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本公开涉及重度掺杂掩埋层以减少MOSFET截止电容。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)包括第一导电类型的源极区和漏极区。MOSFET另外包括第二导电类型的主体区域，其中主体区域位于源极区和漏极区的至少一部分下方。MOSFET还包括...
该专利属于美国亚德诺半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过美国亚德诺半导体公司授权不得商用。

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