提高底部金属与焊垫辨识度的半导体结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种提高底部金属与焊垫辨识度的半导体结构，包括：基底、底部金属、焊垫、修复金属部以及金属线。本实用新型专利技术在去除第一掩膜层后在底部金属及其周围的基底上形成修复金属层，修复金属层具有比底部金属更高的表面平整度，从而可以提高后续形成的焊垫的表面的平整度，可以使得焊垫的表面与焊垫周围的底部金属的表面之间的粗糙度差异变大，使得二者更容易辨识区分，从而有利于在焊垫上准确有效的制备金属线，提高金属线制备的良率。

【技术实现步骤摘要】
提高底部金属与焊垫辨识度的半导体结构
本技术属于封装领域，特别涉及一种提高底部金属与焊垫辨识度的半导体结构。
技术介绍
晶圆级封装(WaferLevelPackaging，WLP)的一般定义为：直接在晶圆(Wafer)上进行大多数或全部的封装及测试程序，之后再进行切割(Singulation)制成单颗芯片(Chip)。由于WLP具有较高的封装密度、较快的封装速度及较低的封装成本，已成为目前较为先进的封装方法之一，得到了广泛的应用。现有封装工艺中，存在焊垫较粗糙，表面不平整以及焊垫表面存在缺陷等问题，另外，需要对金属层以及形成在这一金属层上的引出焊垫进行识别区分，存在二者之间难以有效区分的问题，例如，在封装工艺中，当在接地金属(如GNDCu)上形成焊垫金属之后，往往需要将二者辨识，从而可以在焊垫金属上制备金属线，如果裸露的接地金属的表面与焊垫金属的表面存在缺陷，或者二者之间的形貌、粗糙度等影响辨识的因素较接近，则难以将二者进行有效区分，势必影响后续金属线制备的良率，影响产品的良率。因此，如何提供一种提高底部金属与焊垫辨识度的半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高底部金属与焊垫辨识度的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：/n基底；/n若干个底部金属，间隔分布于所述基底上；/n若干个焊垫，对应形成于各所述底部金属上；/n若干个修复金属部，对应形成于所述底部金属与所述焊垫之间；/n金属线，形成于所述焊垫上。/n

【技术特征摘要】
1.一种提高底部金属与焊垫辨识度的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
基底；
若干个底部金属，间隔分布于所述基底上；
若干个焊垫，对应形成于各所述底部金属上；
若干个修复金属部，对应形成于所述底部金属与所述焊垫之间；
金属线，形成于所述焊垫上。


2.根据权利要求1所述的提高底部金属与焊垫辨识度的半导体结构，其特征在于，所述焊垫包括依次形成于所述底部金属表面的缓冲阻挡层及金属层。


3.根据权利要求2所述的提高底部金属与焊垫辨识度的半导体结构，其特征在于，所述缓冲阻挡层包括Ni层；所述金属层包括Au层；所述底部金属的材料包括Cu。


4.根据权利要求2所述的提高底部金属与焊垫辨识度的半导体结构，其特征在于，所述缓冲阻挡层的厚度介于1.8μm-2.2μm之间；所述金属层的厚度介于0.1μm-1μm之间；所述底部金属的厚度介于3μm-6μm之...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹佳山，王荣荣，周祖源，吴政达，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32