一种LED芯片N电极的结构制造技术

本实用新型专利技术属于LED技术领域，尤其涉及一种LED芯片N电极的结构，包括衬底、N型层、有源层、P型层、ITO电流扩展层、P电极和N电极。所述N型层、所述有源层和所述P型层从下至上依次形成在所述衬底上。所述N型层上设置与之相连接的所述N电极。所述P型层的外侧壁铺设有N型半导体粗化层，每两个所述粗化条之间形成倒置梯形腔，且所述倒置梯形腔内底部设有导热硅胶条。通过N型半导体粗化层由于与P型层形成反向PN节无法直接向下传导电流，进而使电流分布更均匀，而且在每相邻两个粗化条之间的倒置梯形腔内设有导热硅胶条，可以更好地将电流产生的热量大的地方通过导热硅胶条进行吸收传导出去，起到了降低结温的作用。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片N电极的结构
本技术涉及LED
，尤其涉及一种LED芯片N电极的结构。
技术介绍
随着半导体行业技术的不断革新以及半导体产品的普及应用，现如今LED芯片已经在人们日常生活中的各个领域起着重要的作用。尤其是在日常照明、显示器、手机、指示灯等方面，LED芯片得到了广泛应用。目前为止，LED芯片电流扩展均匀性差，由于电流扩展均匀性差就会造成电流分布不均匀进而使电流密度大的地方温度过高，长时间温度高对LED自身性能造成影响，为此提出一种可以改善电流扩展均匀性，使电流分布均匀同时降低结温的LED芯片N电极的结构。
技术实现思路
本技术提供了一种LED芯片N电极的结构，旨在解决改善电流扩展均匀性，使电流分布均匀同时降低结温的问题。为了达到上述目的，本技术采用的主要技术方案包括：一种LED芯片N电极的结构，包括衬底、N型层、有源层、P型层、ITO电流扩展层、P电极和N电极；所述N型层、所述有源层和所述P型层从下至上依次形成在所述衬底上；所述N型层上设置与之相连接的所述N电极；所述P型层的外侧壁铺设有N型半导体粗化层，所述N型半导体粗化层由多个粗化条构成，且每个所述粗化条的横截面为梯形，每两个所述粗化条之间形成倒置梯形腔，且所述倒置梯形腔内底部设有导热硅胶条；所述N型半导体粗化层以及粗化后露出的P型层上铺设所述ITO电流扩展层的一侧，所述ITO电流扩展层的另一侧与所述透明绝缘层相连接；所述P电极设置于所述ITO电流扩展层上。优选的，所述透明绝缘层一侧壁开设有凹槽，且所述凹槽内插接有总导热硅胶片，且所述总导热硅胶片一侧与每个所述导热硅胶条均垂直连接，所述总导热硅胶片所述凹槽开口处设有散热网，且所述散热网可拆卸设置于所述凹槽的开口处。优选的，所述粗化条的横截面积为等腰梯形。优选的，所述N型半导体粗化层厚度为1μm-4μm。优选的，所述粗化区为采用N型半导体粗化液进行粗化，形成多个单独的粗化条，多个粗化条之间露出P型层。优选的，所述透明绝缘层包括SiO2、Si3N4中的至少一种。本技术的有益效果是：本技术通过在P型层增加了N型半导体粗化层，N型半导体粗化层由于与P型层形成反向PN节无法直接向下传导电流，起到电流阻挡的作用，进而使电流分布更均匀，而且在每相邻两个粗化条之间的倒置梯形腔内设有导热硅胶条，可以更好地将电流产生的热量大的地方通过导热硅胶条进行吸收传导出去，起到了降低结温的作用。附图说明图1为本技术的LED芯片N电极的结构截面图；图2为本技术的LED芯片N电极的结构的后视结构示意图。【附图标记说明】1：衬底；2：N型层；3：有源层；4：P型层；5：ITO电流扩展层；6：P电极；7：N电极；8：N型半导体粗化层；81：粗化条；82：倒置梯形腔；83：导热硅胶条；9：透明绝缘层；91：总导热硅胶片；92：散热网；93：凹槽。具体实施方式为了更好的解释本技术，以便于理解，下面结合附图，通过具体实施方式，对本技术作详细描述。参见图1-2所示，本技术提出的一种LED芯片N电极的结构，包括衬底1、N型层2、有源层3、P型层4、ITO电流扩展层5、P电极6和N电极7。其中，N型层2、有源层3和P型层4从下至上依次形成在衬底1上。N型层2上设置与之相连接的N电极7。P型层4的外侧壁铺设有N型半导体粗化层8，且N型半导体粗化层8延伸至N电极7的一端，N型半导体粗化层8由多个粗化条81构成，且每个粗化条81的横截面为梯形，每两个粗化条81之间形成倒置梯形腔82，且倒置梯形腔82内底部设有导热硅胶条83，导热硅胶条83的宽度小于倒置梯形腔82的底面宽度，为了可以让P型层4与ITO电流扩展5连接。