一种不饱和有机硅氮烷的制备方法技术

技术编号:25512267 阅读:34 留言:0更新日期:2020-09-04 17:04
本发明专利技术提供了一种不饱和有机硅氮烷的制备方法,包括:将有机硅化物、有机溶剂、金属卤化物混合,在50~100℃及搅拌条件下滴加酰化试剂,回流3~8h,得到R

【技术实现步骤摘要】
一种不饱和有机硅氮烷的制备方法
本专利技术属于合成有机硅原料制备
,尤其涉及一种不饱和有机硅氮烷的制备方法。
技术介绍
有机硅氮烷R1R2R3SiNHSiR1R2R3是一种特种的有机硅原料。比如Me3SiNHSiMe3、ViMe2SiNHSiMe2Vi等硅氮烷被用于白炭黑的表面处理、硅树脂胶体和乙烯基硅树脂的制备。而然而国内外对R1R2R3SiCl以及机硅氮烷工业化生产工艺的报道较少,只是涉及了Me3SiNHSiMe3和ViMe2SiNHSiMe2Vi,并没有涉及其它种类的硅氮烷的报道。中国专利CN201811222566采用含乙烯基的格利雅试剂与二甲基二氯硅烷反应制备或采用如中国专利CN201310073503二甲基氯硅烷与乙炔气加成而得,这两种方法都存在危险性高,收率低等问题。再如中国专利CN201711250094采用乙烯基烷氧基硅烷和浓硫酸反应乙烯基硅烷硫酸酯,再氨化得到硅乙烯基硅氮烷,因为浓硫酸导致乙烯基被氧化发黄的问题,所以该方法存在收率严重偏低的问题。如中国专利CN201410159449采用乙烯基二甲基乙烯基硅烷在氯乙酰氯和催化剂的作用下生产乙烯基二甲基氯硅烷,氨解大量水洗后得到乙烯基硅氮烷,该方法全部采用有氯乙酰氯与烷氧基反应,其反应转化率不高;以上合成路线采用大量的碱水水洗除去氯化铵,存在大量废水和收率低的问题。因此,目前制备硅氮烷的方法均收率较低。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术的目的在于提供一种不饱和有机硅氮烷的制备方法,该方法简单,且产物收率较高。>本专利技术提供了一种不饱和有机硅氮烷的制备方法,包括以下步骤:将有机硅化物、有机溶剂、金属卤化物混合,在50~100℃及搅拌条件下滴加酰化试剂,回流3~8h,得到R1R2R3SiX;所述X选自Cl、Br或I;所述有机硅化物选自R1R2R3SiOR4或R1R2R3SiOSiR1R2R3;所述R1选自含双键官能团的烷基;所述R2和R3选自含双键官能团的烷基、C1~C4的烃基、或苯基;所述R4选自C1~C4的烃基;将所述R1R2R3SiX通入氨气进行反应,得到不饱和有机硅氮烷R1R2R3SiNHSiR1R2R3。优选地,所述R1选自乙烯基或烯丙基;所述R2和R3选自乙烯基、甲基、乙基、烯丙基或苯基;所述R4选自甲基或乙基。所述金属卤化物选自三氯化铝、氯化铁、氯化锌、氯化铜、溴化铁、溴化铝、溴化镁和碘化铝中的一种或多种;所述酰化试剂选自乙酸酐、邻苯二甲酸酐、己酸酐、甲基琥珀酸酐、乙酰氯、己酰氯和丙酰氯中的一种或多种。优选地,所述金属卤化物的质量占有机硅化物的0.1~150%;所述酰化试剂占有机硅化物质量的0.1~200%。优选地,所述R1R2R3SiX和氨气的质量比为1:1~5:1。优选地,所述通入氨气后进行反应的温度为20~115℃。优选地,所述有机溶剂选自甲苯、环己烷、二甲苯、正庚烷、醋酸甲酯、乙酸乙酯和乙酸丁酯中的一种或多种。优选地,通入氨气进行反应结束后,还包括:将得到的产物离心除去反应产物中的卤铵盐,然后加入有机溶剂,再次离心,除去铵盐包裹的R1R2R3SiNHSiR1R2R3,精馏,得到不饱和有机硅氮烷R1R2R3SiNHSiR1R2R3。优选地,回流3~8h后精馏,得到R1R2R3SiX。本专利技术提供了一种不饱和有机硅氮烷的制备方法,包括以下步骤:将有机硅化物、有机溶剂、金属卤化物混合,在50~100℃及搅拌条件下滴加酰化试剂,回流3~8h,得到R1R2R3SiX;所述X选自Cl、Br或I;所述有机硅化物选自R1R2R3SiOR4或R1R2R3SiOSiR1R2R3;所述R1选自含双键官能团的烷基;所述R2和R3选自含双键官能团的烷基、C1~C4的烃基或苯基;所述R4选自C1~C4的烃基;将所述R1R2R3SiX通入氨气进行反应,得到不饱和有机硅氮烷R1R2R3SiNHSiR1R2R3。本专利技术在酰化试剂作用下,由金属卤化合物提供卤元素制备不饱和有机卤硅烷,然后与氨气反应,得到不饱和有机硅氮烷。该方法简单,条件温和,无污染,产物收率较高。实验结果表明:R1R2R3SiNHSiR1R2R3的收率95~96%。附图说明图1为本专利技术实施例1制备的ViMe2SiNHSiMe2Vi的核磁共振谱图。具体实施方式本专利技术提供了一种不饱和有机硅氮烷的制备方法,包括以下步骤:将有机硅化物、有机溶剂、金属卤化物混合,在50~100℃及搅拌条件下滴加酰化试剂,回流3~8h,得到R1R2R3SiX;所述X选自Cl、Br或I;所述有机硅化物选自R1R2R3SiOR4或R1R2R3SiOSiR1R2R3;所述R1选自含双键官能团的烷基;所述R2和R3选自含双键官能团的烷基、C1~C4的烃基或苯基;所述R4选自C1~C4的烃基;将所述R1R2R3SiX通入氨气进行反应,得到不饱和有机硅氮烷R1R2R3SiNHSiR1R2R3。本专利技术将有机硅化物、有机溶剂、金属卤化物混合,在50~100℃及搅拌条件下滴加酰化试剂,回流3~8h,得到R1R2R3SiX。在本专利技术中,所述有机硅化物选自R1R2R3SiOR4或R1R2R3SiOSiR1R2R3;所述R1选自乙烯基(Vi)或烯丙基(CH2CHCH2-);所述R2和R3选自乙烯基、甲基(Me)、乙基(Et)、烯丙基或苯基(Ph);所述R4选自甲基或乙基。所述R1R2R3SiOR4为不饱和烷氧基硅烷,OR4为甲氧基(OMe)或乙氧基(OEt);所述R1R2R3SiOR4优选选自ViMe2SiOMe、ViMe2SiOEt、ViMePhSiOMe、ViMePhSiOEt、Vi2MeSiOMe、Vi2MeSiOEt、ViPh2SiOMe、Vi2PhSiOEt、Vi3SiOMe、Vi3SiOEt、CH2CHCH2Me2SiOMe、CH2CHCH2Me2SiOEt、CH2CHCH2MePhSiOMe、CH2CHCH2MePhSiOEt、CH2CHCH2MeSiOMe、CH2CHCH2MeSiOEt、CH2CHCH2Ph2SiOMe、(CH2CHCH2)PhSiOEt、(CH2CHCH2)3SiOMe或(CH2CHCH2)3SiOEt。在本专利技术中,所述R1R2R3SiOSiR1R2R3优选选自ViMe2SiOSiMe2Vi、ViMePhSiOSiMePhVi、ViPh2SiOSiPh2PhVi、CH2CHCH2Me2SiOSiMe2CH2CH-CH2、CH2CHCH2MePhSiOSiMePhCH2CHCH2、CH2CHCH2Ph2SiOSiPh2PhCH2CHCH2、Vi2MeSiOSiMeVi2、Vi2PhSiOSiPhVi2、Vi2CH3CH2SiOSiCH2H3Vi2、(CH2CHCH2)2PhSiOSiPh(CH2CHCH2)2、(CH2CHCH2)2CH2CH3SiOSiCH2CH3-(CH2CHCH2)2、Vi3SiOSiVi3或(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种不饱和有机硅氮烷的制备方法,包括以下步骤:/n将有机硅化物、有机溶剂、金属卤化物混合,在50~100℃及搅拌条件下滴加酰化试剂,回流3~8h,得到R

