一种LED封装基板制造技术

本发明专利技术公开了一种LED封装基板，其特征在于，其制造方法包括步骤：(A)选取铜片；(B)蚀刻处理铜片；(C)硅树脂、环氧树脂、硅胶混合均匀，压模处理；(D)除胶；(E)电镀；(F)包装。所述LED封装基板压模所采用的胶与封装所采用的封装胶体材质相同，加热固化后会形成共层，封装胶体与基板结合性有效提高，能够有效防止封装器件固晶胶剥离，防止死灯，封装过程中胶体不易脱落，产品质量好；并且，所述LED封装基板制造成本较低。

【技术实现步骤摘要】
一种LED封装基板
本专利技术涉及LED封装器件相关
，更准确的说涉及一种LED封装基板。
技术介绍
LED由于其体积小、光效高及寿命长等特点得到了广泛的应用，现已广泛应用于汽车和室内照明、交通信号灯、屏幕显示和液晶背光等邻域。封装工艺是LED制程中的一个非常重要的工艺，其对于LED的工作性能、成本等有着非常显著的影响。目前LED封装更是逐步往小尺寸高功率的方向发展。目前来说，LED行业内常用膜造方式进行LED封装作业。膜造类LED封装器件在工艺中需要使用BT板。现有技术中，BT板基本采用白芯板、黑芯板作为基板，通过钻孔、干膜压着、曝光、显影、蚀刻、退膜、酸洗等工艺制作出BT板，用于LED封装。现有技术中，基板普遍使用日本三菱瓦斯，成本较高；且在LED封装工艺中，LED封装胶水通常选用硅胶、硅树脂、环氧树脂3类，3类封装胶水与百芯板、黑芯板类的基板结合性均比较差，无法形成共层，容易造成封装器件固晶胶剥离，TV显示容易遇到因分层导致死灯的问题，且封装制程中胶体易脱落，存在很大的品质隐患。综上，本领域需要一种改进了生产工艺的基板，提高与封装胶水的结合性，并降低生产成本。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种LED封装基板，其制造方法包括：选取铜片作为基材，蚀刻处理后，采用硅胶、硅树脂、环氧树脂压模，基板成型，之后再进行除胶、电镀、包装等工艺，所述LED封装基板压模所采用的胶与封装所采用的封装胶体材质相同，加热固化后会形成共层。为了达到上述目的，本专利技术提供一种LED封装基板，其制造方法包括步骤：(A)选取铜片；(B)蚀刻处理铜片；(C)硅树脂、环氧树脂、硅胶混合均匀，压模处理；(D)除胶；(E)电镀；(F)包装。优选地，所述步骤(C)包括步骤：(C1)硅树脂、环氧树脂、硅胶按比例混合均匀；(C2)真空脱泡机脱泡；(C3)加入压模机针筒进行压模，结束后基板成型。优选地，所述步骤(C3)中压模温度为120-150℃；压模的合模时间为1-10分钟。优选地，所述步骤(A)中选取的铜片厚度范围为0.1-0.3mm，铜片材料选择黄铜、红铜、紫铜中的一种。优选地，所述步骤(B)蚀刻处理的蚀刻厚度范围为0.05-0.1mm，蚀刻角度为0.1mm。优选地，所述步骤(B)包括步骤：(B1)材料；(B2)切料；(B3)清洗；(B3)粗化耐光油墨或干膜；(B4)曝光；(B5)显影；(B6)FQC；(B7)蚀刻；(B8)脱膜；(B9)清洗；(B10)干燥；(B11)OQC；(B12)测试；(B13)包装。优选地，所述步骤(D)包括：(D1)超音波；(D2)水刀冲洗；(D3)水洗；(D4)烘干。优选地，所述步骤(D2)水刀冲洗的参数为1S-3S，最大压力4公斤；所述步骤(D3)水洗可采用自来水或者纯水；所述步骤(D4)采用烘干炉，烘干温度为60-70℃，烘干时间1-10min；烘干至表干停止。优选地，所述步骤(E)包括：(E1)上料；(E2)脱脂；(E3)化学研磨；(E4)镀镍；(E5)镀银；(E6)脱银；(E7)银保护；(E8)烘干；(E9)收料。优选地，所述步骤(E4)中镀镍形成的镍层厚度为1u″-30u″；所述步骤(E5)中镀银形成的银层厚度为10u″-180u″；所述步骤(E7)中采用的银保护剂浓度为8mol-40mol，时间为8s-70s；所述步骤(E8)采用烤箱，温度为140±30℃。与现有技术相比，本专利技术公开的一种LED封装基板的优点在于：所述LED封装基板压模所采用的胶与封装所采用的封装胶体材质相同，加热固化后会形成共层，封装胶体与基板结合性有效提高，能够有效防止封装器件固晶胶剥离，防止死灯，封装过程中胶体不易脱落，产品质量好；所述LED封装基板制造成本较低。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。