一种氮化镓集成芯片的结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种氮化镓集成芯片的结构，包括发光芯片，发光芯片的外表面装配有用于支撑保护发光芯片结构的外壳，本实用新型专利技术设置了一种带有反光芯片和外壳的LED芯片，在使用时，通过加强硬度的加强块结构的限制效果，提高在芯片应用的焊接工序实施之前，引脚的弯折过程中，外壳边缘的结构强度，避免发生绝缘层损坏，影响后期使用的问题，并且通过电极片外表面开设的凹槽，方便电极片的弯折和焊接，提高LED芯片整体在使用的过程中本体的结构强度和连接强度，有效的解决了现有的LED芯片在组成其他构件时的焊接工序中，电极引脚在弯曲时容易造成电极附近其他的绝缘材料开裂造成后期容易发生漏电风险的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓集成芯片的结构
本技术涉及LED芯片
，具体为一种氮化镓集成芯片的结构。
技术介绍
LED芯片也称为LED发光芯片，是LED灯的核心组件，也就是指的P-N结，其主要功能是：把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子，但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的，现有的LED芯片在组成其他照明构件时，需要使用多个LED芯片在电路板上表面焊接连接成组，在焊接工序进行之前，需要将接电的电极引脚弯折成合适形状，保证电极引脚于电路板引脚能够尽量的贴合方便焊接，但是现有的LED芯片外部多材料塑料结构封装固定，因此在金属的电极引脚弯折时，引脚于外壳的连接部位很容易开裂，造成后期使用过程中漏电等风险，鉴于以上问题，特提出一种氮化镓集成芯片的结构。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种氮化镓集成芯片的结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种氮化镓集成芯片的结构，包括发光芯片，所述发光芯片的外表面装配有用于支撑保护发光芯片结构的外壳，所述外壳的外侧端装配有电极片，所述电极片与发光芯片内部的导电层电连接，所述电极片的外侧端位于外壳的外表面套接有提高电极片附近结构强度的加强块。优选的，所述发光芯片包括支撑壳，所述支撑壳的内表面装配有垫层，所述垫层的内表面装配有发光片。优选的，所述垫层的内侧表面顶端开设有向内侧倾斜的弧形凹槽，所述弧形凹槽的顶端开设有提高光滑程度的半圆形的倒角。优选的，所述弧形凹槽的内表面粘贴有封装发光片的封装层。优选的，所述外壳包括主要绝缘支撑结构的壳体，所述壳体的上表面开设有集成口，所述集成口装配在支撑壳的外表面，所述壳体的下表面一体成型有底座，所述底座的侧表面开设有成型槽。优选的，所述电极片包括第一电极片和第二电极片，所述第一电极片和第二电极片分别电连接至发光片底部的电极外表面，所述第一电极片和第二电极片的外侧端均装配有一块硬度较高的加强块，所述加强块热熔粘贴在成型槽的内表面，所述第一电极片和第二电极片的外表面均匀开设有便于弯折并且提高与焊料接触面积的凹槽。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术设置了一种带有反光芯片和外壳的LED芯片，在使用时，通过加强硬度的加强块结构的限制效果，提高在芯片应用焊接前，引脚的弯折过程中，外壳边缘的结构强度，避免发生绝缘层损坏，影响后期使用的问题，并且通过电极片外表面开设的凹槽，方便电极片的弯折和焊接，提高LED芯片整体在使用的过程中本体的结构强度和连接强度，有效的解决了现有的LED芯片在组成其他构件时的焊接工序中，电极引脚在弯曲时容易造成电极附近其他的绝缘材料开裂造成后期容易发生漏电风险的问题。附图说明图1为本技术结构示意图。图2为本技术装配示意图。图3为本技术发光芯片剖切示意图。图4为图3中a处结构放大示意图。图5为本技术外壳结构示意图。图中：1、发光芯片，11、支撑壳，12、垫层，13、封装层，14、发光片，15、弧形凹槽，16、倒角，2、外壳，21、壳体，22、底座，23、集成口，24、第一电极片，25、第二电极片，26、成型槽，27、加强块，28、凹槽。