一种包含变压器耦合除三分频的宽带注入锁定除四分频器制造技术

技术编号:25334431 阅读:38 留言:0更新日期:2020-08-18 23:15
本实用新型专利技术公开了一种包含变压器耦合除三分频的宽带注入锁定除四分频器,包括第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第五电感、第六电感、电源VDD、第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一偏置电压和第二偏置电压等;所述第一电感和第二电感的正端均接电源VDD,第一电阻的两端分别接到第一电感和第二电感的负端;第一电容连接第一电感的负端,第一电容另一端接地;第二电容连接第一电感的负端,第二电容另一端接地等。本实用新型专利技术增加了信号注入效率,从而实现宽带除四分频,减小输出端信号三次谐波强度。

【技术实现步骤摘要】
一种包含变压器耦合除三分频的宽带注入锁定除四分频器
本技术涉及电子通信技术的毫米波前端电路领域,提供一种包含变压器耦合除三技术的宽带注入锁定除四分频器。
技术介绍
近年来,许多业界及学术界研究机构将研究热点转向第五代(5G)通信,毫米波前端电路是5G通信系统中重要的一环,其中一个关键是锁相环中紧随压控振荡器的第一级分频器——注入锁定分频器的研究。该分频器工作在锁相环模块中的最高频率,需要跟踪振荡器的频率并对其进行分频,注入锁定分频器最重要的性能指标是输入信号带宽。目前已有的方案中,[WuL,LuongHC.Analysisanddesignofa0.6V2.2mW58.5-to-72.9GHzdivide-by-4injection-lockedfrequencydividerwithharmonicboosting[J].IEEETransactionsonCircuitsandSystemsI:RegularPapers,2013,60(8):2001-2008.]中提出了一种三次谐波增强型除四分频器,其输入频率范围是58.5-72.9GHz,相对带宽是21.3%;[JangSL,FuCC.Widelockingrangedivide-by-4LC-tankinjection-lockedfrequencydividerusingseries-mixers[J].AnalogIntegratedCircuitsandSignalProcessing,2014,78(2):523-528.]中发表了利用串联混频器的除四分频器,输入频率范围是9.9-12.5GHz,相对带宽是23.2%;[GarghettiA,LacaitaAL,LevantinoS.ASingle-InductorTwo-Step-MixingInjection-LockedFrequencyDividerbyFourwithConcurrentTail-Injection[C]//201825thIEEEInternationalConferenceonElectronics,CircuitsandSystems(ICECS).IEEE,2018:349-352.]中提出了一种尾部并行注入的二步混频除四分频器,其中心频率为20GHz,相对带宽为22.2%。该类分频器适用于毫米波通信前端电路。上述分频器的分频带宽都不够大,相对带宽均不超过25%。其中输出端口包含有较强的三次谐波,功耗太大,不适用于终端设备内的电路。
技术实现思路
本技术的目的在于解决增大输入信号带宽,减小电路输出端的三次谐波,以便后续滤波。本技术至少通过如下技术方案之一实现。一种包含变压器耦合除三分频的宽带注入锁定除四分频器,包括第一电感L1+、第二电感L1-、第三电感L2+、第四电感L2-、第五电感L3+、第六电感L3-、电源VDD、第一电阻Rp、第二电阻R1、第一电容C1+、第二电容C1-、第三电容C2+、第四电容C2-、第五电容Cin、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5、第六NMOS管M6、第七NMOS管M7、第一偏置电压VB1和第二偏置电压VB2;所述第一电感L1+和第二电感L1-的正端均接电源VDD,第一电阻Rp的两端分别接到第一电感L1+和第二电感L1-的负端;第一电容C1+连接第一电感L1+的负端,第一电容C1+另一端接地;第二电容C1-连接第二电感L1-的负端,第二电容C1-另一端接地;第三电感L2+和第四电感L2-的正端分别接第一电感L1+和第二电感L1-的负端;第三电容C2+连接第三电感L2+的负端,第三电容C2+另一端接地;第四电容C2-连接第四电感L2-的负端,第四电容C2-的另一端接地;第五电感L3+和第六电感L3-的正端分别连接第四NMOS管M4和第五NMOS管M5的栅极,第五电感L3+和第六电感L3-的负端均与第二偏置电压VB2相连;第四NMOS管M4的源极连接第五NMOS管M5的源极,第四NMOS管M4的漏极连接第三电感L2+的负端,第五NMOS管M5的漏极连接第四电感L2-的负端;第三NMOS管M3的源极和漏极分别连接第四NMOS管M4和第五NMOS管M5的漏极;第二电阻R1一端连接第一偏置电压VB1,第二电阻R1另一端连接M3的栅极;第五电容Cin一端连接第三NMOS管M3的栅极,第五电容Cin另一端连接输入信号IN;第一NMOS管M1和第二NMOS管M2的源极接地,第一NMOS管M1的栅极连接第二NMOS管M2的漏极,第一NMOS管M1的漏极连接第三NMOS管M3的漏极,第二NMOS管M2的栅极连接第一NMOS管M1的漏极,第二NMOS管M2的漏极连接第三NMOS管M3的源极;第六NMOS管M6的栅极连接第四NMOS管M4的漏极,第六NMOS管M6的源极接地,第六NMOS管M6的漏极开漏输出;第七NMOS管M7的栅极连接第五NMOS管M5的漏极,第七NMOS管M7的源极接地,第七NMOS管M7的漏极开漏输出。进一步的,所述第三电感L2+和第四电感L2-的正端分别与第五电感L3+和第六电感L3-的正端耦合,耦合系数均为k。进一步的,第三电感L2+的正端和第五电感L3+的正端耦合,构成第一变压器T1;第四电感L2-的正端和第六电感L3-的正端耦合,构成第二变压器T2;第一变压器T1和第二变压器T2的耦合系数均为k。进一步的,第一电感L1+、第二电感L1-、第一电容C1+、第二电容C1-、第二电阻Rp、第一变压器T1和第二变压器T2构成谐振器。进一步的,所述谐振器阻抗有两个峰值,对应中心频率分别为ω和3ω,3ω频率处对应的阻抗幅值要小于ω频率处对应的阻抗幅值,以保证振荡器振荡频率为ω。进一步的,所述振荡器主要由谐振器、第一NMOS管M1和第二NMOS管M2组成。进一步的,输入信号IN的频率为ωin(ωin=4ω),通过电容Cin交流耦合注入到第三NMOS管M3的栅极,第三NMOS管M3的工作原理如Drain-Pumpedmixer(漏极混频器),输入信号IN与振荡器输出端信号混频,频率变化过程为ωin-3ω=ω和ωin-ω=3ω,但振荡器振荡频率为ω,因此电路实现四分频,同时输出端信号包含有三次谐波。进一步的,第四NMOS管M4和第五NMOS管M5为差分浮动源极注入管,电路在工作过程中,振荡器正负输出端频率为ω的共模点即CM点,CM点信号包含2ω频率;进一步的,振荡器的差分输出端的三次谐波被第一变压器T1和第二变压器T2耦合到第四NMOS管M4和第五NMOS管M5的栅极;第四NMOS管M4和第五NMOS管M5栅极的3ω频率成分信号与CM点的2ω频率成分信号相混频,频率变化过程为3ω-2ω=ω和3ω+2ω=5ω;发生混频后,得到包含有ω和5ω频率的信号输出,但振荡器振荡在频率ω,因此5ω频率成分被谐振器滤除,实现了三分频。四分频和三分频是同时发生的,两种分频得本文档来自技高网
...

