【技术实现步骤摘要】
一种缓存和舟共用的进出料结构
本技术涉及进/出下料
,尤其涉及用于一种半导体材料或光伏材料加工的缓存和舟共用进出料结构。
技术介绍
半导体或光伏材料广泛应用于电子、新能源等行业,半导体和光伏材料通常都需要经过加工处理才能够应用到产品上,CVD技术、扩散工艺或氧化工艺是其中的一种处理方式,其中CVD即化学气相沉积,CVD技术目前已经广泛用于半导体或光伏材料加工,常见的加工设备有PECVD、LPCVD、APCVD等,除了CVD之外还有扩散工艺包括磷扩散、硼扩散等,目前行业内已有不少相关的设备,适用于不同的加工需求,其中,缓存装置是一种常用来暂时存放材料的设备,舟是一种装载加工的、加工中的或者加工后的材料的设备,缓存装置和舟中经常需要进行材料的进出料,由于半导体和光伏材料易损坏,因此如何平稳的、高效的完成舟与缓存装置之间的进出料是一个需要解决的技术问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种缓存和舟共用的进出料结构,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的一种缓存和舟共用的进出料结构,包括 ...
【技术保护点】
1.一种缓存和舟共用的进出料结构,其特征在于,包括调整单元和升降单元,调整单元包括至少两个运转齿装置。/n
【技术特征摘要】
1.一种缓存和舟共用的进出料结构,其特征在于,包括调整单元和升降单元,调整单元包括至少两个运转齿装置。
2.根据权利要求1所述的一种缓存和舟共用的进出料结构,其特征在于,运转齿装置包括底部移动装置,底部移动装置上设有支撑柱,支撑柱上设有支撑,支撑上设有顶齿,顶齿能支撑片状原料。
3.根据权利要求2所述的一种缓存和舟共用的进出料结构,其特征在于,片状原料为半导体材料或光伏材料。
4.根据权利要求1所述的一种缓存和舟共用的进出料结构,其特征在于,调整单元设于升降单元上,升降单元用于控制调整单元里所有运转齿装置的高度。
5.根据权利要求1或2所述的一种缓存和舟共用的进出料结构,其特征在于,底部移动装置选用直线导轨,升降单元选用电机丝杠滑块机构。
6.根据权利要求2所述的一种缓存和舟共用的进出料结构,其特征在于,运转齿装置内的底部移动装置能够控制对应的顶齿进行水平面内的移动。
7.根据权利要求2所述的一种缓存和舟共用的进出料结构,其特征在于,相邻运转齿装置上的对应顶齿能够拼接在一起。
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【专利技术属性】
技术研发人员:刘群,庞爱锁,林佳继,朱太荣,林依婷,
申请(专利权)人:深圳市拉普拉斯能源技术有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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