【技术实现步骤摘要】
一种基于硅衬底上二维β-Ga2O3的制备方法
本专利技术属于半导体材料
，具体涉及一种基于硅衬底上二维β-Ga2O3的制备方法。
技术介绍
近半个世纪以来，以硅材料为基础半导体技术支撑着整个电子行业的发展，但随着行业整体对器件性能要求的提高，传统材料难以满足需求，新兴材料开始崭露头角。自2004年以石墨烯为代表的二维材料发现以来，二维材料以其特殊的电学、光学性能而备受瞩目，广泛应用于电子器件与光电子器件。作为一种新兴的二维材料，二维β-Ga2O3具有许多优异的特性。(1)二维β-Ga2O3具有极宽的带隙，使得其器件具有极大的击穿电压，得益于其极宽的带隙，在深紫外光探测领域潜力巨大。(2)二维β-Ga2O3的载流子迁移率很高，可以用它实现高速的电子器件和光电子器件。第三，相比于传统二维材料，二维β-Ga2O3环境稳定性很高。可见，二维Ga2O3在未来半导体领域扮演着重要的角色。目前二维β-Ga2O3的制备方法有直接从β-Ga2O3晶体上剥离和化学气相淀积方法。机械剥离法虽然简单，但是剥离得到的样品尺寸，厚度均难以...
【技术保护点】
1.一种基于硅衬底上二维β-Ga
【技术特征摘要】
1.一种基于硅衬底上二维β-Ga2O3的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将硒化镓晶体经过剥离得到二维硒化镓后，转移至预处理的硅衬底上，得到硅衬底上的硒化镓薄膜；
S2、将S2得到硅衬底上的硒化镓薄膜，在550℃保温5±0.5h后，冷却至室温，即得基于硅衬底上二维β-Ga2O3薄膜。
2.根据权利要求1所述的基于硅衬底上二维β-Ga2O3的制备方法，其特征在于，所述剥离采用机械剥离法，且剥离次数为3～8次。
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【专利技术属性】
技术研发人员：苏杰，常晶晶，张鹏亮，林珍华，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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