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本发明公开了一种半导体外延片研磨减薄方法，主要包括以下步骤:S1提供可供预处理的基底；S2将外延片倒扣在托盘顶部；S3通过水平仪测量所述半导体的待研磨面是否为水平面；S4夹持机构将半导体固定在托盘顶部；S5通过研磨机构对所述半导体待研磨面进...
该专利属于江苏英弗德电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏英弗德电子有限公司授权不得商用。

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