一种半导体外延片研磨减薄方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体外延片研磨减薄方法，主要包括以下步骤:S1提供可供预处理的基底；S2将外延片倒扣在托盘顶部；S3通过水平仪测量所述半导体的待研磨面是否为水平面；S4夹持机构将半导体固定在托盘顶部；S5通过研磨机构对所述半导体待研磨面进行第一次研磨；S6通过研磨机构对所述半导体待研磨面进行第二次研磨；S7通过研磨机构对所述半导体待研磨面进行第三次研磨，本发明专利技术，通过将待处理件至于具有夹持机构的基座上，能够确保在对其研磨时更加的稳定可靠，同时采用多段式的研磨方式，能够确保研磨质量，同时有效减少破片几率，增加成品率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体外延片研磨减薄方法
本专利技术涉及加工
，具体为一种半导体外延片研磨减薄方法。
技术介绍
在大多数的半导体晶体生长工艺中，主要为异质外延，生长用衬底和半导体晶体材料之间都存在一定的晶格常数的失配，所以外延生长中都要预置缓冲层来调节材料间的应力，生长过程中，因部分半导体材料因晶格常数小于生长用衬底的晶格常数，导致生长中衬底发生翘曲，生长衬底边缘会形成材料晶体堆积层。后续的半导体器件工艺中，因生长衬底较厚，一般都需要对衬底进行减薄处理。但是由于以上外延工艺中衬底边缘的晶体堆积层因厚度较厚，高出器件高度，导致生长有半导体晶体材料层的外延片表面不平整，从而在研磨工艺中引起研磨的破片，导致正品率下降。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体外延片研磨减薄方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种半导体外延片研磨减薄方法，包括以下步骤：S1提供可供预处理的基底，所述基底包括用于支撑半导体衬底的托盘和设置在所述托盘两侧的夹持机构，并且所述托盘顶部为水平面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体外延片研磨减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1 提供可供预处理的基底，所述基底包括用于支撑半导体衬底的托盘和设置在所述托盘两侧的夹持机构，并且所述托盘顶部为水平面；/nS2 将外延生长有半导体晶体层的外延片倒扣在所述托盘顶部，且通过粘合层与所述托盘顶部粘合，并且将衬底边缘的晶体堆积凸起设置在所述托盘外围；/nS3 通过水平仪测量所述半导体的待研磨面是否为水平面，如果不为水平面将继续调节所述半导体在所述托盘顶部的位置；/nS4 所述半导体待研磨面在所述托盘顶部为水平面时，通过所述夹持机构将所述半导体固定在所述托盘顶部；/nS5 通过研磨机构对所述半导体待研磨面进行第一次研磨...

【技术特征摘要】
1.一种半导体外延片研磨减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1提供可供预处理的基底，所述基底包括用于支撑半导体衬底的托盘和设置在所述托盘两侧的夹持机构，并且所述托盘顶部为水平面；
S2将外延生长有半导体晶体层的外延片倒扣在所述托盘顶部，且通过粘合层与所述托盘顶部粘合，并且将衬底边缘的晶体堆积凸起设置在所述托盘外围；
S3通过水平仪测量所述半导体的待研磨面是否为水平面，如果不为水平面将继续调节所述半导体在所述托盘顶部的位置；
S4所述半导体待研磨面在所述托盘顶部为水平面时，通过所述夹持机构将所述半导体固定在所述托盘顶部；
S5通过研磨机构对所述半导体待研磨面进行第一次研磨，以将所述半导体待研磨面减薄至第一预设厚度；
S6通过研磨机构对所述半导体待研磨面进行第二次研磨，以将所述半导体待研磨面减薄至第二预设厚度；
S7通过研...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈海宁，
申请(专利权)人：江苏英弗德电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32