一种LED芯片的结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种LED芯片的结构，包括主体的发光芯片，发光芯片的侧表面装配有电极，电极的外表面封装有用于绝缘和支撑的绝缘层和外壳，本实用新型专利技术设置了一种带有倒装式的发光芯片和侧向安装的电极的LED芯片结构，通过侧表面安装接电电极的方式，提高氮化镓层通电时的电流扩展均匀性，并且能够通过上下叠加的氮化镓层垂直通电，提高发光的均匀性，并且发光面的底端的与发光的氮化镓层相吻合的反光层能够最大程度的提高反射程度，因此提高了LED芯片整体的发光亮度，有效的解决了现有的倒装式LED结构采用底部接电的方式所带来的发光和反光结构反射面积不同具有一定光源反射损失的问题，并且提高了通电时电流扩展的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片的结构
本技术涉及LED芯片
，具体为一种LED芯片的结构。
技术介绍
LED芯片也称为LED发光芯片，是LED灯的核心组件，也就是指的P-N结，其主要功能是：把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子，但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的，现有的倒装式LED结构采用底部制作点状电极为对应的接电层接电的方式，因此发光和反光结构反射面积不同，具有一定光源反射损失，鉴于以上问题，特提出一种LED芯片的结构。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种LED芯片的结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种LED芯片的结构，包括主体的发光芯片，所述发光芯片包括主要用于发光的N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，所述N型氮化镓层和P型氮化镓层的侧表面分别装配有对应的电极，所述电极的外表面封装有用于绝缘和支撑的绝缘层和外壳。优选的，所述发光芯片包括由上部树脂层和底部荧光层构成的封装层，所述N型氮化镓层的上表面光刻在封装层的下表面，所述P型氮化镓层的下表面光刻有反光层，所述反光层的下表面封装有外延片。优选的，所述电极包括导电环，所述导电环的下表面四角处焊接有导电柱，所述导电柱的下表面焊接有电极环，所述电极环的前端一体成型有第一电极片，所述导电环装配在N型氮化镓层的侧表面。优选的，所述电极包括第二电极片，所述第二电极片的上表面焊接在反射率高的导电金属制成的反光层的下表面。优选的，所述绝缘层包括绝缘片，所述绝缘片的上表面开设有第一凹槽，所述第一凹槽套接在电极环和第一电极片的外表面，所述绝缘片的右表面和上表面中心处位于第一凹槽的内侧端开设有连通的第二凹槽，所述第二凹槽的内表面套接在第二电极片的外表面。优选的，所述外壳包括绝缘封装壳，所述绝缘封装壳的下表面四角处开设有卡口，所述卡口套接在导电柱的外表面，所述导电环的下表面装配在绝缘封装壳的上表面边缘处。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术设置了一种带有倒装式的发光芯片和侧向安装的电极的LED芯片结构，通过侧表面安装接电电极的方式，提高氮化镓层通电时的电流扩展均匀性，并且能够通过上下叠加的氮化镓层垂直通电，提高发光的均匀性，并且发光面的底端的与发光的氮化镓层相吻合的反光层能够最大程度的提高反射程度，因此提高了LED芯片整体的发光亮度，有效的解决了现有的倒装式LED结构采用底部接电的方式所带来的发光和反光结构反射面积不同具有一定光源反射损失的问题，并且提高了通电时电流扩展的均匀性。附图说明图1为本技术结构示意图。图2为本技术剖切装配示意图。图3为本技术电极和绝缘层之间的剖切装配示意图。图4为本技术主视图示意图。图5为本技术剖面示意图。图中：1、发光芯片，11、封装层，12、N型氮化镓层，13、多量子阱层，14、P型氮化镓层，15、反光层，16、外延片，2、电极，21、绝缘片，22、第一凹槽，23、第二凹槽，24、电极环，25、第一电极片，26、第二电极片，27、导电柱，28、导电环，3、外壳，31、绝缘封装壳，32、卡口。