使用纳米粒子鉴别和识别对象制造技术

本发明专利技术涉及使用纳米粒子鉴别和识别对象。本文说明了使用纳米粒子鉴别和识别对象的装置、系统和方法。在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，包含用于执行以下处理的可执行代码：（１）基于标记的鉴别图像得出索引；（２）基于索引选择标记的基准图像；（３）将鉴别图像与基准图像相比较以确定鉴别图像是否与基准图像匹配；和（４）基于鉴别图像是否与基准图像匹配，产生关于真实性的指示。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及纳米粒子。更具体而言，本专利技术涉及使用纳米粒 子鉴别和识别对象。
技术介绍
要被鉴别或识别的对象有时设置有特定的标记，该标记可以是对 象本身的一部分或者可以与对象耦合。例如， 一般使用的标记是条形码，条形码包含被直接印刷到对象上或印刷到与对象耦合的标签上的 要素的线性阵列。这些要素通常包含条和间隔，其中不同宽度的条代 表二进制l的串，并且不同宽度的间隔代表二进制O的串。虽然条形 码对于跟踪对象的位置或身份是有用的，但这些标记很容易被复制， 因此就防伪而言具有有限的效果。针对这种背景，需要开发本文所说明的装置、系统和方法。
技术实现思路
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，包含用于执 行以下处理的可执行代码(l)基于标记的鉴别图像得出索引；(2) 基于索引选择标记的基准图像；(3)将鉴别图像与基准图像相比较 以确定鉴別图像是否与基准图像匹配；和(4)基于鉴别图像是否与基准图像匹配，产生关于真实性的指示。还设想了本专利技术的其它方面和实施例。以上的专利技术概述和以下的 详细说明并不意味着将本专利技术限制于任何特定的实施例，而仅是要说 明本专利技术的一些实施例。附图说明为了更好地理解本专利技术的一些实施例的本质和目的，应结合附图 参照以下的详细说明。图1示出可根据本专利技术的实施例实现的系统。图2示出针对纳米粒子的三个不同的随机阵列获得的三个不同 的图像。具体实施方式 定义以下的定义适用于关于本专利技术的一些实施例而说明的要素中的 一些要素。这些定义同样可在这里被详细描述。本文使用的术语"组"是指一个或更多个元素的集合。 一个组中的 元素也可4皮称为该组的成员。 一个组中的元素可以是相同的或不同 的。在一些情况下， 一个组中的元素会共有一个或更多个共同的特性。本文使用的术语"任选的"和"任选地"意味着随后说明的事件或 情况可以出现或者可以不出现，并且该说明包含事件或状况出现的情 况以及不出现的情况。本文使用的术语"紫外线区域，，是指从约5纳米("nm，，)到约 400nm的波长的范围。本文4吏用的术语"可见光区域"是指从约400nm到约700nm的波 长的范围。本文使用的术语"红外线区域"是指从约700nm到约2毫米 ("mm")的波长的范围。本文使用的术语"纳米范围"是指从约(Unm到约IO微米("pm") 的尺寸的范围，诸如从约O.lnm到约500nm、从约O.lnm到约200nm、从约O.lnm到约100nm、从约50nm到约100nm、从约O.lnm到约 50nm、从约O.lnm到约20nm、或者从约O.lnm到约10nm。本文使用的术语"反射"和"反射的"是指光的弯曲或偏转。光的弯 曲或偏转可基本上沿单一方向，诸如镜面反射的情况；或者可以沿多 个方向，诸如漫反射或散射的情况。 一般地，入射到材料上的光和从 材料反射的光可具有相同或不同的波长。本文使用的术语"发光"和"发光的"是指响应于能量激发的光发 射。发光可基于从原子或分子的电子激发态的弛豫(relaxation)而发 生，并可包含例如化学发光、电致发光、光致发光和它们的组合。例 如，在电致发光中，可基于电激发而产生电子激发态。在可包含荧光 和磷光的光致发光中，可基于诸如光的吸收的光激发而产生电子激发 态。 一般地，入射到材料上的光和由材料发射的光可具有相同或不同 的波长。发光材料的示例包含本征半导体(例如，间接带隙半导体)、 本征绝缘体(例如，宽带隙半导体)、本征荧光材料(例如，过渡金 属和诸如镧系元素的稀土元素)以及掺杂有适当的发光材料的材料。