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-4，本技术提供一种技术方案：一种氮化镓集成芯片的结构，包括发光芯片1，发光芯片1的外表面装配有用于支撑保护发光芯片1结构的外壳2，外壳2的外侧端装配有电极片，电极片与发光芯片1内部的导电层电连接，电极片的外侧端位于外壳2的外表面套接有提高电极片附近结构强度的加强块27；本技术设置了一种带有反光芯片1和外壳2的LED芯片，在使用时，通过加强硬度的加强块27结构的限制效果，提高在芯片应用焊接前，引脚的弯折过程中，外壳边缘的结构强度，避免发生绝缘层损坏，影响后期使用的问题，并且通过电极片外表面开设的凹槽28，方便电极片的弯折和焊接，提高LED芯片整体在使用的过程中本体的结构强度和连接强度，有效的解决了现有的LED芯片在组成其他构件时的焊接工序中，电极引脚在弯曲时容易造成电极附近其他的绝缘材料开裂造成后期容易发生漏电风险的问题。具体而言，发光芯片1包括支撑壳11，支撑壳11的内表面装配有垫层12，垫层12的内表面装配有发光片14，本技术中提到的发光芯片1是一种现有技术中最常用的氮化镓构成的PN结LED发光芯片，因此在本技术中发光片14的发光原理、额定电压以及与电极的连接方式在本技术中不做过多赘述。具体而言，垫层12的内侧表面顶端开设有向内侧倾斜的弧形凹槽15，弧形凹槽15的顶端开设有提高光滑程度的半圆形的倒角16，通过圆弧形的弧形凹槽15在以点胶的方式封装发光片14时，弧形凹槽15内部的弧形结构在胶滴落入至发光片14的上表面时，利用液体的表面张力将液滴拉伸均匀，保证封装层与垫层12之间的贴合，避免发生缝隙造成发光片14内部受潮等情况，对LED芯片的使用寿命造成影响。具体而言，弧形凹槽15的内表面粘贴有封装发光片14的封装层13。具体而言，外壳2包括主要绝缘支撑结构的壳体21，壳体21的上表面开设有集成口23，集成口23装配在支撑壳11的外表面，壳体21的下表面一体成型有底座22，底座22的侧表面开设有成型槽26，本技术中使用到的外壳2结构是一种绝缘塑料结构，并且加强块27的材料结构强度大于壳体21的材料结构强度。具体而言，电极片包括第一电极片24和第二电极片25，第一电极片24和第二电极片25分别电连接至发光片14底部的电极外表面，第一电极片24和第二电极片25的外侧端均装配有一块硬度较高的加强块27，加强块27热熔粘贴在成型槽26的内表面，第一电极片24和第二电极片25的外表面均匀开设有便于弯折并且提高与焊料接触面积的凹槽28。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化镓集成芯片的结构，包括发光芯片(1)，其特征在于：所述发光芯片(1)的外表面装配有用于支撑保护发光芯片(1)结构的外壳(2)，所述外壳(2)的外侧端装配有电极片，所述电极片与发光芯片(1)内部的导电层电连接，所述电极片的外侧端位于外壳(2)的外表面套接有提高电极片附近结构强度的加强块(27)。/n

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓集成芯片的结构，包括发光芯片(1)，其特征在于：所述发光芯片(1)的外表面装配有用于支撑保护发光芯片(1)结构的外壳(2)，所述外壳(2)的外侧端装配有电极片，所述电极片与发光芯片(1)内部的导电层电连接，所述电极片的外侧端位于外壳(2)的外表面套接有提高电极片附近结构强度的加强块(27)。


2.根据权利要求1所述的一种氮化镓集成芯片的结构，其特征在于：所述发光芯片(1)包括支撑壳(11)，所述支撑壳(11)的内表面装配有垫层(12)，所述垫层(12)的内表面装配有发光片(14)。


3.根据权利要求2所述的一种氮化镓集成芯片的结构，其特征在于：所述垫层(12)的内侧表面顶端开设有向内侧倾斜的弧形凹槽(15)，所述弧形凹槽(15)的顶端开设有提高光滑程度的半圆形的倒角(16)。


4.根据权利要求3所述的一种氮化镓集成芯片的结构，其特征在于：所述弧形凹槽(15...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹宝堂，
申请(专利权)人：辽宁百思特达半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21