一种清洗晶振片的方法技术

本发明专利技术提供一种清洗晶振片的方法，用以避免晶振片与浓碱性试剂反应导致晶振片损坏的问题，从而提高晶振片的清洗效果。所述清洗晶振片的方法，该方法包括：提供一待清洗晶振片，所述待清洗晶振片包括晶振片和位于所述晶振片表面的第一膜层；对所述待清洗晶振片进行氧化处理，使所述第一膜层被氧化成第二膜层；采用酸性溶液清除所述第二膜层。

【技术实现步骤摘要】
一种清洗晶振片的方法
本专利技术涉及晶振片的
，尤其涉及一种清洗晶振片的方法。
技术介绍
石英晶振片是用来测量薄膜沉积速率的关键测量器件，在使用过程中石英晶振片的表面会逐渐附着镀层。由于石英晶振片成本较高，一般会对石英晶振片进行重复利用，因此需要将使用过的石英晶振片进行清洗。但是现有的化学药剂清洗技术，需要使用强酸和强碱分别反应方可完成清洗，清洗过程复杂，且石英晶振的主要成分氧化硅，其与浓碱性试剂存在反应的风险，清洗过程中可能会被逐渐腐蚀，导致晶振损坏。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种清洗晶振片的方法，用以避免晶振片与浓碱性试剂反应导致晶振片损坏的问题，从而提高晶振片的清洗效果。本专利技术实施例提供一种清洗晶振片的方法，该方法包括：提供一待清洗晶振片，所述待清洗晶振片包括晶振片和位于所述晶振片表面的第一膜层；对所述待清洗晶振片进行氧化处理，使所述第一膜层被氧化成第二膜层；采用酸性溶液清除所述第二膜层。可选地，本专利技术实施例提供的上述清洗晶振片的方法中，对所述待清洗晶振片进行氧化处理之前，该方法还包括：加热所述待清洗晶振片，清除所述第一膜层中的非金属单质和/或部分金属单质。可选地，本专利技术实施例提供的上述清洗晶振片的方法中，所述加热所述待清洗晶振片，包括：将所述待清洗晶振片放置在密闭真空环境中或密闭惰性气体环境中，加热所述待清洗晶振片。可选地，本专利技术实施例提供的上述清洗晶振片的方法中，所述非金属单质包括硒；所述金属单质包括铜、铟、镓中的至少一种。可选地，本专利技术实施例提供的上述清洗晶振片的方法中，对所述待清洗晶振片进行氧化处理，包括：将所述待清洗晶振片放置在密闭环境中并通入氧气，加热所述待清洗晶振片。可选地，本专利技术实施例提供的上述清洗晶振片的方法中，所述第二膜层包括：铜、铟、镓以及硒的氧化物中的至少一种。可选地，本专利技术实施例提供的上述清洗晶振片的方法中，采用酸性溶液清除所述第二膜层，包括：将所述待清洗晶振片放置在酸性溶液中，加热所述酸性溶液，使所述第二膜层与所述酸性溶液反应。可选地，本专利技术实施例提供的上述清洗晶振片的方法中，采用酸性溶液清除所述第二膜层，还包括：将所述酸性溶液放置在超声波清洗机中；和/或在所述酸性溶液中通入CDA。可选地，本专利技术实施例提供的上述清洗晶振片的方法中，所述采用酸性溶液清除所述第二膜层之后，该方法还包括：采用清水清洗所述待清洗晶振片；采用酒精清洗所述待清洗晶振片。可选地，本专利技术实施例提供的上述清洗晶振片的方法中，采用酒精清洗所述待清洗晶振片之后，该方法还包括：烘干所述待清洗晶振片。本专利技术实施例的有益效果：本专利技术实施例提供的清洗晶振片的方法，首先将待清洗晶振片进行氧化处理，使得待清洗晶振片中的第一膜层被氧化成第二膜层；然后将被氧化后的第二膜层放置在酸性溶液中，使得第二膜层中的氧化物与酸性溶液产生化学反应后，待清洗晶振片表面的第二膜层中的镀层被清洗掉。由于本专利技术中采用氧化物与酸性溶液化学反应的原理清除镀层，避免了待清洗晶振片与浓碱反应后导致晶振片被腐蚀而损坏的问题。从而提高了晶振片的清洗效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的晶振片的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种清洗晶振片的方法的流程示意图；图3为本专利技术实施例提供的第二种清洗晶振片的方法的流程示意图；图4为本专利技术实施例提供的第三种清洗晶振片的方法的流程示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。太阳能薄膜电池CIGS(CuInxGa(1-x)Se2)在薄膜蒸镀设备工作时需要测量金属元素的蒸发速率，以保证膜层按照一定速率沉积在基板表面，通常使用的测试方式是用石英晶振片测量蒸发速率。