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一种晶片涂层金属氧化薄膜制备方法技术
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文档序号:25484080
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本发明设计的一种晶片涂层金属氧化薄膜制备方法,通过干氧氧化的方式在硅衬底上形成一层致密的氧化层;再对形成的氧化层表面进行清洁和处理,为金属镀层做准备;最后在致密的氧化层表面通过蒸镀的方式镀金属氧化薄膜;解决了传统方式在硅衬底上直接做金属薄膜...
该专利属于苏州美法光电科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过苏州美法光电科技有限公司授权不得商用。
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