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-5，本技术提供一种技术方案：一种LED芯片的结构，包括主体的发光芯片1，发光芯片1包括主要用于发光的N型氮化镓层12、多量子阱层13和P型氮化镓层14，N型氮化镓层12和P型氮化镓层14的侧表面分别装配有对应的电极2，电极2的外表面封装有用于绝缘和支撑的绝缘层和外壳3；本技术设置了一种带有倒装式的发光芯片1和侧向安装的电极2的LED芯片结构，通过侧表面安装接电电极的方式，提高氮化镓层通电时的电流扩展均匀性，并且能够通过上下叠加的氮化镓层垂直通电，提高发光的均匀性，并且发光面的底端的与发光的氮化镓层相吻合的反光层15能够最大程度的提高反射程度，因此提高了LED芯片整体的发光亮度，有效的解决了现有的倒装式LED结构采用底部接电的方式所带来的发光和反光结构反射面积不同具有一定光源反射损失的问题，并且提高了通电时电流扩展的均匀性。具体而言，发光芯片1包括由上部树脂层和底部荧光层构成的封装层11，N型氮化镓层12的上表面光刻在封装层11的下表面，P型氮化镓层14的下表面光刻有反光层15，反光层15的下表面封装有外延片16，通过面积和形状均与氮化镓层相同的反光层15提高氮化镓通电发光的光源反射率，进而进一步的提高光源的亮度，荧光层的使用目的是为了过滤通电层产生的其他颜色光，将光源整体过滤成为所需要颜色的光源。具体而言，电极2包括导电环28，导电环28的下表面四角处焊接有导电柱27，导电柱27的下表面焊接有电极环24，电极环24的前端一体成型有第一电极片25，导电环28装配在N型氮化镓层12的侧表面，通过侧面接电的方式，电流通过环形的结构与内壁连接的导电层，以此保证电流能够均匀通过，电流的扩展均匀性远远高于现有的点状电极与片状的导电层之间的电流扩展均匀性。具体而言，电极2包括第二电极片26，第二电极片26的上表面焊接在反射率高的导电金属制成的反光层15的下表面，反光层15的优选材料为银。具体而言，绝缘层包括绝缘片21，绝缘片21的上表面开设有第一凹槽22，第一凹槽22套接在电极环24和第一电极片25的外表面，绝缘片21的右表面和上表面中心处位于第一凹槽22的内侧端开设有连通的第二凹槽23，第二凹槽23的内表面套接在第二电极片26的外表面，通过绝缘片的连接绝缘作用将本技术成型为一个整体，方便焊接使用。具体而言，外壳3包括绝缘封装壳31，绝缘封装壳31的下表面四角处开设有卡口32，卡口32套接在导电柱27的外表面，导电环28的下表面装配在绝缘封装壳31的上表面边缘处，在本技术中，发光芯片1的各个通电层以及封装层的厚度仅为示意，并且封装层11优选的封装方式为整体包裹在导电环28的外表面(图例中为了突出封装层与接电工作层之间的关系，做出了能够保证通电层正常工作的最小封装方式)。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED芯片的结构，包括主体的发光芯片(1)，其特征在于：所述发光芯片(1)包括用于发光的N型氮化镓层(12)、多量子阱层(13)和P型氮化镓层(14)，所述N型氮化镓层(12)和P型氮化镓层(14)的侧表面分别装配有对应的电极(2)，所述电极(2)的外表面封装有用于绝缘和支撑的绝缘层和外壳(3)。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的结构，包括主体的发光芯片(1)，其特征在于：所述发光芯片(1)包括用于发光的N型氮化镓层(12)、多量子阱层(13)和P型氮化镓层(14)，所述N型氮化镓层(12)和P型氮化镓层(14)的侧表面分别装配有对应的电极(2)，所述电极(2)的外表面封装有用于绝缘和支撑的绝缘层和外壳(3)。


2.根据权利要求1所述的一种LED芯片的结构，其特征在于：所述发光芯片(1)包括由上部树脂层和底部荧光层构成的封装层(11)，所述N型氮化镓层(12)的上表面光刻在封装层(11)的下表面，所述P型氮化镓层(14)的下表面光刻有反光层(15)，所述反光层(15)的下表面封装有外延片(16)。


3.根据权利要求2所述的一种LED芯片的结构，其特征在于：所述电极(2)包括导电环(28)，所述导电环(28)的下表面四角处焊接有导电柱(27)，所述导电柱(27)的下表面焊接有电极环(24)，所述电极环(24)的前端一体成型有第一电极片(25)，所述导电环(28)装配...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹宝堂，
申请(专利权)人：辽宁百思特达半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21