用于三维存储器的接触结构制造技术

公开了3D存储结构以及用于形成3D存储结构的方法的实施例。所述制作方法包括在衬底上布置交替的电介质堆叠，其中，所述交替的电介质堆叠具有在彼此顶部交替地堆叠的第一电介质层和第二电介质层。接下来，可以在交替的电介质堆叠中形成多个接触开口，以便可以在所述多个接触开口中的至少一个接触开口内部露出电介质层对。所述方法还包括：通过利用导电层代替第二电介质层来形成具有交替的导电层和电介质层的膜堆叠；以及形成接触结构，以接触在具有交替的导电层和电介质层的膜堆叠中的导电层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于三维存储器的接触结构
概括地说，本公开内容涉及半导体
，以及更具体地说，涉及用于形成三维(3D)存储器的方法。
技术介绍
随着存储器件缩小到更小的管芯尺寸以降低制作成本并且提高存储密度，对平面存储单元的缩放因工艺技术限制和可靠性问题而面临挑战。三维(3D)存储器架构可以解决平面存储单元中的密度和性能限制。在3DNAND存储器中，阶梯结构通常用于在垂直堆叠设置存储单元的字线与控制栅之间提供电接触。然而，随着3DNAND存储器中的存储容量的持续提高，垂直堆叠的存储单元的数量已经大量地增加。相应地，阶梯结构的横向尺寸也增加，这降低了单位面积的有效存储容量。此外，较大的阶梯结构在存储阵列区与阶梯区之间引入较高的机械应力，这可能在3DNAND存储器内造成可靠性问题。因此，存在对能够在不使用阶梯结构的情况下在垂直堆叠的存储单元的字线与控制栅之间提供电连接的3D存储器的接触结构的需求。
技术实现思路
在本公开内容中描述了三维(3D)存储器件以及用于形成3D存储器件的方法的实施例。本公开内容的第一方面提供了用于形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于形成三维(3D)存储结构的方法，包括：/n在衬底上布置交替的电介质堆叠，其中，所述交替的电介质堆叠包括在彼此顶部交替地堆叠的第一电介质层和第二电介质层；/n在所述交替的电介质堆叠中形成多个接触开口，使得在所述多个接触开口中的至少一个接触开口内部露出电介质层对，其中，所述电介质层对包括一对所述第一电介质层和所述第二电介质层，并且其中，对所述多个接触开口的所述形成包括：/n通过蚀刻数量N个电介质层对来在所述交替的电介质堆叠中形成多个开口，其中，N为整数；/n形成掩模，以保护所述多个开口中的第一群组并且露出所述多个开口中的第二群组，其中，所述多个开口中的所述第一群组是延伸穿过所述数量N个...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于形成三维(3D)存储结构的方法，包括：
在衬底上布置交替的电介质堆叠，其中，所述交替的电介质堆叠包括在彼此顶部交替地堆叠的第一电介质层和第二电介质层；
在所述交替的电介质堆叠中形成多个接触开口，使得在所述多个接触开口中的至少一个接触开口内部露出电介质层对，其中，所述电介质层对包括一对所述第一电介质层和所述第二电介质层，并且其中，对所述多个接触开口的所述形成包括：
通过蚀刻数量N个电介质层对来在所述交替的电介质堆叠中形成多个开口，其中，N为整数；
形成掩模，以保护所述多个开口中的第一群组并且露出所述多个开口中的第二群组，其中，所述多个开口中的所述第一群组是延伸穿过所述数量N个电介质层对的开口的第一子集；
通过蚀刻数量M个电介质层对来在所述多个开口的所述第二群组中形成开口的第二子集，其中，所述开口的第二子集延伸穿过数量(N+M)个电介质层对，其中，M为整数；以及
针对所述开口的子集中的每个子集重复对掩模的所述形成和所述蚀刻；
通过利用导电层代替所述第二电介质层来形成具有交替的导电层和电介质层的膜堆叠；以及
形成接触结构，以接触在具有交替的导电层和电介质层的所述膜堆叠中的所述导电层。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述开口的第一子集和所述开口的第二子集包括相同数量的开口。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述数量M个电介质层对在数量上是所述数量N个电介质层对的两倍。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，对具有交替的导电层和电介质层的所述膜堆叠的所述形成包括在所述交替的电介质堆叠中形成缝隙开口。


5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：
在所述缝隙开口中形成与所述衬底电连接的公共源极接触。


6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述多个接触开口内部布置填充材料。


7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在对所述多个接触开口的所述形成之前，在所述交替的电介质堆叠中形成多个存储串。


8.根据权利要求7所述的方法，其中，对所述多个存储串的所述形成包括：
形成垂直地穿透所述交替的电介质堆叠的沟道孔；以及
在沟道孔的侧壁上布置存储膜、沟道层和核心填充膜。


9.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在对所述多个接触开口的所述形成之后，在所述交替的电介质堆叠中形成多个存储串。


10.根据权利要求9所述的方法，其中，对所述多个存储串的形成包括：
形成垂直地穿透所述交替的电介质堆叠的沟道孔；以及
在沟道孔的侧壁上布置存储膜、沟道层和核心填充膜。


11.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述接触结构包括：
在所述多个接触开口的侧壁上形成衬；
在所述多个接触开口的每个接触开口内部形成接触孔，以露出在具有交替的导电层和电介质层的所述膜堆叠中的所述导电层；以及
在所述接触孔内部布置导电材料，以形成与所述导电层的电接触。


12.根据权利要求11所述的方法，还包括：
通过化学机械抛光来形成共平面表面。


13.一种三维(3D)存储结构，包括：
在衬底上布置的膜堆叠，所述膜堆叠包括在彼此顶部交替地堆叠的导电层和电介质层；
垂直地穿透所述膜堆叠的多个存储串，其中，所述多个存储串中的每个存储串包括存储膜、沟道层和核心填充膜；以及
在所述膜堆叠内部布置的多个接触结构，其中：
所述多个接触结构垂直地...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙中旺，张中，周文犀，刘磊，夏志良，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42