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本发明公开了一种平面化热绝缘结构的热释电红外探测器及其制备方法,其包括衬底和热绝缘结构,所述的热绝缘结构是在硅或蓝宝石衬底上刻蚀有探测器下电极对应图形的深槽,在深槽内沉积有多孔二氧化硅层,在多孔二氧化硅层和衬底上淀积有二氧化硅层或氮化硅层。...该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种平面化热绝缘结构的热释电红外探测器及其制备方法,其包括衬底和热绝缘结构,所述的热绝缘结构是在硅或蓝宝石衬底上刻蚀有探测器下电极对应图形的深槽,在深槽内沉积有多孔二氧化硅层,在多孔二氧化硅层和衬底上淀积有二氧化硅层或氮化硅层。...