一种晶片涂层金属氧化薄膜制备方法技术

本发明专利技术设计的一种晶片涂层金属氧化薄膜制备方法，通过干氧氧化的方式在硅衬底上形成一层致密的氧化层；再对形成的氧化层表面进行清洁和处理，为金属镀层做准备；最后在致密的氧化层表面通过蒸镀的方式镀金属氧化薄膜；解决了传统方式在硅衬底上直接做金属薄膜，出现的金属层缺失，脱落等不良情况。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片涂层金属氧化薄膜制备方法
本专利技术属于微电子材料制备
，具体涉及一种晶片涂层金属氧化薄膜制备方法。
技术介绍
在微电子器件中广泛使用着各种薄膜，这些薄膜可以粗略地分为五大类：热氧化薄膜、电介质薄膜、外延薄膜、多晶硅薄膜以及金属薄膜；在微电子器件中用途各异，例如：热氧化薄膜和电介质薄膜主要用于导电层之间的绝缘层，扩散和离子注入的掩模，防止掺杂杂质损失而覆盖在掺杂膜上的覆盖膜或钝化膜；外延薄膜主要用于器件工作区；多晶硅薄膜主要用于MOS器件中的栅级材料，多层金属化的导电材料以及浅结器件的接触材料；金属膜和金属硅化物薄膜主要用于形成低电阻内连、欧姆接触及用来调整金属与半导体之间的势垒。同时，用于制备薄膜的材料种类繁多，例如：硅和砷化镓等半导体材料、金和铝等金属材料二氧化硅、磷硅玻璃、氮化硅、氧化铝等无机绝缘材料、多晶硅和非晶硅等无机半绝缘材料；钼、钨等难熔金属硅化物及重掺杂多晶硅等非金属低阻材料、聚亚酰胺类有机绝缘树脂材料等等；正因为如此，微电子工艺中的薄膜制备方法千差万别，特点各异。薄膜淀积技术一直在飞速进步本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片涂层金属氧化薄膜制备方法，其特征在于：具体步骤如下：/n步骤一：通过氧化的方式在硅衬底上形成一层致密的氧化层；/n步骤二：对形成的氧化层表面进行清洁和处理，为金属镀层做准备；/n步骤三：最后在致密的氧化层表面镀金属氧化薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶片涂层金属氧化薄膜制备方法，其特征在于：具体步骤如下：
步骤一：通过氧化的方式在硅衬底上形成一层致密的氧化层；
步骤二：对形成的氧化层表面进行清洁和处理，为金属镀层做准备；
步骤三：最后在致密的氧化层表面镀金属氧化薄膜。


2.根据权利要求1所述的一种晶片涂层金属氧化薄膜制备方法，其特征在于：步骤一中进行氧化时，在氧化气氛中加入氯气。


3.根据权利要求1所述的一种晶片涂层金属氧化薄膜制备方法，其特征在于：步骤一的氧化方式具体为干氧氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈琳，
申请(专利权)人：苏州美法光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32