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本实用新型属于LED技术领域，尤其涉及一种LED芯片N电极的结构，包括衬底、N型层、有源层、P型层、ITO电流扩展层、P电极和N电极。所述N型层、所述有源层和所述P型层从下至上依次形成在所述衬底上。所述N型层上设置与之相连接的所述N电极。所...
该专利属于辽宁百思特达半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过辽宁百思特达半导体科技有限公司授权不得商用。

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