位移传感器制造技术

扩大位移传感器的检测范围。检测因磁部件的移位和倾斜而引起的磁感应器件输出信号的误差并进行校准。本发明专利技术位移传感器沿着中心轴２２在可移动的磁杆３２周围设置多个磁感应器件（例如霍尔ＩＣ）３４Ａ、３４Ｂ。将磁感应器件３４Ａ、３４Ｂ，各自配置在中心轴２２方向的直线距离座标和中心轴２２旋转的旋转角度座标双方不同的位置。电路４０产生磁感应器件３４Ａ、３４Ｂ输出信号５０Ａ、５０Ｂ的平均信号５４。电路４２根据平均信号５４测量磁杆３２的位移量，而且，根据输出信号５０Ａ、５０Ｂ检出磁杆３２的移位和倾斜起因的输出信号５０Ａ、５０Ｂ的误差并修改测定方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具备象霍尔IC那样的磁感应器件和产生磁场对磁感应器件相对的可移动的磁部件，从磁感应器件输出电信号具有与磁部件位移量相应电平的位移传感器。
技术介绍
在专利文献1上公开的位移传感器，有耦合活动元件的棒状的磁部件(例如磁铁)，在以该磁性部件的中心轴为中心的同一圆周上180度不同的位置，配置2个磁感应器件。使2个磁感应器件的输出信号平均化，因此，由棒状磁铁直径方向的位置偏移而引起的2个磁感应器件输出信号的误差相抵销，所以提高位置检测精度。特开2000-258109号公报一般说来想扩大用这种的位移传感器可能检测的位移量范围(检测范围)的要求。而且，磁部件的组装位置，有时仅仅偏离正确的位置。对该偏离而言，由磁部件的中心轴从正确的轴位置对径向移位，和磁部件的中心轴对正确的轴向倾斜的2个分量构成，通常该移位和倾斜复合存在。而且，该位移位和倾斜成为对磁感应器件的输出信号产生误差的原因。由这种位置偏移引起的误差，在位移传感器的工厂出产时或使用中等检出，而且据此进行位移传感器的校准是所希望的。但是，就上述的现有技术来说，不可能检测磁部件的移位和倾斜复合时的磁感应器件输出信号误差。专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种位移传感器，包括：多个磁感应器件；和沿着规定的基准轴（２２）对上述磁感应器件相对地可移动的，在上述多个磁感应器件的位置，形成具有随着移位方向的位移量而改变磁场强度的磁场的磁部件（１４），在假设由沿着上述基准轴（２ ２）的直线距离座标、以上述基准轴（２２）为中心的旋转角度座标和距上述基准轴（２２）的半径距离座标而构成的圆柱座标系的情况下，上述多个磁感应器件，配置在上述直线距离座标不同的位置，输出具有和各自配置地点的上述磁场强度相对应电平的信号。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山元裕一，庄司幸夫，吉田伸实，
申请(专利权)人：株式会社小松制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]