【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片生产制备系统
本专利技术涉及半导体加工和制造领域,具体为制备半导体硅芯片的生产工艺。
技术介绍
导体硅材料的现状,在当今全球超过2000亿美元的半导体市场中,95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路(LSI)都是用高纯优质的硅抛光片和外延片制作的。在未来30-50年内,它仍将是LSI工业最基本和最重要的功能材料。半导体硅材料以丰富的资源、优质的特性、日臻完善的工艺以及广泛的用途等综合优势而成为了当代电子工业中应用最多的半导体材料,它还是可获得的纯度最高的材料之一,其实验室纯度可达12个“9”的本征级,工业化大生产也能达到7~11个“9’的高纯度。产品应用半导体或芯片是由硅生产出来的。晶圆片上刻蚀出数以百万计的晶体管,这些晶体管比人的头发要细小上百倍。半导体通过控制电流来管理数据,形成各种文字、数字、声音、图象和色彩。它们被广泛用于集成电路,并间接被地球上的每个人使用。这些应用有些是日常应用,如计算机、电信和电视,还有的应用于先进的微波传送、激光转换系统、医疗诊断和治疗设备、防御系统和NASA航天飞机。 >加工硅芯片的工艺包本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体芯片生产制备系统,其特征在于,同一设备腔体内由上至下设置有第一操作腔体、第二操作腔体、第三操作腔体;/n第一操作腔体顶部位置设置有硅片下降至第一操作腔体、第二操作腔体、第三操作腔体内执行其它工艺过程及抽真空时使用的阀门A,第一操作腔体顶部中间位置设置有曝光基材载台,曝光基材载台之上设置有从上方光刻部件照射的光束;/n第一操作腔体内一侧设置有腔内通风管道及阀件a和真空泵接入端及连接件a,第一操作腔体内相对设置有磁控管、溅镀铜靶材、模拟闸阀及曝光片夹持器;磁控管、溅镀铜靶材、模拟闸阀及曝光片夹持器通过外接电源控制其行进、闸阀开闭及夹持功能;/n第二操作腔体内一侧设 ...
【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片生产制备系统,其特征在于,同一设备腔体内由上至下设置有第一操作腔体、第二操作腔体、第三操作腔体;
第一操作腔体顶部位置设置有硅片下降至第一操作腔体、第二操作腔体、第三操作腔体内执行其它工艺过程及抽真空时使用的阀门A,第一操作腔体顶部中间位置设置有曝光基材载台,曝光基材载台之上设置有从上方光刻部件照射的光束;
第一操作腔体内一侧设置有腔内通风管道及阀件a和真空泵接入端及连接件a,第一操作腔体内相对设置有磁控管、溅镀铜靶材、模拟闸阀及曝光片夹持器;磁控管、溅镀铜靶材、模拟闸阀及曝光片夹持器通过外接电源控制其行进、闸阀开闭及夹持功能;
第二操作腔体内一侧设置有通风管道及阀件b和真空泵接入端及连接件b实现腔内破真空及抽真空帮助,另一侧设置有硅片进出腔体的闸门,闸门外设置有载锁真空辅助腔体;第二操作腔体作为完成湿式清洗光面硅片及执行电镀铜制成工艺的操作腔,设置有电浆模组;第二操作腔体通过主渠道及阀件分别依次接入超高纯度氮气,三氢化砷,三氢化磷,三氟化硼,氟化碳类特气,氯化氢,氯气,三氯化硼,氮氢混气,氨气,超高纯度氧气,水气,超高纯度氩气,超高纯度氦气;
第三操作腔体内一侧壁设置有丙醛醇蒸气接入口、真空泵接入口及排气阀c、另一侧壁相对设置有通风管道及阀件c实现腔内破真空、排气、吹扫工作,第三操作腔体内一侧通过管路及阀件分别连接有旋涂介电材料液供应管、旋涂玻璃材料液供应管、旋涂碳材料液供应管、底部抗反射材料液供应管、光刻胶供应管、显影液供应管、碱液供应管、酸液供应管、去离子超纯水供应管;第三操作腔体内部由上至下依次安装设置有加热结构部分、冰粒平坦化制程结构部分、旋转蚀刻结构部分;旋转蚀刻结构部分中间设置有硅片载盘,两侧壁上设置有化学溶液排放捕捉槽作为排放口,分别设置为旋涂介电材料、旋涂玻璃液排放口,旋涂碳材料排放口,底部抗反射材料、光刻胶排放口,三甲基氢氧化氨显影液排放口,碱液排放口,酸液排放口,及旋转刻蚀平坦化工艺的排放口;
第三操作腔体内底部旋转蚀刻结构部分一侧通过管道及阀件连接设置有稀释用纯水接入口,另一侧设置有电镀铜水溶液的帮浦输送管及回流管和排放管。
2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产制备系统,其特性在于:电浆模组,通过射频电源及机械传动机构实现移动,其结构由上至下依次设置有O型环、具有石英套筒的磁铁、具偏压格栅一、石英窗、厚圆柱形石英柱状桶环、具偏压格栅二、多孔金属阳极化圆盘且分别与机械传动机构连接,以上结构都是圆形,所述O型环为具有外环线圈的闸阀,所述O型环、具有石英套筒的磁铁、厚圆柱形石英柱状桶环具有石英套筒的感应耦合电浆线圈,在石英窗上方具有偏压格栅的内环铁氧体耦合线圈,所述厚圆柱形石英柱状桶环、具偏压格栅二具有偏压格栅的感应耦合电浆辅助线圈;O型环作为闸阀的密封、开启是利用两腔体间的气压差异。
3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产制备系统,其特性在于:加热结构部分,左边结构由上至下依次包括供电浆辅助化学气相沉积镀膜的电阻加热盘,材料是316不锈钢的静电吸附载盘、底部抗反射层加热盘、非接触式热对流加热底部抗反射层,电阻加热盘和抗反射层加热盘之间可增加热交换机制来节省电能及加快升温、降温速率,
右边结构由上至下依次包括供低压/...
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