【技术实现步骤摘要】
基板处理装置的供气单元及基板处理装置
本专利技术涉及一种基板处理装置，更详细地涉及一种基板处理装置的供气单元。
技术介绍
制造半导体元件需要执行光刻、蚀刻、薄膜蒸镀、离子注入以及清洁等各种工艺。在这种工艺中的蚀刻、薄膜蒸镀、清洁工艺等中使用利用工艺气体的基板处理装置。工艺气体需要向基板的整个区域均匀供应，并为了按区域均匀供应，工艺气体可以通过供气单元供应。供气单元通常以在上下方向上层叠多个板而成的结构提供。例如，如图1所示，以往技术的供气单元包括以螺栓B为介体层叠结合而成的气体分配板10和喷头20，工艺气体通过由气体分配板10及在喷头20形成的喷出孔11、21向基板喷出。即，若在腔室内放置基板，则设定流量的工艺气体通过气体分配板10及喷头20供应于真空环境的腔室内，能够通过工艺气体处理基板。但是，根据图1的以往技术，由于气体分配板10和喷头20之间的制造公差或在真空环境下长时间使用引起的变形、热膨胀系数差等原因，可能在气体分配板10和喷头20之间不会形成顺畅的导热。因此，在进行...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置的供气单元，其中，所述供气单元包括：/n气体分配板，具有第一面及与第一面相对的第二面，并具有贯通所述第一面和所述第二面的第一供气孔；/n喷头，具有与所述第二面紧贴的第三面及与第三面相对的第四面，并具有第二供气孔，所述第二供气孔贯通所述第三面和所述第四面，以便与所述第一供气孔连接；以及/n导热部件，插入于所述气体分配板和所述喷头中至少一个。/n
【技术特征摘要】
20190228 KR 10-2019-00238041.一种基板处理装置的供气单元，其中，所述供气单元包括：
气体分配板，具有第一面及与第一面相对的第二面，并具有贯通所述第一面和所述第二面的第一供气孔；
喷头，具有与所述第二面紧贴的第三面及与第三面相对的第四面，并具有第二供气孔，所述第二供气孔贯通所述第三面和所述第四面，以便与所述第一供气孔连接；以及
导热部件，插入于所述气体分配板和所述喷头中至少一个。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置的供气单元，其中，
所述导热部件的一端插入于所述气体分配板的内部，另一端接触于所述喷头的第三面。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置的供气单元，其中，
插入于所述气体分配板内部的导热部件的一端不暴露于所述气体分配板的第一面。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置的供气单元，其中，
所述导热部件的一端与所述气体分配板的第二面接触，另一端插入于所述喷头的内部。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置的供气单元，其中，
所述导热部件的长度比所述喷头的厚度小。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置的供气单元，其中，
所述导热部件贯通所述气体分配板而一端与所述气体分配板的第一面具有相同位...
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