【技术特征摘要】
1.一种不饱和有机硅氮烷的制备方法,包括以下步骤:
将有机硅化物、有机溶剂、金属卤化物混合,在50~100℃及搅拌条件下滴加酰化试剂,回流3~8h,得到R1R2R3SiX;所述X选自Cl、Br或I;
所述有机硅化物选自R1R2R3SiOR4或R1R2R3SiOSiR1R2R3;所述R1选自含双键官能团的烷基;所述R2和R3选自C1~C4的烃基、含双键官能团的烷基或苯基;所述R4选自C1~C4的烃基;
将所述R1R2R3SiX通入氨气进行反应,得到不饱和有机硅氮烷R1R2R3SiNHSiR1R2R3。


2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述R1选自乙烯基或烯丙基;所述R2和R3选自乙烯基、甲基、乙基、烯丙基或苯基;所述R4选自甲基或乙基。


3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金属卤化物选自三氯化铝、氯化铁、氯化锌、氯化铜、溴化铁、溴化铝、溴化镁和碘化铝中的一种或多种;
所述酰化试剂选自乙酸酐、邻苯二甲酸酐、己酸酐、甲基琥珀酸酐、乙酰氯、己酰氯和丙酰氯中的一种或多种。...

【专利技术属性】
技术研发人员:李亮
申请(专利权)人:无锡晶睿光电新材料有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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