一种用于半导体外延片研磨的陶瓷托盘制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于半导体外延片研磨的陶瓷托盘，主要包括基座和托盘，基座顶部与托盘底部连接，且基座直径大于托盘直径，并且基座顶部还设置有至少一对结构完全一致的紧固机构，紧固机构顶部至基座底部之间的距离大于托盘顶部至所述基座底部之间的距离，且一对紧固机构分别设置在托盘直径的两侧，并且紧固机构至托盘边缘设置有间隙，本实用新型专利技术结构简单，使用安全便捷，能够有效提高外延片衬底减薄研磨工艺的正品率，同时还能应对不同直径的半导体的减薄研磨，并且确保在研磨更加的稳定可靠。

A ceramic tray for grinding semiconductor epitaxial wafers

【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体外延片研磨的陶瓷托盘
本技术涉及研磨
，具体为一种用于半导体外延片研磨的陶瓷托盘。
技术介绍
在大多数的半导体晶体生长工艺中，主要为异质外延，生长用衬底和半导体晶体材料之间都存在一定的晶格常数的失配，所以外延生长中都要预置缓冲层来调节材料间的应力，生长过程中，因部分半导体材料因晶格常数小于生长用衬底的晶格常数，导致生长中衬底发生翘曲，生长衬底边缘会形成材料晶体堆积层。后续的半导体器件工艺中，因生长衬底较厚，一般都需要将外延生长有半导体晶体晶体层的外延片通过蜡粘倒扣在托盘上，对衬底进行减薄处理。但是由于以上外延工艺中衬底边缘的晶体堆积层因厚度较厚，高出器件高度，导致生长有半导体晶体材料层的外延片表面不平整，从而在研磨工艺中引起研磨的破片，导致正品率下降，也直接影响了生产成本，并且不能够应对不同直径的半导体。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于半导体外延片研磨的陶瓷托盘，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种用于半导体外延片研磨的陶瓷托盘，包括基座和托盘，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于半导体外延片研磨的陶瓷托盘，包括基座(1)和托盘(2)，其特征在于：所述基座(1)顶部与所述托盘(2)底部连接，且所述基座(1)直径大于所述托盘(2)直径，并且所述基座(1)顶部还设置有至少一对结构完全一致的紧固机构(3)，所述紧固机构(3)顶部至所述基座(1)底部之间的距离大于所述托盘(2)顶部至所述基座(1)底部之间的距离，且一对所述紧固机构(3)分别设置在所述托盘(2)直径的两侧，并且所述紧固机构(3)至所述托盘(2)边缘设置有间隙。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体外延片研磨的陶瓷托盘，包括基座(1)和托盘(2)，其特征在于：所述基座(1)顶部与所述托盘(2)底部连接，且所述基座(1)直径大于所述托盘(2)直径，并且所述基座(1)顶部还设置有至少一对结构完全一致的紧固机构(3)，所述紧固机构(3)顶部至所述基座(1)底部之间的距离大于所述托盘(2)顶部至所述基座(1)底部之间的距离，且一对所述紧固机构(3)分别设置在所述托盘(2)直径的两侧，并且所述紧固机构(3)至所述托盘(2)边缘设置有间隙。


2.根据权利要求1所述的一种用于半导体外延片研磨的陶瓷托盘，其特征在于：所述紧固机构...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈海宁，
申请(专利权)人：江苏英弗德电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32