【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光探测器
，尤其是一种平面化热绝缘结构的热释电红 外探测器及其制备方法。
技术介绍
热释电红外探测器因其价格低、重量轻、响应速度快、光谱响应度宽、室 温工作无须制冷、易于热成像、性能价格比高等优点，被广泛应用于工业、环 境、医疗、军事等领域，成为当前红外
研究的热点之一。影响热释电 红外探测器性能的关键因素有两个 一是铁电薄膜材料的性能，另一个因素是 探测器单元的结构；当探测器的面积一定时，提高响应率就必须降低探测器热 导、提高器件热容，所以探测器单元热绝缘结构的设计是制作高性能器件的关 键因素。已报道的热释电红外探测器热绝缘结构主要有3种形式复合膜式台面结构、空气隙结构和微桥结构。第一种为多孔Si02/ Si02复合膜式台面结构，这种结构较简单，但高的台阶影响钝化及金属化互连等问题，从而增大了工艺难度和器件表面漏电流，而且与其他器件不易单片集成，工艺兼容性差；空气 隙和微桥结构，这两种结构隔热效果好，但制作工艺复杂，增加了成本，成品 率低。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种制作工艺简单、造价低、成品率高， 易与其他器...
【技术保护点】
一种平面化热绝缘结构的热释电红外探测器，其包括衬底和热绝缘结构，其特征在于所述的热绝缘结构是在硅或蓝宝石衬底上刻蚀有探测器下电极对应图形的深槽，在深槽内沉积有多孔二氧化硅层，在多孔二氧化硅层和衬底上淀积有二氧化硅层或氮化硅层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵永林，李献杰，齐丽芳，蔡道民，尹顺政，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：13[中国|河北]
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