一种发光器件及其制作方法、显示面板技术

本发明专利技术提供一种发光器件及其制作方法、显示面板，所述发光器件包括半导体层，半导体层包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；绝缘层，绝缘层包括：第一挡墙、第二挡墙和第三挡墙，第一挡墙围设于半导体层的外侧壁，第二挡墙至少部分突设于第二半导体层表面的中部区域，第三挡墙和第二挡墙间隔开；第一电极，第一电极包覆第一挡墙和第三挡墙未与半导体层相接触的表面并与第一半导体层相连；第二电极，第二电极包覆第二挡墙并与第二半导体层相连。根据本发明专利技术实施例的发光器件，利用制作电极的金属将半导体层大部分包围起来，利用金属反射照到侧面和底面的光，可以在不增加功率的前提下有效提高发光器件的亮度，从而降低背板功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种发光器件及其制作方法、显示面板
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种发光器件及其制作方法、显示面板。
技术介绍
LED显示技术已经发展成未来显示技术的热点之一，MicroLED显示技术具有画素独立控制、独立发光控制、高辉度、低耗电、超高分辨率和高色彩度等。MicroLED与背板的键合技术决定了产品的良率及修复难度，目前主流的技术是在完成发光器件制备后在N型半导体端和P型半导体端制作微管，用于与显示面板键合，但是这样的设计需要牺牲一定的发光面积，从而降低了发光器件的亮度。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种发光器件及其制作方法、显示面板，能够解决现有技术中设计发光器件的电极时需要牺牲一定的发光面积，从而造成发光器件的亮度降低的问题。为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：本专利技术一方面实施例提供一种发光器件，包括：半导体层，所述半导体层包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，还包括：绝缘层，所述绝缘层包括：第一挡墙、第二挡墙和第三挡墙，所述第一挡墙围设于所述半导体层的外侧壁，所述第一挡墙至少部分突出于所述第二半导体层的表面，所述第二挡墙至少部分突设于所述第二半导体层表面的中部区域，所述第三挡墙位于所述第二半导体层表面且位于所述第二挡墙的外围，所述第三挡墙和所述第二挡墙间隔开，且间隔距离小于预设阈值，所述第三挡墙的边缘和所述第一挡墙相连；第一电极，所述第一电极包覆所述第一挡墙和所述第三挡墙未与所述半导体层相接触的表面，且所述第一电极与所述第一半导体层相连；第二电极，所述第二电极包覆所述第二挡墙并与所述第二半导体层相连。可选的，所述第一挡墙围设于所述第一半导体层的靠近所述发光层的部分外侧壁、所述发光层以及所述第二半导体层的全部外侧壁；所述第一电极与所述第一半导体层的未被所述第一挡墙包围的部分外侧壁接触连接，所述第一电极与所述第一半导体层的接触区域形成为掺杂区域。可选的，所述掺杂区域为重掺杂区域。可选的，所述第一电极和所述第二电极采用对光的反射率在90％以上的金属制成。可选的，所述第一电极和所述第二电极在所述第二半导体层的表面的正投影占所述第二半导体层的底面面积的90％以上。本专利技术另一方面实施例还提供了一种发光器件的制作方法，包括：在衬底上依次形成第一半导体层、发光层和第二半导体层；采用构图工艺对所述半导体层进行图形化处理；沉积绝缘介质并图形化，形成绝缘层，所述绝缘层包括：第一挡墙、第二挡墙和第三挡墙，所述第一挡墙围设于所述半导体层的外侧壁，所述第一挡墙至少部分突出于所述第二半导体层的表面，所述第二挡墙至少部分突设于所述第二半导体层表面的中部区域，所述第三挡墙位于所述第二半导体层表面且位于所述第二挡墙的外围，所述第三挡墙和所述第二挡墙间隔开，且间隔距离小于预设阈值，所述第三挡墙的边缘和所述第一挡墙相连；沉积金属并图形化，形成第一电极和第二电极，所述第一电极包覆所述第一挡墙和所述第三挡墙未与所述半导体层相接触的表面，且所述第一电极与所述第一半导体层相连，所述第二电极包覆所述第二挡墙并与所述第二半导体层相连。可选的，所述采用构图工艺对所述半导体层进行图形化的步骤中，自上而下刻蚀至所述第一半导体层时，在所述衬底上保留部分厚度的第一半导体层，所述制作方法还包括：对保留在所述衬底上的部分厚度的第一半导体层进行掺杂，并扩散至图形化的发光层边缘下方的区域，以使第一半导体层的位于图形化的发光层边缘下方的区域形成为掺杂区域。可选的，所述对保留在所述衬底上的部分厚度的第一半导体层进行掺杂，并扩散至图形化的发光层边缘下方的区域，以使第一半导体层的位于图形化的发光层边缘下方的区域形成为掺杂区域中：采用离子注入工艺对保留在所述衬底上的部分厚度的第一半导体层进行离子注入。可选的，所述离子注入工艺中，前驱物中磷的浓度为10％～15％，CVD功率为1500～2000KW，退火温度为800～1000℃。本专利技术又一方面实施例还提供了一种显示面板，包括如上所述的发光器件。本专利技术上述技术方案的有益效果如下：根据本专利技术实施例的发光器件，利用制作电极的金属将半导体层大部分包围起来，利用金属反射照到侧面和底面的光，可以在不增加功率的前提下有效提高发光器件的亮度，从而降低背板功耗。