外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置。所述气相沉积装置具备设置于排气管（8）内并调整反应室（2）的排气的排气调整部（9），排气调整部（9）具备：上游挡板（91），形成为反应室（2）侧的第1开口（91A）大于排气装置（7）侧的第2开口（91B）的锥台筒状；及下游挡板（92），设置于比上游挡板（91）更靠排气装置（7）侧，且形成为反应室（2）侧的第3开口（92A）大于排气装置（7）侧的第4开口（92B）的锥台筒状，上游挡板（91）及下游挡板（92）形成为如下：将排气管（8）的内径、第1开口（91A）的直径及第3开口（92A）的直径设为A、将第2开口（91B）的直径设为B、将第4开口（92B）的直径设为C时，满足B/A及C/A为0.33以下、B/A及C/A中的至少一个为0.26以下、（B+C）/A为0.59以下的条件。

【技术实现步骤摘要】
外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置本申请是国际申请日为2015年12月17日、国家申请号为201580066944.1（国际申请号为PCT/JP2015/084290）、专利技术名称为“外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置”的申请的分案申请。
本专利技术涉及一种外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置。
技术介绍
以往，已知有制造外延硅晶片的气相沉积装置（例如，参考专利文献1）。专利文献1中所记载的装置中，在使设为氮气气氛的晶片移载室的压力高于设为氢气气氛的反应室的压力的状态下，开放活动隔板机构而使晶片移载室的氮气流入到反应室中。并且，在将晶片移载室的硅晶片载置于反应室之后，关闭活动隔板机构而停止向反应室供给氮气，从而在硅晶片上形成硅外延膜。以往技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-232455号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的技术课题如专利文献1中所记载的装置中，设有经由排气管对反应室进行排气的排气装置。排气管内有时存在外延膜的原料即作为附着物的硅的产物。由于在排气管内存在产物的状态下，将晶片移载室的硅晶片载置于反应室中，因此若在晶片移载室的压力高于反应室的压力的状态下开放活动隔板机构，则晶片移载室的氮气会流入到反应室中，因此有时晶片移载室的压力变为低于反应室的压力。若晶片移载室的压力低于反应室的压力，则即使利用排气装置对反应室进行排气，也会在排气管内产生欲提高晶片移载室的压力的气体的流动，排气管内的产物有可能流入到反应室中。流入到反应室中的产物附着于硅晶片上，有可能成为发生LPD（LightPointDefect：光点缺陷）的原因。本专利技术的目的在于提供一种外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置，所述制造方法能够得到LPD密度较小的高品质的外延硅晶片。用于解决技术课题的手段本专利技术人等重复进行深入研究的结果，着眼于将晶片移载室的硅晶片载置于反应室之后的反应室的压力变化，完成了本专利技术。即，本专利技术的外延硅晶片的制造方法，其使用气相沉积装置在所述硅晶片上形成外延膜，所述气相沉积装置具备：反应室，供外延膜生长；晶片移载室，设置成经由能够密闭并开放所述反应室的连通部，能够将硅晶片搬送至所述反应室中；及排气装置，经由与所述反应室连接的排气管，对所述反应室进行排气，所述外延硅晶片的制造方法的特征在于，在所述晶片移载室的压力高于所述反应室的压力且所述排气装置正在对所述反应室进行排气的状态下，打开所述连通部，将所述晶片移载室内的硅晶片搬送至所述反应室之后，关闭所述连通部之后使所述反应室的压力相比于关闭所述连通部的时点的压力暂时上升之后下降，由此将所述排气管内的附着物移送至所述排气装置侧之后，开始形成所述外延膜。本专利技术的外延硅晶片的制造方法中，优选通过设置于所述排气管内的排气调整部，使所述反应室的压力上升。本专利技术的外延硅晶片的制造方法中，优选在关闭所述连通部之后，无需变更所述排气装置的驱动状态而由所述排气调整部调整所述反应室的排气，由此使所述反应室的压力上升之后，伴随所述反应室的压力与比所述排气调整部更靠所述排气装置侧的压力之差、及利用了所述排气装置的所述反应室的排气，将所述排气管内的附着物移送至所述排气装置侧。本专利技术的外延硅晶片的制造方法中，优选所述排气调整部具备：第1调整部，形成为所述反应室侧的第1开口大于所述排气装置侧的第2开口的锥台筒状；及第2调整部，设置于比所述第1调整部更靠所述排气装置侧，且形成为所述反应室侧的第3开口大于所述排气装置侧的第4开口的锥台筒状，所述排气调整部构成为如下：当将所述排气管的内径、所述第1开口的直径及所述第3开口的直径设为A、将所述第2开口的直径设为B、将所述第4开口的直径设为C时，B/A及C/A为0.33以下，B/A及C/A中的至少一个为0.26以下，（B+C）/A为0.59以下。