具体地，在石英晶振片测量沉积速率时，通过膜层沉积在石英晶振片表面来改变其固有频率从而改变晶体振荡器的测试频率，然后通过压差测试的方式来测得石英晶振片表面膜层的沉积速率。一般地，石英晶振片表面镀有金/银/铝来对应不同的测试膜层。例如，石英晶振片表面镀有金时，用以测量低应力膜层；石英晶振片表面镀有银时，用以测量高应力膜层；石英晶振片表面镀有铝时，用以测量介质光学膜层。在CIGS生产过程中的镀层为低应力膜层，所以选用金镀层石英晶振片。石英晶振片采用多面体石英棒切割研磨而成的圆片，厚度为0.23mm，直径为13.98mm，然后在用以沉积膜层的面A(正面)上镀上金元素，用以检测压电参数的面B(背面)镀成钥匙孔形状，参见图1提供的石英晶振片的结构，其中，镀层01可以为金镀层，因此，用于测试CIGS沉积速率的晶振片主要由石英和高纯度金组成。两者皆具有耐高温，耐氧化，耐浓酸的特点，但石英在一定条件下会与浓碱发生反应，所以在化学清洗时需要尽量避免碱液清洗，以避免石英结构被破坏。因此，本专利技术实施例提供一种清洗晶振片的方法中，用以避免晶振片与浓碱反应，避免晶振片损坏的问题。本专利技术实施例中的晶振片可以为石英晶振片或者其他材质，在此不做具体限定。需要说明的是，本专利技术实施例中的待清洗晶振片均为在测量沉积速率时已经被沉积金属元素的晶振片。例如，在测试CIGS沉积速率时，晶振片表面沉积的金属元素包括硒化物(-2价)、单质铜铟镓硒金属元素等。参见图2，本专利技术实施例提供一种清洗晶振片的方法，该方法包括：S201、提供一待清洗晶振片，待清洗晶振片包括晶振片和晶振片表面的第一膜层；其中，待清洗晶振片中包括的第一膜层可以包括金属单质，金属氧化物或者非金属单质和非金属化合物。在此不做具体限定。例如，用于检测CIGS沉积速率的晶振片的表面可能沉积有铜铟镓硒金属元素以及硒化物等。S202、对待清洗晶振片进行氧化处理，使第一膜层被氧化成第二膜层；其中，第一膜层被氧化后形成第二膜层包括金属氧化物、非金属氧化物中的至少一种。第一膜层与第二膜层在厚度或者金属和非金属元素含量的种类并没有变化，仅仅区别与第一膜层并未被氧化，第二膜层为第一膜层中元素的氧化物。S203、采用酸性溶液清除第二膜层。其中，酸性溶液可以包括盐酸、硫酸或高锰酸中的一种或几种。第二膜层中包括金属氧化物时，酸性溶液与金属氧化物产生化学反应，产生碱和水，从而使得金属氧化物被去除；第二膜层中包括非金属氧化物后，也与酸性溶液产生化学反应，从而去除非金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种清洗晶振片的方法，其特征在于，该方法包括：/n提供一待清洗晶振片，所述待清洗晶振片包括晶振片和位于所述晶振片表面的第一膜层；/n对所述待清洗晶振片进行氧化处理，使所述第一膜层被氧化成第二膜层；/n采用酸性溶液清除所述第二膜层。/n

【技术特征摘要】
1.一种清洗晶振片的方法，其特征在于，该方法包括：
提供一待清洗晶振片，所述待清洗晶振片包括晶振片和位于所述晶振片表面的第一膜层；
对所述待清洗晶振片进行氧化处理，使所述第一膜层被氧化成第二膜层；
采用酸性溶液清除所述第二膜层。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述待清洗晶振片进行氧化处理之前，该方法还包括：
加热所述待清洗晶振片，清除所述第一膜层中的非金属单质和/或部分金属单质。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述加热所述待清洗晶振片，包括：
将所述待清洗晶振片放置在密闭真空环境中或密闭惰性气体环境中，加热所述待清洗晶振片。


4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述非金属单质包括硒；所述金属单质包括铜、铟、镓中的至少一种。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述待清洗晶振片进行氧化处理，包括：
将所述待清洗晶振片放置...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐义，刘晓兵，
申请(专利权)人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11