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种发光器件的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的发光器件的仰视示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种发光器件的制作方法的流程示意图；图4为本专利技术实施例提供的发光器件的制作过程的示意图；图5为本专利技术实施例提供的发光器件与显示背板键合的示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参考图1，为本专利技术实施例提供的一种发光器件的结构示意图。如图1所示，本专利技术实施例提供一种发光器件，通过利用制作电极用的金属将发光器件的大部分表面进行遮挡，以将照射到金属电极上的光进行反射，可以使得发光器件产生的光集中从发光器件的顶部射出，从而提高发光器件的发光强度，降低背板的功耗。如图1所示，本专利技术实施例中的发光器件可以包括半导体层10，半导体层10具体可以包括层叠设置的第一半导体层101、发光层102和第二半导体层103，其中，第一半导体层101和第二半导体层103可以采用GaN制成，本专利技术实施例中，第一半导体层101采用n-GaN，作为N型半导体层，而第二半导体层103则采用p-GaN，作为P型半导体层，当然，本专利技术中的第一半导体层101和第二半导体层103不限于GaN材料，还可以是InGaN、AlInGaAs等材料；而发光层102可以为量子阱层，例如多量子阱，以限制P型材料的空穴和N型材料的电子，继而提升发光效率。本专利技术实施例中，所述发光器件还包括绝缘层11，绝缘层11具体可以包括第一挡墙111、第二挡墙112和第三挡墙113，其中，第一挡墙111围设于半导体层10的外侧壁，并且第一挡墙111至少部分突出于第二半导体层103的表面，也就是说，第一挡墙111不仅将半导体层10进行包围，还沿着半导体层10的厚度方向继续延伸，使得第一挡墙111部分突出于第二半导体层103的表面；第二挡墙112则设置在第二半导体层103的表面的中部区域，并且至少部分突出于第二半导体层103的表面；第三挡墙113设置于第二半导体层103的表面并位于第二挡墙112的外围，并且，第三挡墙113和第二挡墙112之间间隔开，该间隔距离小于预设阈值，第三挡墙113的边缘则与第一挡墙111相连；从剖面形状来看，第一挡墙111和第三挡墙113构成两个相对设置的、侧置的T字型，而第二挡墙11本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：半导体层，所述半导体层包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，还包括：/n绝缘层，所述绝缘层包括：第一挡墙、第二挡墙和第三挡墙，所述第一挡墙围设于所述半导体层的外侧壁，所述第一挡墙至少部分突出于所述第二半导体层的表面，所述第二挡墙至少部分突设于所述第二半导体层表面的中部区域，所述第三挡墙位于所述第二半导体层表面且位于所述第二挡墙的外围，所述第三挡墙和所述第二挡墙间隔开，且间隔距离小于预设阈值，所述第三挡墙的边缘和所述第一挡墙相连；/n第一电极，所述第一电极包覆所述第一挡墙和所述第三挡墙未与所述半导体层相接触的表面，且所述第一电极与所述第一半导体层相连；/n第二电极，所述第二电极包覆所述第二挡墙并与所述第二半导体层相连。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：半导体层，所述半导体层包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，还包括：
绝缘层，所述绝缘层包括：第一挡墙、第二挡墙和第三挡墙，所述第一挡墙围设于所述半导体层的外侧壁，所述第一挡墙至少部分突出于所述第二半导体层的表面，所述第二挡墙至少部分突设于所述第二半导体层表面的中部区域，所述第三挡墙位于所述第二半导体层表面且位于所述第二挡墙的外围，所述第三挡墙和所述第二挡墙间隔开，且间隔距离小于预设阈值，所述第三挡墙的边缘和所述第一挡墙相连；
第一电极，所述第一电极包覆所述第一挡墙和所述第三挡墙未与所述半导体层相接触的表面，且所述第一电极与所述第一半导体层相连；
第二电极，所述第二电极包覆所述第二挡墙并与所述第二半导体层相连。


2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一挡墙围设于所述第一半导体层的靠近所述发光层的部分外侧壁、所述发光层以及所述第二半导体层的全部外侧壁；所述第一电极与所述第一半导体层的未被所述第一挡墙包围的部分外侧壁接触连接，所述第一电极与所述第一半导体层的接触区域形成为掺杂区域。


3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述掺杂区域为重掺杂区域。


4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极采用对光的反射率在90％以上的金属制成。


5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极在所述第二半导体层的表面的正投影占所述第二半导体层的底面面积的90％以上。


6.一种发光器件的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上依次形成第一半导体层、发光层和第二半导体层；
采用构图工艺对所述半导体层进行图形化处理；

【专利技术属性】
技术研发人员：王国英，宋振，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11