一种超薄硅片多点接触的顶片装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种超薄硅片多点接触的顶片装置，包括底座(2)和四个顶片(1)，所述四个顶片(1)位于底座(2)的上表面上，每个所述顶片(1)的顶部倒有圆角，四个所述顶片(1)两两对称平行设置在底座(2)的上表面上。本实用新型专利技术增加了顶片装置和硅片的接触点，由原来的单点接触变为四个点接触，顶片的顶部倒有圆角，该机构对硅片损伤小、结构更加合理，不易碎片，整个工作过程相对比较稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种超薄硅片多点接触的顶片装置
本技术属于硅片承载领域，具体涉及一种超薄硅片多点接触的顶片装置。
技术介绍
现有技术中，顶片装置都是一种三角形的装置，利用三角形一个顶点去顶硅片，在硅片上升的过程中所有的力量全部集中在这一点，由于硅片很薄，变形量大，易碎，单点接触在顶点过程中很容易使硅片缺角或有暗纹，甚至直接碎片，造成成品率很低。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种硅片专用花篮装置以解决硅片与花篮面接触不易干燥和容易留有水痕的问题。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案如下：一种超薄硅片多点接触的顶片装置，包括底座和多个顶片，所述多个顶片位于底座的上表面上，每个所述顶片的顶部倒有圆角。进一步地，所述顶片的数量为四个。进一步地，四个所述顶片两两对称设置在底座的上表面上。进一步地，四个所述顶片平行设置。进一步地，每个所述顶片的顶部倒有0.3mm的圆角。进一步地，所述底座和多个顶片的材料为PTFE。进一步地，所述底座的上表面上开设有多个疏水孔。本技术与现有技术相比，其显著优点在于：本技术增加了顶片装置和硅片的接触点，由原来的单点接触变为四个点接触，顶片的顶部倒有圆角，该机构对硅片损伤小、结构更加合理，不易碎片，整个工作过程相对比较稳定。附图说明图1是本技术超薄硅片多点接触的顶片装置的结构示意图。图2是硅片放置于超薄硅片多点接触的顶片装置上的状态示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。以下结合具体实施例对本技术的实现进行详细的描述。结合图1-2，一种超薄硅片多点接触的顶片装置，包括底座2和多个顶片1，底座2与机械手连接，所述多个顶片1位于底座2的上表面上，每个所述顶片1的顶部倒有圆角。优选地，所述顶片1的数量为四个。优选地，四个所述顶片1两两对称设置在底座2的上表面上。优选地，四个所述顶片1平行设置。优选地，每个所述顶片1的顶部倒有0.3mm的圆角，改变了原来尖角的设计。优选地，所述底座2和多个顶片1的材料为PTFE，疏水性好。优选地，所述底座2的上表面上开设有多个疏水孔3，顶片装置从水下顶出水面的时候，多余的水可以从疏水孔3排走，保证顶片装置出水面后自身不带水或只有微量的水。本技术四个顶片1顶部倒有圆角，可使得硅片4放置于顶片1上时，四个接触点与硅片4在同一个圆心上，即圆角与硅片4的外轮廓弧面相配合，四个点在与硅片接触的时候能把力量均匀的分散在四个点上，提高了硅片的接触面积和支撑强度，硅片在向上运动的过程中更加稳定，圆角对硅片的损伤也小，结合图2，从侧面可以看出硅,4正好落在顶片的四个点上。由于原来在顶片的过程中只有一个点和硅片接触，对厚度在200um以上的硅片影响不是很大。200um以下的薄片，由于本身太薄，变形比较厉害，自身很容易碎，所以单点顶片稳定性就会差，容易导致碎片。本装置正好可以解决单点顶片的缺陷。以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超薄硅片多点接触的顶片装置，其特征在于，包括底座(2)和多个顶片(1)，所述多个顶片(1)位于底座(2)的上表面上，每个所述顶片(1)的顶部倒有圆角。/n

【技术特征摘要】
1.一种超薄硅片多点接触的顶片装置，其特征在于，包括底座(2)和多个顶片(1)，所述多个顶片(1)位于底座(2)的上表面上，每个所述顶片(1)的顶部倒有圆角。


2.根据权利要求1所述的超薄硅片多点接触的顶片装置，其特征在于，所述顶片(1)的数量为四个。


3.根据权利要求2所述的超薄硅片多点接触的顶片装置，其特征在于，四个所述顶片(1)两两对称设置在底座(2)的上表面上。


4.根据权利要求2所述的超薄硅片多点接触的顶...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨志勇，田飞，景豪杰，
申请(专利权)人：扬州思普尔科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32