一种三维互连扇出型封装方法及结构技术

本发明专利技术公开一种三维互连扇出型封装方法及结构，属于集成电路晶圆级封装技术领域。提供树脂基圆片，在其表面制作n层再布线并切割成树脂垂直互连通道单元，其中n≥1；将树脂垂直互连通道单元和芯片通过第一临时键合胶装片在第一玻璃载板上，并进行圆片级封塑；拆掉正面的第一玻璃载板并清洗第一临时键合胶形成树脂塑封体，制作n层再布线后通过第二临时键合胶键合第二玻璃载板；减薄树脂塑封体背面至露出树脂垂直互连通道单元，制作n层再布线。本发明专利技术利用树脂作为基体，将树脂垂直互连通道单元塑封在树脂基圆片中，同时降低了由于CTE不匹配导致的圆片高翘曲难题，并且制作简易且低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种三维互连扇出型封装方法及结构
本专利技术涉及集成电路晶圆级封装
，特别涉及一种三维互连扇出型封装方法及结构。
技术介绍
垂直互连结构是晶圆级三维封装的基础，通常用到的垂直互连结构有TSV（ThroughSiliconVia，硅通孔）、TMV（ThroughMoldingVia，塑封通孔）和TGV（ThroughGlassVia，玻璃通孔），这三种技术通常应用干法刻蚀技术和激光钻孔技术等方法实现。随着小型化、智能化和高度集成化的系统级三维扇出型发展需求，对于更高深宽比和垂直互连密度的需求越来越高。然而，高深宽比和高垂直互连密度对于传统的TSV、TMV和TGV是一个非常大的挑战。另外，随着高深宽比和垂直互连密度的发展，制作TSV、TMV和TGV的成本和难度迅速升高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种三维互连扇出型封装方法及结构，以解决目前三维封装中，高深宽比、高密度垂直互连结构制作难度大且制作成本高的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种三维互连扇出型封装方法，包括：提供树脂基圆片，在其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维互连扇出型封装方法，其特征在于，包括：/n提供树脂基圆片，在其表面制作n层再布线并切割成树脂垂直互连通道单元，其中n≥1；/n将树脂垂直互连通道单元和芯片通过第一临时键合胶装片在第一玻璃载板上，并进行圆片级封塑；/n拆掉正面的第一玻璃载板并清洗第一临时键合胶形成树脂塑封体，制作n层再布线后通过第二临时键合胶键合第二玻璃载板；/n减薄树脂塑封体背面至露出树脂垂直互连通道单元，制作n层再布线。/n

【技术特征摘要】
1.一种三维互连扇出型封装方法，其特征在于，包括：
提供树脂基圆片，在其表面制作n层再布线并切割成树脂垂直互连通道单元，其中n≥1；
将树脂垂直互连通道单元和芯片通过第一临时键合胶装片在第一玻璃载板上，并进行圆片级封塑；
拆掉正面的第一玻璃载板并清洗第一临时键合胶形成树脂塑封体，制作n层再布线后通过第二临时键合胶键合第二玻璃载板；
减薄树脂塑封体背面至露出树脂垂直互连通道单元，制作n层再布线。


2.如权利要求1所述的三维互连扇出型封装方法，其特征在于，减薄树脂塑封体背面至露出树脂垂直互连通道单元，制作n层再布线后，所述三维互连扇出型封装方法还包括：
在树脂塑封体背面通过微凸点焊接若干个异构或异质芯片并在底部填充底填料；
拆掉第二玻璃载板并清洗干净第二临时键合胶，在树脂塑封体正面生长凸点，切割分离形成单颗三维系统级封装单元。


3.如权利要求1所述的三维互连扇出型封装方法，其特征在于，减薄树脂塑封体背面至露出树脂垂直互连通道单元，制作n层再布线后，所述三维互连扇出型封装方法还包括：
拆掉第二玻璃载板并清洗干净第二临时键合胶；
采用圆片级三维堆叠技术或C2W堆叠技术，通过微凸点进行三维堆叠，堆叠层数至少2层；
在每层之间填充底填料，去掉最顶层的n层再布线并在最底一层生长凸点，切割分离形成单颗三维系统级封装单元。


4.如权利要求1-3任一项所述的三维互连扇出型封装方法，其特征在于，所述n层再布线包括钝化层和金属线路层；所述钝化层为无机材料或聚酰亚胺或树脂，所述金属线路层为金属材质的一种或多种；
所述无机材料包括SiO2、SiN和SiC；所述金属材质包括Ti、W、Cu、Ni和Au。
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【专利技术属性】
技术研发人员：王成迁，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32