一种缺陷检测方法技术

本发明专利技术提供一种缺陷检测方法，提供待检测图形的信息文件以及待检测图形的参考图形；根据待检测图形的信息文件搜索该待检测图形的图像；将参考图形生成特征轮廓图；将参考图形的特征轮廓图与所述待检测图形的影像进行匹配对比并重叠显示，抓取图形差异，本发明专利技术将参考图形生成特征轮廓图，并且将待检测图形与特征轮廓图重叠显示，基于缺陷扫描电镜机台可以准确捕获缺陷微小差异特征参数，提高缺陷影像检测的可读性、高效性，为缺陷检测高效性、准确性提供保障。

【技术实现步骤摘要】
一种缺陷检测方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种缺陷检测方法。
技术介绍
在半导体芯片制造工艺中，缺陷检测扫描电镜在分析缺陷、减少缺陷，提升良率的过程中发挥着重要的作用。随着集成电路工艺的发展，关键尺寸日益变小，影响芯片良率的缺陷特征尺寸也越来越小。在实际生产过程中，缺陷检测扫描电镜在检测到图形微小变化或图形对准偏移等情况时，依靠人工从缺陷图像上难以准确分辨缺陷状况。如图1a至图1c，其中图1a显示为缺陷图形图像；图1b显示为图1a中缺陷图形的参考图形图像；图1c显示为图1a和图1b对比后被虚线框出来的缺陷位置图像；由此可见，缺陷图形与参考图形二者差别及其微小，很难被肉眼识别；又例如图2a至图2b，其中图2a显示为另一种缺陷图形示意图；图2b显示为图2a中缺陷图形的参考图形示意图，由此可见，缺陷图形的整体图案较参考图形略小，而这些微小差异都很难被肉眼所识别。因此，使用缺陷扫描电镜准确检测出缺陷，进一步推进缺陷成因的分析排查工作，提高晶圆品质，将变得至关重要。因此，需要提出一种新的缺陷检测方法来解决上述问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种缺陷检测方法，用于解决现有技术中由于缺陷检测扫描电镜在检测到图形微小变化或图形对准偏移等情况下，难以准确分辨缺陷状况的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种缺陷检测方法，该方法至少包括以下步骤：步骤一、提供待检测图形的信息文件以及所述待检测图形的参考图形；步骤二、根据所述待检测图形的信息文件搜索该待检测图形的图像；步骤三、将所述参考图形生成特征轮廓图；步骤四、将所述参考图形的特征轮廓图与所述待检测图形的影像进行匹配对比并重叠显示，抓取图形差异。优选地，步骤一中的待检测图形的信息文件中包含该待检测图形的位置信息和图像信息。优选地，步骤一中的所述待检测图形的参考图形为所述待检测图形在同一片晶圆内其他多个单位芯片内的相同相对坐标的图形，或多个相同制程的其他晶圆单元芯片相同坐标的图形。优选地，步骤一中的所述参考图形为将所述待检测图形在同一片晶圆内其他多个单位芯片内的相同相对坐标的图形，或多个相同制程的其他晶圆单元芯片相同坐标的图形经图形分析软件生成的一个样本图形。优选地，步骤一中的所述参考图形为所述待检测图形的原始GDS文件或其他包含待检测图形结构、坐标信息的文件中的图形。优选地，步骤二中根据所述待检测图形的位置信息搜索待检测图形的图像。优选地，步骤三中将所述参考图形生成的特征轮廓图为二维特征轮廓图。优选地，步骤三中将所述参考图形生成的特征轮廓图为三维特征轮廓图。优选地，步骤四中抓取所述图形差异的方法为：系统设置差异的区间值，若所述特征轮廓图与所述待检测图形经图形分析软件对比后的差异值在所述区间值内，则系统不会报错；若差异值不在所述区间值内，系统会报错并将对比后二者的差异进行标识。如上所述，本专利技术的缺陷检测方法，具有以下有益效果：本专利技术将参考图形生成特征轮廓图，并且将待检测图形与特征轮廓图重叠显示，基于缺陷扫描电镜机台可以准确捕获缺陷微小差异特征参数，提高缺陷影像检测的可读性、高效性，为缺陷检测高效性、准确性提供保障。附图说明图1a显示为现有技术中缺陷图形图像；图1b显示为图1a中缺陷图形的参考图形图像；图1c显示为图1a和图1b对比后的缺陷位置图像；图2a显示为现有技术中另一种缺陷图形示意图；图2b显示为图2a中缺陷图形的参考图形示意图；图3a显示为本专利技术的参考图形的图像；图3b显示为图3a的中参考图形的特征轮廓图；图3c显示为将特征轮廓图与待检测缺陷图形重叠显示后抓取的缺陷位置图；图4a显示为本专利技术参考图形为GDS文件中的图形示意图；图4b显示为本专利技术中GDS文件中图形的二维特征轮廓图；图4c显示为将特征轮廓图与待检测缺陷图重叠显示后的图形示意图；图4d显示为特征轮廓图与待检测缺陷图的差异标识；图5显示为本专利技术的缺陷检测方法流程图。