【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片生产制备系统的加热结构
本专利技术涉及半导体加工和制造领域，具体为一种半导体芯片生产制备系统的加热结构。
技术介绍
导体硅材料的现状，在当今全球超过2000亿美元的半导体市场中，95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路（LSI）都是用高纯优质的硅抛光片和外延片制作的。在未来30-50年内，它仍将是LSI工业最基本和最重要的功能材料。半导体硅材料以丰富的资源、优质的特性、日臻完善的工艺以及广泛的用途等综合优势而成为了当代电子工业中应用最多的半导体材料，它还是可获得的纯度最高的材料之一，其实验室纯度可达12个“9”的本征级，工业化大生产也能达到7～11个“9’的高纯度。产品应用半导体或芯片是由硅生产出来的。晶圆片上刻蚀出数以百万计的晶体管，这些晶体管比人的头发要细小上百倍。半导体通过控制电流来管理数据，形成各种文字、数字、声音、图象和色彩。它们被广泛用于集成电路，并间接被地球上的每个人使用。这些应用有些是日常应用，如计算机、电信和电视，还有的应用于先进的微波传送、激光转换系统、医疗诊断和治疗设备、防御系统和NA
【技术保护点】
1.一种半导体芯片生产制备系统的加热结构，其特征在于：半导体芯片生产制备装置由上至下设置有第一操作腔体、第二操作腔体、第三操作腔体；第三操作腔体内部由上至下依次安装设置有加热结构部分、冰粒平坦化制程结构部分、旋转蚀刻结构部分；加热结构部分设置有X方向左边结构、X方向右边结构和Y方向左边结构、Y方向右边结构两组，分别设置在硅片的四周且每组相对设置。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片生产制备系统的加热结构，其特征在于：半导体芯片生产制备装置由上至下设置有第一操作腔体、第二操作腔体、第三操作腔体；第三操作腔体内部由上至下依次安装设置有加热结构部分、冰粒平坦化制程结构部分、旋转蚀刻结构部分；加热结构部分设置有X方向左边结构、X方向右边结构和Y方向左边结构、Y方向右边结构两组，分别设置在硅片的四周且每组相对设置。
2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产制备系统的加热结构，其特征在于：加热结构部分的X方向左边结构由上至下依次包括供电浆辅助化学气相沉积镀膜的电阻加热盘、底部抗反射层加热盘、非接触式热对流加热底部抗反射层，电阻加热盘和抗反射层加热盘之间可增加热交换机制来节省电能及加快升温.降温速率；
X方向右边结构由上至下依次包括供低压、有机金属化学气相沉积镀膜的电阻加热盘、光刻胶层加热盘、非接触式热对流加热光刻胶层，上下加热盘之间可增加热交换机制来节省电能及加快升温.降温速率。
3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产制备系统的加...
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