一种封装晶背研磨结构及研磨方法技术

本发明专利技术公开了一种封装晶背研磨结构及研磨方法，研磨方法包括步骤：配置胶水；制备样品：取一片盖玻片粘在胶带上，并在所述盖玻片上滴上配置好的所述胶水，取样品缓慢放入所述胶水中，至所述样品完全浸没于所述胶水中，轻压所述样品排出所述样品底部的气泡，静置并观察有无气泡产生，挑破产生的气泡后放置在加热台上烘烤，得到制备好的样品；后处理：待所述样品冷却后，除去所述胶带，打磨掉多余的所述盖玻片，调整至合适大小，开始进行封装晶背研磨。本发明专利技术结构简单，制样方便，通过AB胶制备样品，使样品所受应力减少，保持研磨时平整度，并增加研磨面积，具有制样成功率高，观察效果更好等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种封装晶背研磨结构及研磨方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，尤其涉及一种封装晶背研磨结构及研磨方法。
技术介绍
半导体芯片在研发、量产以及消费者使用过程中常有失效的现象。随着电子科学技术的飞速发展，集成度的不断提高，半导体芯片越来越复杂，人们对产品的质量以及可靠性的要求不断提高。然而与质量及可靠性息息相关的便是失效分析技术，由此可见失效分析技术的重要性。通过芯片失效分析，可以帮助集成电路设计人员找到设计缺陷、工艺参数不符合规定或者是操作不当的问题。一般情况，在进行热点定位时，有些芯片在正面定位效果不佳情况下往往会选择从晶背面进行定位分析。由于样品已经正面开盖过，即使重新封胶，晶背研磨过程中芯片封装厚度也会逐步减少，当芯片封装厚度承受不住压力时，便会发生芯片碎裂的情况。尺寸较小的样品在进行晶背研磨时，无法牢固粘贴在双面胶上，研磨时容易掉落，造成平整度较差，晶背研磨容易失败。再有CSP(ChipScalePackage，芯片级封装)封装样品在晶背研磨时，由于芯片四周不平整，达不到希望的观察效果。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种封装晶背研磨结构以及一种封装晶背研磨方法，通过AB胶制备样品，使样品所受应力减少，保持研磨时平整度，并增加研磨面积，具有制样成功率高、观察效果更好等优点。本专利技术具体通过下述技术方案来实现：一种封装晶背研磨方法，其包括以下步骤：配置胶水；制备样品：取一片盖玻片粘在胶带上，并在所述盖玻片上滴上配置好的所述胶水，取样品缓慢放入所述胶水中，至所述样品完全浸没于所述胶水中，轻压所述样品排出所述样品底部的气泡，静置并观察有无气泡产生，挑破产生的气泡后放置在加热台上烘烤，得到制备好的样品；后处理：待所述样品冷却后，除去所述胶带，打磨掉多余的所述盖玻片，调整至合适大小，开始进行封装晶背研磨。在一些实施例中，所述胶水采用双组份环氧树脂AB胶，取A剂、B剂以重量比例1:10混合后，搅拌均匀，静置后得到配置完成的胶水。在一些实施例中，在制备样品的步骤中，样品静置时间为5分钟。在一些实施例中，在制备样品的步骤中，在所述盖玻片上滴上胶水的量为3-5滴。在一些实施例中，在制备样品的步骤中，所述样品以与所述盖玻片呈45°夹角的状态斜着放入所述胶水。在一些实施例中，在制备样品的步骤中，所述烘烤所用温度为110℃，烘烤时间为30分钟～40分钟。在一些实施例中，在所述后处理的步骤中，用砂纸打磨多余所述盖玻片，调整至所述盖玻片的大小适于样品的封装大小。一种封装晶背研磨结构，其包括盖玻片、滴于所述盖玻片上的胶水，以及完全浸没于所述胶水中的样品，所述样品具有形成有集成电路的正面和对应于所述正面的背面，所述样品的背面通过所述胶水粘在所述盖玻片上。在一些实施例中，所述胶水为双组份环氧树脂AB胶，采用A剂、B剂以重量比例1:10配置。在一些实施例中，所述盖玻片的底部粘在铝箔胶带上。本专利技术由于采用上述技术方案，使其至少具有以下有益效果：1、结构简单，制样方便；2、胶水钳制力强，避免在研磨过程中样品掉落；3、有效减少样品产生倾斜、气泡；4、有效减少样品在研磨过程中发生碎裂与晶背边角不平整；5、样品成像清晰，观察效果好。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例一种封装晶背研磨结构的正面视图。图2是图1实施例的俯视图。图中标记的对应关系为：1-胶水、2-样品、3-盖玻片。具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。下面结合附图和具体实施例对本专利技术实施例进一步详细说明。