间隙填充方法、闪存的制作方法及半导体结构技术

本发明专利技术提供了一种间隙填充方法、闪存的制作方法以及半导体结构。所述间隙填充方法包括：首先提供形成有多个功能单元的半导体基底，相邻功能单元之间形成有第一间隙，接着在半导体基底上依次形成覆盖在第一间隙内表面的刻蚀阻挡层和侧墙材料层，然后沿半导体基底表面的垂向刻蚀侧墙材料层，形成的第三间隙的侧壁被剩余的侧墙材料层覆盖，再在第三间隙内形成填充材料层。该方法中，剩余的侧墙材料层作为侧墙，可以修饰第一间隙的侧壁形貌，有助于消除间隙内壁形貌缺陷对间隙填充效果的影响，降低在间隙填充时产生空洞的风险，有助于提升间隙填充效果。本发明专利技术另外还提供一种闪存的制作方法和一种半导体结构。

【技术实现步骤摘要】
间隙填充方法、闪存的制作方法及半导体结构
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种间隙填充方法、闪存的制作方法以及半导体结构。
技术介绍
在半导体器件的制作过程中，一种常见的工艺是在一种功能材料层中形成间隙(或沟槽)之后，再利用另一种材料将该间隙填满。随着工艺节点的降低，间隙的填充难度也在增加，填充过程中如果出现空洞(Void)缺陷，很可能会对半导体器件的性能造成影响。图1和图2均为利用现有的间隙填充方法填充后的器件结构的SEM照片。如图1所示，其中器件结构在位于间隙底部的填充材料中产生了空洞缺陷(图1中圆圈的位置)。如图2所示，其中器件结构在位于间隙中部的填充材料中产生了空洞缺陷(图2中圆圈的位置)。为了提高间隙填充质量，现有应用于半导体器件的间隙填充方法需要改进。
技术实现思路
专利技术人经过深入研究发现，间隙的填充质量与填充之前间隙的侧壁形貌有较大关系。利用现有工艺形成的间隙的侧壁容易出现如图1中所示的凹坑(Recess)以及如图2中所示的底切(UnderCut)等问题，如果直接利用常用的填孔工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种间隙填充方法，其特征在于，包括：/n提供半导体基底，所述半导体基底上形成有多个功能单元，相邻功能单元之间形成有第一间隙；/n在所述半导体基底上依次形成刻蚀阻挡层和侧墙材料层，所述刻蚀阻挡层和侧墙材料层叠加覆盖所述第一间隙的内表面，并在所述第一间隙的位置形成了第二间隙；/n沿所述半导体基底表面的垂向刻蚀所述侧墙材料层，在所述第二间隙的位置形成第三间隙，所述第三间隙的侧壁被剩余的所述侧墙材料层覆盖；以及/n在所述第三间隙内形成填充材料层。/n

【技术特征摘要】
1.一种间隙填充方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，所述半导体基底上形成有多个功能单元，相邻功能单元之间形成有第一间隙；
在所述半导体基底上依次形成刻蚀阻挡层和侧墙材料层，所述刻蚀阻挡层和侧墙材料层叠加覆盖所述第一间隙的内表面，并在所述第一间隙的位置形成了第二间隙；
沿所述半导体基底表面的垂向刻蚀所述侧墙材料层，在所述第二间隙的位置形成第三间隙，所述第三间隙的侧壁被剩余的所述侧墙材料层覆盖；以及
在所述第三间隙内形成填充材料层。


2.如权利要求1所述的间隙填充方法，其特征在于，所述第三间隙的底面露出所述刻蚀阻挡层。


3.如权利要求1所述的间隙填充方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度为5nm-25nm，所述侧墙材料层的厚度为20nm-100nm。


4.如权利要求1所述的间隙填充方法，其特征在于，所述第一间隙的深宽比为1:1～5:1。


5.如权利要求1所述的间隙填充方法，其特征在于，所述填充材料层采用高密度等离子体沉积工艺或高深宽比沉积工艺形成。


6.如权利要求1所述的间...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴建荣，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31