如图1所示为本专利技术一种LED封装基板的制造方法流程图。如图2所示为本专利技术一种LED封装基板的结构示意图。具体实施方式如图1所示，本专利技术一种LED封装基板的制造方法包括步骤：(G)选取铜片；(H)蚀刻处理铜片；(I)硅树脂、环氧树脂、硅胶混合均匀，压模处理；(J)除胶；(K)电镀；(L)包装。其中，所述步骤(A)中选取的铜片厚度范围为0.1-0.3mm，铜片材料可以选择黄铜、红铜、紫铜。所述步骤(B)蚀刻处理的蚀刻厚度范围为0.05-0.1mm，蚀刻角度为0.1mm。所述步骤(B)包括步骤：(B1)材料；(B2)切料；(B3)清洗；(B3)粗化耐光油墨或干膜；(B4)曝光；(B5)显影；(B6)FQC；(B7)蚀刻；(B8)脱膜；(B9)清洗；(B10)干燥；(B11)OQC；(B12)测试；(B13)包装。所述步骤(C)包括步骤：(C1)硅树脂、环氧树脂、硅胶按比例混合均匀；(C2)真空脱泡机脱泡；(C3)加入压模机针筒进行压模，结束后基板成型。所述步骤(C1)中的硅树脂、环氧树脂、硅胶按照一定的比例混合均匀，具体混合比例可根据需求调整。所述步骤(C3)中压模温度为120-150℃。压模的合模时间为1-10分钟。压模所采用的胶体可以填充铜片上被蚀刻的部分。所述步骤(D)包括：(D1)超音波；(D2)水刀冲洗；(D3)水洗；(D4)烘干。所述步骤(D2)水刀冲洗的参数为1S-3S，最大压力4公斤。所述步骤(D3)水洗可采用自来水或者纯水。所述步骤(D4)采用烘干炉，烘干温度为60-70℃，烘干时间1-10min。烘干至表干即可停止。所述步骤(E)包括：(E1)上料；(E2)脱脂；(E3)化学研磨；(E4)镀镍；(E5)镀银；(E6)脱银；(E7)银保护；(E8)烘干；(E9)收料。所述步骤(E4)中镀镍形成的镍层厚度为1u″-30u″。所述步骤(E5)中镀银形成的银层厚度为10u″-180u″。所述步骤(E7)中采用的银保护剂浓度为8mol-40mol，时间为8s-70s。所述步骤(E8)采用烤箱，温度为140±30℃。采用上述方法制造的所述LED封装基板，采用硅树脂、环氧树脂、硅胶混合的压模胶，与LED封装时所采用的封装胶采用同一材质的胶水，封装时，加热固化工艺后会形成共层，结合性更好，能够防止因分层造成的死灯问题。此外，所述LED封装基板的制造成本更低。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本专利技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED封装基板，其特征在于，其制造方法包括步骤：/n(A)选取铜片；/n(B)蚀刻处理铜片；/n(C)硅树脂、环氧树脂、硅胶混合均匀，压模处理；/n(D)除胶；/n(E)电镀；/n(F)包装。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED封装基板，其特征在于，其制造方法包括步骤：
(A)选取铜片；
(B)蚀刻处理铜片；
(C)硅树脂、环氧树脂、硅胶混合均匀，压模处理；
(D)除胶；
(E)电镀；
(F)包装。


2.如权利要求1所述的LED封装基板，其特征在于，所述步骤(C)包括步骤：
(C1)硅树脂、环氧树脂、硅胶按比例混合均匀；
(C2)真空脱泡机脱泡；
(C3)加入压模机针筒进行压模，结束后基板成型。


3.如权利要求2所述的LED封装基板，其特征在于，所述步骤(C3)中压模温度为120-150℃；压模的合模时间为1-10分钟。


4.如权利要求1所述的LED封装基板，其特征在于，所述步骤(A)中选取的铜片厚度范围为0.1-0.3mm，铜片材料选择黄铜、红铜、紫铜中的一种。


5.如权利要求1所述的LED封装基板，其特征在于，所述步骤(B)蚀刻处理的蚀刻厚度范围为0.05-0.1mm，蚀刻角度为0.1mm。


6.如权利要求1所述的LED封装基板，其特征在于，所述步骤(B)包括步骤：(B1)材料；(B2)切料；(B3)清洗；(B3)粗化耐光油墨或干膜；(B4)...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄勇鑫，牛艳玲，何静静，
申请(专利权)人：盐城东山精密制造有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32