【技术保护点】
1.一种包含变压器耦合除三分频的宽带注入锁定除四分频器,其特征在于,包括第一电感L

【技术特征摘要】
1.一种包含变压器耦合除三分频的宽带注入锁定除四分频器,其特征在于,包括第一电感L1+、第二电感L1-、第三电感L2+、第四电感L2-、第五电感L3+、第六电感L3-、电源VDD、第一电阻Rp、第二电阻R1、第一电容C1+、第二电容C1-、第三电容C2+、第四电容C2-、第五电容Cin、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5、第六NMOS管M6、第七NMOS管M7、第一偏置电压VB1和第二偏置电压VB2;
所述第一电感L1+和第二电感L1-的正端均接电源VDD,第一电阻Rp的两端分别接到第一电感L1+和第二电感L1-的负端;第一电容C1+连接第一电感L1+的负端,第一电容C1+另一端接地;第二电容C1-连接第二电感L1-的负端,第二电容C1-另一端接地;第三电感L2+和第四电感L2-的正端分别接第一电感L1+和第二电感L1-的负端;第三电容C2+连接第三电感L2+的负端,第三电容C2+另一端接地;第四电容C2-连接第四电感L2-的负端,第四电容C2-的另一端接地;
第五电感L3+和第六电感L3-的正端分别连接第四NMOS管M4和第五NMOS管M5的栅极,第五电感L3+和第六电感L3-的负端均与第二偏置电压VB2相连;第四NMOS管M4的源极连接第五NMOS管M5的源极,第四NMOS管M4的漏极连接第三电感L2+的负端,第五NMOS管M5的漏极连接第四电感L2-的负端;第三NMOS管M3的源极和漏极分别连接第四NMOS管M4和第五NMOS管M5的漏极;
第二电阻R1一端连接第一偏置电压VB1,第二电阻R1另一端连接M3的栅极;第五电容Cin一端连接第三NMOS管M3的栅极,第五电容Cin另一端连接输入信号IN;第一NMOS管M1和第二NMOS管M2的源极接地,第一NMOS管M1的栅极连接第二NMOS管M2的漏极,第一NMOS管M1的漏极连接第三NMOS管M3的漏极,第二NMOS管M2的栅极连接第一NMOS管M1的漏极,第二NMOS管M2的漏极连接第三NMOS管M3的源极;
第六NMOS管M6的栅极连接第四NMOS管M4的漏极,第六NMOS管M6的源极接地,第六NMOS管M6的漏极开漏输出;第七NMOS管M7的栅极连接第五NMOS管M5的漏极,第七NMOS管M7的源极接地,第七NMOS管M7的漏极开漏输出。


2.根据权利要求1所述的一种包含变压器耦合除三分频的宽带注入锁定除四分频器,其特征在于,所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:薛泉宛操
申请(专利权)人:华南理工大学
类型:新型
国别省市:广东;44

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1