重度掺杂掩埋层以减少MOSFET截止电容制造技术

本公开涉及重度掺杂掩埋层以减少MOSFET截止电容。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)包括第一导电类型的源极区和漏极区。MOSFET另外包括第二导电类型的主体区域，其中主体区域位于源极区和漏极区的至少一部分下方。MOSFET还包括第一导电类型的掩埋区，其中掩埋区设置在所述主体区域和基板之间，其中掩埋区被配置为响应于在所述主体区域和所述掩埋区之间施加的指示电压来减小所述源极区和所述掩埋区之间的电容。

【技术实现步骤摘要】
重度掺杂掩埋层以减少MOSFET截止电容
该文献总体上但非限制性地涉及半导体器件，并且更具体地涉及金属氧化物半导体场效应晶体管。
技术介绍
无线通信系统使用射频(RF)开关将从一个或多个信号源接收的信号引导到这些系统的RF信号链中的电路。这样的RF开关可以例如通过控制(例如，禁止或启用)电路之间的RF信号的通过或耦合而用作信号网关。诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)之类的固态设备可以在某些无线通信系统中用作RF开关。与基于其他技术的RF开关相比，基于MOSFET的RF开关可以提供更快的开关时间，更高的可靠性以及相对较长的工作寿命。基于MOSFET的RF开关的性能可以通过开关传递的信号所经历的插入损耗，关闭开关时的输入-输出隔离以及将开关轻松集成到制造过程中来表征无线通信系统。附图说明图1示出了根据各种实施例的具有用于控制器件的截止电容的掺杂掩埋区的金属氧化物半导体场效应晶体管的示例的等距图。图2A示出了根据各种实施例的具有用于控制器件的截止电容的掺杂掩埋区的金属氧化物半导体场效应晶体管的示例的截面图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，包括：/n第一导电类型的源极区和漏极区；/n第二导电类型的主体区域，所述主体区域位于所述源极区和所述漏极区的至少一部分下方；和/n所述第一导电类型的掩埋区，所述掩埋区设置在所述主体区域和基板之间，所述掩埋区被配置为响应于在所述主体区域和所述掩埋区之间施加的指示电压来减小所述源极区和所述掩埋区之间的电容。/n

【技术特征摘要】
20190305 US 16/293,4641.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，包括：
第一导电类型的源极区和漏极区；
第二导电类型的主体区域，所述主体区域位于所述源极区和所述漏极区的至少一部分下方；和
所述第一导电类型的掩埋区，所述掩埋区设置在所述主体区域和基板之间，所述掩埋区被配置为响应于在所述主体区域和所述掩埋区之间施加的指示电压来减小所述源极区和所述掩埋区之间的电容。


2.权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中为了减小所述源极区和所述漏极区之间的电容，所述掩埋区被配置为响应于在所述主体区域和所述掩埋区之间施加的指示电压来耗尽所述源极区和所述漏极区下方的主体区域的区域。


3.权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中当MOSFET关断时，所述指示电压反向偏置在所述主体区域和所述掩埋区之间的界面处形成的结。


4.权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中所述主体区域包括p型掺杂材料，并且所述掩埋区包括n型掺杂材料。


5.权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中所述主体区域包括n-型掺杂材料，并且所述掩埋区包括p-型掺杂材料。


6.权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中所述基板还包括双极结型晶体管。


7.权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中所述掩埋区的掺杂水平高于所述主体区域的掺杂水平。


8.权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，还包括：
与所述主体区域耦合的第一端子；和
与所述掩埋区耦合的第二端子。


9.一种形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法，该方法包括：
在基板中形成掩埋区，所述掩埋区包括具有第一导电类型的材料；
在所述掩埋区上覆盖基板材料层；
使用所述基板材料层形成所述MOSFET，所述MOSFE...

【专利技术属性】
技术研发人员：武鹏飞，F·J·斯泰格沃德，S·L·费恩特，
申请(专利权)人：美国亚德诺半导体公司，
类型：发明
国别省市：美国;US