位移传感器制造技术

在将CMOS线性图像传感器（100）嵌入受光部（1）的位移传感器中，CPU（3）在利用复位信号RSET将CMOS线性图像传感器（100）的各像素部的蓄积电荷复位之后，输出投光控制信号LDON，接着，输出受光控制信号PDSW，来开始在各像素部蓄积电荷。另外，在结束投光控制信号LDON的输出之前，结束受光控制信号PDSW的输出，并利用读取控制信号ST，指示图像的输出。另外，CPU（3）以维持受光控制信号PDSW与投光控制信号LDON的输出的关系为条件，基于从CMOS线性图像传感器（100）输出的图像中的峰值，对输出受光控制信号PDSW的期间的长度进行调整。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种利用CMOS (Complementary Metal-Oxide-SemiconductorTransistor互补型金属氧化物半导体)线性图像传感器进行位移量的计测的位移传感器。
技术介绍
在利用了三角测距的原理的位移传感器中，从包括激光二极管等发光元件的投光部射出光，并且通过包括摄像元件的受光部接受来自对象物的该光的反射光，基于由摄像元件生成的图像中的峰值的位置，来求出位移量(与传感器相距的距离)。作为适合上述的受光部的摄像元件之一，有构成为同时实施所有的像素部的电荷的蓄积或释放的CMOS线性图像传感器。在例如非专利文献I中记载了如下的技术:从外部输入时钟信号和启动脉冲信号，基于从启动脉冲信号的上升沿起的时钟数，来对开始以及结束电荷蓄积的时刻、读取图像数据的时刻进行控制。另外，在专利文献I中记载了如下的技术:在各像素部的光电二极管与用于蓄积电荷的电容之间利用晶体管来设置开关部，并且利用各像素部共用的全局快门(shutter)信号来控制该开关部的导通/截止(0N/0FF)，由此将构成为几乎同时开始或停止所有的像素部的电荷蓄积的图像传感器嵌入位移传感器。接着，在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：泷政宏章，饭田雄介，
申请(专利权)人：欧姆龙株式会社，
类型：
国别省市：