结合图1和图2所示，本专利技术实施例提供了一种先进的封装晶背研磨方法，可用于热点定位设备，其主要包括如下步骤：(1)配置胶水1：本实施例中，胶水1采用双组份环氧树脂AB胶(文中简称“AB胶”)(或G1胶)。具体来说，在制备AB胶时，取其A剂(主剂)与B剂(硬化剂)以重量比例1:10混合，并搅拌均匀，静置后得到胶水。(2)制备样品2：首先，取一片盖玻片3粘在胶带(图中未显示)上，胶带优选为加厚铝箔胶带，并在盖玻片3上滴上配置好的胶水1，优选地，所用胶水1的量约为3-5滴管，以能完全包裹住样品2为准。接着，样品2用镊子夹着缓慢放入胶水1，减少气泡产生，直至样品2完全浸没在胶水1中，其中，样品2具有形成有集成电路的正面和对应于正面的背面，在放入样品1至胶水1中时，将样品1的背面朝下、朝向盖玻片3的上表面(未粘胶带的一面)，优选地，在放入样品1至胶水1时，将样品1与盖玻片3的上表面之间保持夹角约45°的状态斜着放入样品1，且放入过程尽量缓慢，以减少气泡产生。此时，胶水1未完全固化。最后，用镊子轻压样品2，尽可能排出样品2底部、与盖玻片3上表面之间的气泡。静置几分钟后观察有无气泡产生，静置时间约为5分钟左右，挑破肉眼可见气泡后放置在加热台上烘烤，烘烤所用到的温度约为110℃，烘烤时间约为30分钟-40分钟，胶水1固化，得到制备好的样品。(3)后处理：待样品冷却后，除去盖玻片下表面的铝箔胶带，用砂纸打磨多余的盖玻片，调整至合适大小。开始进行封装晶背研磨。优选地，在后处理中，打磨多余盖玻片时所用砂纸型号为P320，调整至合适大小为接近样品封装大小。配合图1和图2所示，图中显示了采用上述实施例中的封装晶背研磨方法后得到的一种封装晶背研磨结构，其主要包括盖玻片3、滴于盖玻片3上的胶水1，以及完全浸没于胶水1中的样品2，样品2具有形成有集成电路的正面和对应于正面的背面，样品2的背面通过胶水1粘在盖玻片3的上表面上，样品2的正面及四周完全被包裹在胶水1中，由此，可以利用胶水1的包裹在研磨过程中对样品2起到保护作用，有效减少样品在研磨过程中发生碎裂与晶背边角不平整，使得晶背研磨后的样品成像清晰，观察效果好。胶水1优选采用双组份环氧树脂AB胶，采用A剂、B剂以重量比例1:10配置，AB胶钳制力强，避免在研磨过程中样品从盖玻片上掉落，而且，通过先在盖玻片上滴上AB胶，再将样品缓慢放入AB胶中，以及放入样品后对样品进行按压，能够有效减少样品产生倾斜、气泡。进一步地，盖玻片的底部可事先粘在铝箔胶带上，定位盖玻片，随后在盖玻片上进行滴胶水、放入样品、烘烤等操作，对样品进行制备，得到制备好的样品，然后，待样品冷却后，可以很方便地除去铝箔胶带本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装晶背研磨方法，其特征在于，包括以下步骤：/n配置胶水；/n制备样品：取一片盖玻片粘在胶带上，并在所述盖玻片上滴上配置好的所述胶水，取样品缓慢放入所述胶水中，至所述样品完全浸没于所述胶水中，轻压所述样品排出所述样品底部的气泡，静置并观察有无气泡产生，挑破产生的气泡后放置在加热台上烘烤，得到制备好的样品；/n后处理：待所述样品冷却后，除去所述胶带，打磨掉多余的所述盖玻片，调整至合适大小，开始进行封装晶背研磨。/n

【技术特征摘要】
1.一种封装晶背研磨方法，其特征在于，包括以下步骤：
配置胶水；
制备样品：取一片盖玻片粘在胶带上，并在所述盖玻片上滴上配置好的所述胶水，取样品缓慢放入所述胶水中，至所述样品完全浸没于所述胶水中，轻压所述样品排出所述样品底部的气泡，静置并观察有无气泡产生，挑破产生的气泡后放置在加热台上烘烤，得到制备好的样品；
后处理：待所述样品冷却后，除去所述胶带，打磨掉多余的所述盖玻片，调整至合适大小，开始进行封装晶背研磨。


2.如权利要求1所述的封装晶背研磨方法，其特征在于：所述胶水采用双组份环氧树脂AB胶，取A剂、B剂以重量比例1:10混合后，搅拌均匀，静置后得到配置完成的胶水。


3.如权利要求1所述的封装晶背研磨方法，其特征在于：在制备样品的步骤中，样品静置时间为5分钟。


4.如权利要求1所述的封装晶背研磨方法，其特征在于：在制备样品的步骤中，在所述盖玻片上滴上胶水的量为3-5滴。


5.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李延昭，原岩峰，
申请(专利权)人：深圳宜特检测技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44