【技术实现步骤摘要】
重新布线层的制备方法及半导体结构
本专利技术属于半导体制造领域，涉及重新布线层的制备方法及半导体结构。
技术介绍
随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高，以及新型集成电路的出现，封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色，在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。同时，随着集成电路特征尺寸达到纳米级，晶体管向更高的密度、更高的时钟频率发展，封装也向更高密度的方向发展。晶圆级封装(WLP)技术由于具有小型化、低成本、高集成度以及具有更好的性能和更高的能源效率等优点，因此，已成为高要求的移动/无线网络等电子设备的重要的封装方法，是目前最具发展前景的封装技术之一。重新布线层(RDL)，一般包括介质层及金属层；其可对芯片的焊盘的焊区位置进行重新布局，使新焊区满足对焊料球最小间距的要求，并使新焊区按照阵列排布。在现有WLP工艺中，RDL的制造部分是整个WLP流程中较复杂、较昂贵的部分。一般，根据需要，RDL介质层与金属层之间常常存在较大的厚度差，如在某些实际应用RDL中，PI(光敏性聚酰亚胺)介质层的厚度...
【技术保护点】
1.一种重新布线层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供基底，于所述基底的上表面形成介质层；/n图形化所述介质层，以在所述介质层中形成贯穿所述介质层的第一通孔；/n图形化所述介质层，以在所述介质层中形成第二通孔，所述第二通孔位于所述第一通孔的上方，并与所述第一通孔相贯通，且所述第二通孔的宽度大于所述第一通孔的宽度；/n金属种子层，所述金属种子层覆盖所述介质层的上表面以及所述第一通孔及第二通孔的底部及侧壁；/n形成金属层，所述金属层填满所述第一通孔及第二通孔；/n去除位于所述介质层上的所述金属层及金属种子层，以在所述基底上形成所述重新布线层。/n
【技术特征摘要】
1.一种重新布线层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基底，于所述基底的上表面形成介质层；
图形化所述介质层，以在所述介质层中形成贯穿所述介质层的第一通孔；
图形化所述介质层，以在所述介质层中形成第二通孔，所述第二通孔位于所述第一通孔的上方，并与所述第一通孔相贯通，且所述第二通孔的宽度大于所述第一通孔的宽度；
金属种子层，所述金属种子层覆盖所述介质层的上表面以及所述第一通孔及第二通孔的底部及侧壁；
形成金属层，所述金属层填满所述第一通孔及第二通孔；
去除位于所述介质层上的所述金属层及金属种子层，以在所述基底上形成所述重新布线层。
2.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：所述基底上包括多层所述重新布线层。
3.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：所述金属层与所述介质层具有同一水平面。
4.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：所述介质层的厚度范围包括5μm～30μm。
5.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：所述金属层的截面形貌包括T字形貌。
6.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：所述金属层包括填满所述第一通孔的第一子金属层及填满所述第二通孔的第二子金属层；其中，所述第一子金属层的宽度范围包括20μm～150μm；所述第二子金属层的宽度范围包括5μm～500μm，所述第二子金属层的厚度范围包括0.5μm～5μm。
7.根据权利要求6所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：所述第一子金属层与所述第二子金属层具有相同材料。
8.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：所述金属层包括铜金属层、铝金属层、银金属层、铬金属层、钛金属层、钽金属层、钼金属层及钕金属层中的一种或组合。
9.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：去除位于所述介质层上的所述金属层及金属种子层的方法包括研磨法，其中，所述研磨法包括化学机械抛光。
10.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：所述介质层包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：周祖源，赵强，吴政达，林正忠，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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