在半导体制程中使用牺牲固体制造技术

在实例中，一种方法可包含：在第一制程工具处用牺牲材料来封闭结构中的开口；在所述开口被封闭时将所述结构从所述第一制程工具移动到第二制程工具；及在所述第二制程工具处移除所述牺牲材料。所述结构可用于半导体装置(例如存储器装置)中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在半导体制程中使用牺牲固体
本专利技术大体上涉及半导体制程，且更特定来说，涉及在半导体制程中使用牺牲固体。
技术介绍
半导体制程(例如制造)可用于形成半导体装置(例如集成电路、存储器装置、微机电装置(MEMS)等)。可由半导体制程形成的存储器装置的实例包含(但不限于)易失性存储器(例如需要电力以保存其数据的易失性存储器)(例如随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及其它)及非易失性存储器(例如可通过在不供电时保存存储数据而提供持久数据之非易失性存储器)(例如NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)及其它)。半导体制程可涉及在可称为晶片或衬底的半导体(例如硅)上及/或中形成特征(例如图案)。在一些实例中，可在半导体上形成一或多种材料(例如硅基材料(例如氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)、硅酸四乙酯(TEOS)及/或多晶硅)。例如，沉积工艺(例如物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成半导体装置的方法，其包括：/n在第一制程工具处用牺牲材料来封闭结构中的开口；/n在所述开口被封闭时将所述结构从所述第一制程工具移动到第二制程工具；及/n在所述第二制程工具处移除所述牺牲材料。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171219 US 15/847,5121.一种形成半导体装置的方法，其包括：
在第一制程工具处用牺牲材料来封闭结构中的开口；
在所述开口被封闭时将所述结构从所述第一制程工具移动到第二制程工具；及
在所述第二制程工具处移除所述牺牲材料。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料用于防止所述开口的任一侧上的特征倾倒。


3.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体装置是存储器装置。


4.根据权利要求1所述的方法，其中结构包括半导体上的硅基材料。


5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中用所述牺牲材料来封闭所述开口包括：用所述牺牲材料过度填充所述开口。


6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中所述牺牲材料通过部分填充所述开口而封闭所述开口。


7.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中移除所述牺牲材料包括：移除所述牺牲材料作为湿式清洁工艺的部分。


8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括基于所述湿式清洁工艺的化学法来选择所述牺牲材料。


9.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中用所述牺牲材料来封闭所述结构中的所述开口包括：以液体形式施加所述牺牲材料且允许其固化。


10.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中移除所述牺牲材料包括升华所述牺牲材料。


11.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其进一步包括使所述结构暴露于大气，同时将所述结构从所述第一制程工具移动到所述第二制程工具。


12.一种形成半导体装置的方法，其包括：
使用干式移除工具在结构中形成多个特征；
在所述干式移除工具处用牺牲材料来封闭所述特征之间的开口；
将所述结构移动到湿式清洁工具；及
使用所述湿式清...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·S·托鲁姆，G·S·桑胡，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US