【技术实现步骤摘要】
一种提高曝光分辨率的版图结构及制作方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种提高曝光分辨率的版图结构及制作方法。
技术介绍
传统的版图中，有些图形只能通过OPC修正后调整版图自身的尺寸来调整关键尺寸，进而提升工艺窗口，如图1所示，02为原始版图的图形；01为OPC修正后的目标层；原始版图的图形02在其交界处的分段03的线宽尺寸经过修正后较两边的宽度窄，该分段图形处于空旷环境，曝光后分辨率较低。如果通过手动调整其宽度，必然会导致该分段03与其上方相邻图形的距离不符合设计规则的要求，或者与其下方相邻图形的距离不符合设计规则的要求，因此对于此类型的原始版图的图形02的结构，其上方相邻的图形位于该图形的一边(左侧)，其下方相邻的图形位于该图形的另一边(右侧)，而位于该图形中部的连接处经过OPC修正后无法通过手动调整来避免后续曝光后断线的风险。因此，需要提出一种新的结构来提高曝光分辨率，进而避免由于图形处于空旷环境下，曝光后分辨率不足导致断线的风险。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利...
【技术保护点】
1.一种提高曝光分辨率的版图结构，其特征在于，至少包括：/n原始版图；所述原始版图至少包括位于同一图层、形状为条形结构且自上而下依次平行分布的第一至第三图形；所述第一图形位于所述第二图形的左上方，所述第三图形位于所述第二图形的右下方；所述第二图形中非端部的一部分定义为第二分段图形；/n所述第一图形右边端部图形定义为第一分段图形；所述第三图形左边端部定义为第三分段图形；所述第二分段图形向上完全投影于所述第一分段图形并且向下完全投影于所述第三分段图形；并且所述第一分段图形与所述第三分段图形的长度均大于所述第二分段图形的长度。/n
【技术特征摘要】
1.一种提高曝光分辨率的版图结构，其特征在于，至少包括：
原始版图；所述原始版图至少包括位于同一图层、形状为条形结构且自上而下依次平行分布的第一至第三图形；所述第一图形位于所述第二图形的左上方，所述第三图形位于所述第二图形的右下方；所述第二图形中非端部的一部分定义为第二分段图形；
所述第一图形右边端部图形定义为第一分段图形；所述第三图形左边端部定义为第三分段图形；所述第二分段图形向上完全投影于所述第一分段图形并且向下完全投影于所述第三分段图形；并且所述第一分段图形与所述第三分段图形的长度均大于所述第二分段图形的长度。
2.根据权利要求1所述的提高曝光分辨率的版图结构，其特征在于：所述第一至第三图形的宽度相等。
3.根据权利要求2所述的提高曝光分辨率的版图结构，其特征在于：所述第二图形与所述第一图形的间距等于所述第二图形与所述第三图形的间距。
4.根据权利要求3所述的提高曝光分辨率的版图结构，其特征在于：所述第二图形中定义为第二分段图形的部分位于所述第二图形的中间部分。
5.根据权利要求1所述的提高曝光分辨率的版图结构，其特征在于：所述第一图形和第三图形的长度相等。
6.根据权利要求1所述的提高曝光分辨率的版图结构，其特征在于：所述第一分段图形相对于所述第二分段图形，从左至右延伸，所述第一分段图形的左端部起始于所述第二分段图形的左端部，所述第一分段图形的右端部终止于所述第二分段图形右端部的右上方。
7.根据权利要求1所述的提高曝光分辨率的版图结构，其特征在于：所述第三分段图形相对于所述第二分段图形，从右至左延伸，所述第三分段图形的右端部起始于所述第二分段图形的右端部，所述第三分段图形的左端部终止于所述第二分段图形左端部的左下方。
8.根据权利要求1所述的提高曝光分辨率的版图结构，其特征在于：所述第一分段图形与所述第三分段图形的长度相等。
9.根据权利要求1所述的提高曝光分辨率的版图结构，其特征在于：所述第一分段图形与所述第三分段图形的长度均大于或等于120nm。
10.根据权利要求1所述的提高曝光分辨率的版图结构，其特征在于：所述第一分段图形与所述第三分段图形的长度均等于120nm。
11.根据权利要求1所述的提高曝光分辨率的版图结构，其特征在于：所述第一分段图形右边的所述第二图形上方为空旷环境。
12.根据权利要求1所述的提高曝光分辨率的版图结构，其特征在于：所述第三分段图...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈宪宏，曾鼎程，胡展源，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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