进一步地，粗化条81的横截面积为梯形，可以使粗化效果好的同时不影响P型层4与ITO电流扩展5的连接，同时在相邻两个粗化条81之间的倒置梯形腔82内设有导热硅胶条83，可以更好地将电流产生的热量大的地方通过导热硅胶条83进行吸收传导出去，起到了降低结温的作用。N型半导体粗化层8以及粗化后露出的P型层4上铺设ITO电流扩展层5的一侧，ITO电流扩展层5的另一侧设置有透明绝缘层9，透明绝缘层9在保证LED芯片发光的前提下，可以有效地防止LED芯片出现漏电的情况，同时使LED芯片形状更规整，有利于安装；P电极6设置于ITO电流扩展层5上。具体而言，透明绝缘层9一侧壁开设有凹槽90，且凹槽90内插接有总导热硅胶片91，总导热硅胶片91能够填充缝隙，打通发热部位与散热部位间的热通道，有效提升热传递效率，且总导热硅胶片91一侧与每个导热硅胶条92均垂直连接，凹槽90开口处设有散热网92，且散热网92可拆卸设置于凹槽90的开口处，为了更好的将电流大、热量高的地方快速降温，同时将热量散发出去。具体而言，可以在P型层4上均匀的进行粗化进而使电流分布更均匀，粗化条81的横截面积为等腰梯形。具体而言，N型半导体粗化层8厚度为1μm-4μm。具体而言，N型半导体粗化层8为采用N型半导体粗化液进行粗化，形成多个单独的粗化条81，多个粗化条81之间露出P型层4。具体而言，透明绝缘层9包括SiO2、Si3N4中的至少一种。综上，本技术通过在P型层增加了N型半导体粗化层，N型半导体粗化层由于与P型层形成反向PN节无法直接向下传导电流，起到电流阻挡的作用，进而使电流分布更均匀，而且在每相邻两个粗化条之间的倒置梯形腔内设有导热硅胶条，可以更好地将电流产生的热量大的地方通过导热硅胶条进行吸收传导出去，起到了降低结温的作用，因此本技术是可以改善电流扩展均匀性，使电流分布均匀同时降低结温的LED芯片N电极的结构。需要理解的是，以上对本技术的具体实施例进行的描述只是为了说明本技术的技术路线和特点，其目的在于让本领域内的技术人员能够了解本技术的内容并据以实施，但本技术并不限于上述特定实施方式。凡是在本技术权利要求的范围内做出的各种变化或修饰，都应涵盖在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED芯片N电极的结构，其特征在于，包括衬底、N型层、有源层、P型层、ITO电流扩展层、P电极和N电极；/n所述N型层、所述有源层和所述P型层从下至上依次形成在所述衬底上；/n所述N型层上设置与之相连接的所述N电极；/n所述P型层的外侧壁铺设有N型半导体粗化层，所述N型半导体粗化层由多个粗化条构成，且每个所述粗化条的横截面为梯形，每两个所述粗化条之间形成倒置梯形腔，且所述倒置梯形腔内底部设有导热硅胶条；/n所述N型半导体粗化层以及粗化后露出的P型层上铺设所述ITO电流扩展层的一侧，所述ITO电流扩展层的另一侧设置有透明绝缘层；/n所述P电极设置于所述ITO电流扩展层上。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片N电极的结构，其特征在于，包括衬底、N型层、有源层、P型层、ITO电流扩展层、P电极和N电极；
所述N型层、所述有源层和所述P型层从下至上依次形成在所述衬底上；
所述N型层上设置与之相连接的所述N电极；
所述P型层的外侧壁铺设有N型半导体粗化层，所述N型半导体粗化层由多个粗化条构成，且每个所述粗化条的横截面为梯形，每两个所述粗化条之间形成倒置梯形腔，且所述倒置梯形腔内底部设有导热硅胶条；
所述N型半导体粗化层以及粗化后露出的P型层上铺设所述ITO电流扩展层的一侧，所述ITO电流扩展层的另一侧设置有透明绝缘层；
所述P电极设置于所述ITO电流扩展层上。


2.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹宝堂，
申请(专利权)人：辽宁百思特达半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21