本文使用的术语"光致发光量子效率"是指由材料发射的光子的 数量相对于由材料吸收的光子的数量的比率。本文使用的术语"缺陷"是指晶体堆垛错误、陷阱(trap)、空位、 介入(insertion)或杂质。本文使用的术语"单层，，是指材料的单一完整涂层，没有在该完整 涂层上添加附加材料。本文使用的术语"纳米粒子，，是指具有纳米范围中的至少一个尺 寸的粒子。纳米粒子可具有多个形状中的任一形状，并可由多种材料 中的任何材料形成。在一些情况下，纳米粒子包含由第一材料形成的 "核"，该核可任选地被由第二材料形成的"壳"或由"配位体层"包围。 第一材料和第二材料可以相同或不同。根据纳米粒子的结构，纳米粒 子可表现出与量子限制有关的尺寸依赖特性。但是，可以想到，纳米 粒子也可基本上没有与量子限制有关的尺寸依赖特性，或者可在很低 的程度上表现出这种尺寸依赖特性。在一些情况下， 一组纳米粒子可"。当将一组纳米粒子称为是单分散的时候，可以i殳想该组纳米粒子中的至少约60% (诸如至少约75% 约90%)落入 特定的尺寸范围内。例如， 一组单分散纳米粒子在尺寸上可偏离小于 约20%均方根("rms，，)，诸如在尺寸上小于约10% rms或小于约 5%rms。在一些情况下， 一组纳米粒子可被称为是"基本无缺陷的"。 当将一组纳米粒子称为是基本无缺陷的时候，可以设想少于每个纳米 粒子1个缺陷，诸如少于每1000个纳米粒子1个缺陷、少于每106 个纳米粒子1个缺陷或少于每109个纳米粒子1个缺陷。通常，如果 纳米粒子内的缺陷数量少的话，就会转化成更高的光致发光量子效 率。在一些情况下，基本无缺陷的纳米粒子可具有大于6%的光致发 光量子效率，诸如至少10%、至少20%、至少30%、至少40%、 至少50%的光致发光量子效率。根据纳米粒子的结构，纳米粒子有时 可具有高达90% (或更大)的光致发光量子效率。纳米粒子的示例包 含量子点、量子阱和量子线。本文使用的术语"尺寸"是指特征物理维度。在表现出与量子限制 有关的尺寸依赖特性的纳米粒子的情况下，纳米粒子的尺寸可指的是 纳米粒子的量子限制物理尺寸。例如，在基本为球形的纳米粒子的 情况下，纳米粒子的尺寸可对应于纳米粒子的直径。在基本为具有基 本为圆形的截面的棒形的纳米粒子的情况下，纳米粒子的尺寸可对应 于纳米粒子的截面直径。当将一组纳米粒子称为具有特定尺寸时，可 以想到该组纳米粒子可具有该特定尺寸附近的尺寸分布。因此，如本 文所使用的那样， 一组纳米粒子的尺寸可指的是尺寸的分布模式，诸 如尺寸分布的峰值尺寸。本文使用的术语"量子点"是指基本上沿三个正交维度表现出诸 如化学、磁、光和电特性的尺寸依赖特性的纳米粒子。量子点可具有 多个形状中的任一形状，所述形状诸如为球形、四面体、三足体、盘 形、角锥形、盒形、立方体形、以及多个其它的几何和非几何形状。 包含被壳包围的核的量子点可被称为"核-壳量子点，，。量子点的示例包 含纳米球、纳米椭球、纳米四足体、纳米三足体、纳米多足体和纳米盒。本文使用的术语"量子阱"是指基本上沿至多单一维度表现出诸 如化学、磁、光和电特性的尺寸依赖特性的纳米粒子。量子阱的示例 是纳米盘。本文使用的术语"量子线"是指基本上沿至多两个正交维度表现 出诸如化学、磁、光和电特性的尺寸依赖特性的纳米粒子。量子线的 示例包含纳米棒、纳米管和纳米柱。本文使用的术语"核"是指纳米粒子的内部部分。核基本上可包含 单一的均匀单原子或多原子材料。核可以是晶体的、多晶的或非晶的， 并且可任选地包含掺杂剂。核可以是基本无缺陷的，或者可以包含一 定范围的缺陷密度。虽然核有时可被称为"晶体的"或"本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种计算机可读存储介质，包含用于执行以下处理的可执行代码：基于标记的鉴别图像得出索引；基于索引选择标记的基准图像；将鉴别图像与基准图像相比较以确定鉴别图像是否与基准图像匹配；和　基于鉴别图像是否与基准图像匹配，产生关于真实性的指示。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：WM普芬宁格尔，J肯尼，JA米德格雷，
申请(专利权)人：超点公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]