另外，本专利技术中的所谓“排气管的内径”，排气管为圆筒状时是指开口的直径，角筒状时是指开口的最大直径与最小直径的平均值。同样地，所谓“第1～第4开口的直径”，例如第1、第2调整部为圆锥台筒状且开口为圆形时是指开口的直径，例如为角锥台筒状且开口为多边形时是指开口的最大直径与最小直径的平均值。本专利技术的气相沉积装置，其在硅晶片上形成外延膜，并且具备：反应室，供外延膜生长；晶片移载室，设置成经由能够密闭并开放所述反应室的连通部，能够将硅晶片搬送至所述反应室；搬送部，将所述晶片移载室内的所述硅晶片搬送至所述反应室中；及排气管，与所述反应室连接，且构成为能够通过排气装置的驱动对所述反应室进行排气，所述气相沉积装置的特征在于，具备设置于所述排气管内并调整所述反应室的排气的排气调整部，所述排气调整部具备：第1调整部，形成为所述反应室侧的第1开口大于所述排气装置侧的第2开口的锥台筒状；及第2调整部，设置于比所述第1调整部更靠所述排气装置侧，且形成为所述反应室侧的第3开口大于所述排气装置侧的第4开口的锥台筒状，所述排气调整部形成为如下：将所述排气管的内径、所述第1开口的直径及所述第3开口的直径设为A、将所述第2开口的直径设为B、将所述第4开口的直径设为C时，满足以下条件：B/A及C/A为0.33以下，B/A及C/A中的至少一个为0.26以下，（B+C）/A为0.59以下。根据本专利技术，能够得到LPD密度较小的高品质的外延硅晶片。附图说明图1是表示本专利技术的一实施方式所涉及的气相沉积装置的示意图。图2是表示所述一实施方式所涉及的气相沉积装置的一部分的示意图。图3是表示改变本专利技术的实施例所涉及的挡板形状时的实验结果的图。图4是表示所述实施例的合格实验例中的反应室的压力变化的图表。图5是表示所述实施例的不合格实验例中的反应室的压力变化的图表。图6是表示所述实施例的不合格实验例中的反应室的压力变化的图表。具体实施方式参考附图对本专利技术的一实施方式进行说明。如图1所示，气相沉积装置1具备：反应室2，供外延膜生长；晶片移载室4，设置成经由连通部3能够将硅晶片W搬送至反应室2；开闭部5，密闭并开放连通部3；搬送部6，将晶片移载室4内的硅晶片W搬送至反应室2；及圆筒状的排气管8，与反应室2连接，且构成为能够通过排气装置7的驱动对反应室2进行排气。反应室2连接有向该反应室2内供给氢气（H2）的氢气供给部21。连通部3上连接有向晶片移载室4内供给氮气（N2）的氮气供给部31。当在硅晶片W上形成硅外延膜时，通常在晶片移载室4的压力高于反应室2的压力的状态下，开闭部5打开连通部3，以免反应室2内的氢气流入到晶片移载室4内。并且，搬送部6将晶片移载室4的硅晶片W载置于配置在反应室2内的基座22上。打开连通部3时，晶片移载室4的氮气流入到反应室2中，但通过关闭连通部3，氮气停止供给至反应室2中，在成为规定的氢气气氛下的压力的时点，使反应室2内升温至规定温度，在氢气气氛下进行烘烤处理。然后，将氢气作为载气向反应室2内供给三氯硅烷（SiHCl3）本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种外延硅晶片的制造方法，其使用气相沉积装置在所述硅晶片上形成外延膜，所述气相沉积装置具备：/n反应室，供外延膜生长；晶片移载室，设置成经由能够密闭并开放所述反应室的连通部，能够将硅晶片搬送至所述反应室；及排气装置，经由与所述反应室连接的排气管，对所述反应室进行排气，/n所述外延硅晶片的制造方法的特征在于，/n在所述晶片移载室的压力高于所述反应室的压力且所述排气装置正在对所述反应室进行排气的状态下打开所述连通部，将所述晶片移载室内的硅晶片搬送至所述反应室之后，关闭所述连通部之后使所述反应室的压力相比于关闭所述连通部的时点的压力暂时上升之后下降，由此将所述排气管内的附着物移送至所述排气装置侧之后，开始形成所述外延膜。/n

【技术特征摘要】
20141208 JP 2014-2480751.一种外延硅晶片的制造方法，其使用气相沉积装置在所述硅晶片上形成外延膜，所述气相沉积装置具备：
反应室，供外延膜生长；晶片移载室，设置成经由能够密闭并开放所述反应室的连通部，能够将硅晶片搬送至所述反应室；及排气装置，经由与所述反应室连接的排气管，对所述反应室进行排气，
所述外延硅晶片的制造方法的特征在于，
在所述晶片移载室的压力高于所述反应室的压力且所述排气装置正在对所述反应室进行排气的状态下打开所述连通部，将所述晶片移载室内的硅晶片搬送至所述反应室之后，关闭所述连通部之后使所述反应室的压力相比于关闭所述连通部的时点的压力暂时上升之后下降，由此将所述排气管内的附着物移送至所述排气装置侧之后，开始形成所述外延膜。


2.根据权利要求1所述的外延硅晶片的制造方法，其特征在于，
通过设置于所述排气管内的排气调整部，使所述反应室的压力上升。


3.根据权利要求2所述的外...

【专利技术属性】
技术研发人员：辻雅之，清水昭彦，西村智和，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP