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公开了3D存储结构以及用于形成3D存储结构的方法的实施例。所述制作方法包括在衬底上布置交替的电介质堆叠，其中，所述交替的电介质堆叠具有在彼此顶部交替地堆叠的第一电介质层和第二电介质层。接下来，可以在交替的电介质堆叠中形成多个接触开口，以便可...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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