFEM)定向的前端，所述晶片输送组件具有与所述前端相对的后端。
7.根据权利要求6所述的集群工具系统，其中，所述检修隧道沿着所述纵轴从所述晶片输送组件的前端延伸到所述晶片输送组件的后端。
8.根据权利要求6所述的集群工具系统，其中所述晶片输送组件的前端被配置为连接到装载锁，所述装载锁控制往返所述EFEM的通道，其中所述检修隧道的前端基本上延伸到所述EFEM。
9.根据权利要求6所述的集群工具系统，其中阶梯装置被限定在所述检修隧道的后端，所述检修隧道的后端基本上被限定在所述晶片输送组件的后端的下方，所述阶梯装置被配置成限定从所述制造设施层向下至所述检修层的路径。
10.根据权利要求1所述的集群工具系统，其中，所述检修隧道的高度为大约6英尺(183cm)至8英尺(244cm)。
11.根据权利要求1所述的集群工具系统，其中，所述检修隧道的横向侧提供对沿着所述晶片输送组件的横向侧耦接的所述处理模块的通道。
12.根据权利要求11所述的集群工具系统，其中所述检修隧道的所述横向侧提供到被限定用于沿所述晶片输送组件的所述横向侧耦合的所述处理模块的一个或多个气箱的通道。
13.根据权利要求1所述的集群工具系统，其中，所述检修隧道符合SEMIE72标准。
14.一种用于处理晶片的集群工具系统，包括：
晶片输送组...
【专利技术属性】
技术研发人员：大卫·特鲁塞尔，约翰·多尔蒂，迈克尔·凯洛格，克里斯多夫·佩纳，理查德·古尔德，克雷·孔克尔，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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