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本发明提供一种重新布线层的制备方法及半导体结构，半导体结构包括基底及位于基底上表面的重新布线层；重新布线层包括介质层，介质层中包括贯穿介质层的第一通孔及位于第一通孔的上方的第二通孔，其中，部分第二通孔与第一通孔相贯通，且相贯通的第二通孔宽度...
该专利属于中芯长电半导体(江阴)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯长电半导体(江阴)有限公司授权不得商用。

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