具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图3a至图5。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。实施例一本专利技术提供一种缺陷检测方法，如图5所示，图5显示为本专利技术的缺陷检测方法的流程图，该方法在本实施例中包括以下步骤：本实施例的缺陷检测方法适用于日常缺陷监控过程中，根据缺陷扫描位置信息文件给出的坐标进行缺陷图像抓取。步骤一、提供待检测图形的信息文件以及所述待检测图形的参考图形；本专利技术进一步地，步骤一中的待检测图形的信息文件中包含该待检测图形的位置信息和图像信息。再进一步地，本实施例中，步骤一中的所述待检测图形的参考图形为所述待检测图形在同一片晶圆内其他多个单位芯片内的相同相对坐标的图形，或多个相同制程的其他晶圆单元芯片相同坐标的图形。更进一步地，步骤一中的所述参考图形为将所述待检测图形在同一片晶圆内其他多个单位芯片内的相同相对坐标的图形，或多个相同制程的其他晶圆单元芯片相同坐标的图形经图形分析软件生成的一个样本图形如图3a所示，图3a显示为本专利技术的参考图形的图像。步骤二、根据所述待检测图形的信息文件搜索该待检测图形的图像；进一步地，步骤二中根据所述待检测图形的位置信息搜索待检测图形的图像。再进一步地，步骤二中根据所述待检测图形的坐标信息搜索待检测图形的图像。步骤三、将所述参考图形生成特征轮廓图；步骤三中将所述参考图形生成的特征轮廓图为二维特征轮廓图。本实施例中，通过所述缺陷图形的位置信息文件搜索周边单位芯片内参考图形的影像，在缺陷扫描机台端引入图形分析软件，将多个参考图形影像经过计算处理拟合生成二维特征轮廓图，进一步地，步骤三中将所述参考图形生成的特征轮廓图为将所述待检测图形周围上下左右四个图形经图形分析软件生成的一个特征轮廓图。亦即本实施例中将所述待检测图形周围上下左右四个图形经图形经过计算处理拟合生成一个二维特征轮廓图。在其他实施例中，步骤三中将所述参考图形生成的特征轮廓图也可以为三维特征轮廓图。亦即将所述待检测图形周围上下左右四个图形经图形经过计算处理拟合生成一个三维特征轮廓图。如图3b所示，图3b显示为图3a的中参考图形的特征轮廓图。步骤四、将所述参考图形的特征轮廓图与所述待检测图形的影像进行匹配对比并重叠显示，抓取图形差异。进一步地，步骤四中抓取所述图形差异的方法为：系统设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种缺陷检测方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：/n步骤一、提供待检测图形的信息文件以及所述待检测图形的参考图形；/n步骤二、根据所述待检测图形的信息文件搜索该待检测图形的图像；/n步骤三、将所述参考图形生成特征轮廓图；/n步骤四、将所述参考图形的特征轮廓图与所述待检测图形的影像进行匹配对比并重叠显示，抓取图形差异。/n

【技术特征摘要】
1.一种缺陷检测方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供待检测图形的信息文件以及所述待检测图形的参考图形；
步骤二、根据所述待检测图形的信息文件搜索该待检测图形的图像；
步骤三、将所述参考图形生成特征轮廓图；
步骤四、将所述参考图形的特征轮廓图与所述待检测图形的影像进行匹配对比并重叠显示，抓取图形差异。


2.根据权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于：步骤一中的待检测图形的信息文件中包含该待检测图形的位置信息和图像信息。


3.根据权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于：步骤一中的所述待检测图形的参考图形为所述待检测图形在同一片晶圆内其他多个单位芯片内的相同相对坐标的图形，或多个相同制程的其他晶圆单元芯片相同坐标的图形。


4.根据权利要求3所述的缺陷检测方法，其特征在于：步骤一中的所述参考图形为将所述待检测图形在同一片晶圆内其他多个单位芯片内的相同相对坐标的图形，或多个相同制程的其他晶圆单元芯片相同坐标的图形经图形分析软件生成的一个样本图形。

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【专利技术属性】
技术研发人员：瞿燕，王恺，郭浩，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31