【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片封装领域，特别涉及一种发光芯片待封装结构及发光芯片封装方法。
技术介绍
1、随着发光芯片的不断发展，对于发光芯片的亮度表现的需求越来越高，尤其在户外环境光复杂的情况下，rgb显示的亮度在不同视角下存在特定视角亮度低的问题。由于现有技术中对于单个灯珠中发光芯片的亮度提升难度高，且提升效果有限，依靠增加发光芯片整体亮度以使较低亮度视角的亮度达到使用需求难以实现，且不同视角下亮度均匀性无法保证。因此，如何在现有发光芯片的基础上，减少单颗灯珠中亮度较低的视角覆盖范围是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种发光芯片待封装结构及发光芯片封装方法，解决了现有技术中发光芯片在指定角度下存在亮度较低的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种发光芯片待封装结构，包括承载架和发光芯片；
3、所述承载架中至少一侧设置有凹陷结构，所述承载架中每个设置有所述凹陷结构的表面，均包括所述凹陷结构占据的第一区域，和所述凹陷结构外侧，包围所述第一区域的第二区域；
4、所述第二区域中设置有限制所述封装胶蔓延的限位凹槽，且所述第二区域中第一表面低于第二表面；所述限位凹槽包围所述第一区域，所述第一表面为所述限位凹槽的旁侧区域中靠向所述第一区域的一侧区域表面，所述第二表面为所述限位凹槽的旁侧区域中远离所述第一区域的一侧区域表面；
5、所述凹陷结构的底部设置有固晶区域，所述发光芯片设置在所述固晶区
6、可选的，所述限位凹槽为底部是倒圆角形状的凹槽。
7、可选的，所述凹陷结构为碗杯状凹陷结构。
8、可选的，所述第一表面与所述第二表面的高度差处于100微米至200微米之间。
9、可选的，所述第一表面的宽度处于80微米至100微米之间。
10、可选的，所述发光芯片为rgb芯片；
11、所述rgb芯片中每颗子芯片的发光中心点距离几何中心的距离相等；所述几何中心为所述凹陷结构的底部的几何中心。
12、可选的，所述rgb芯片中子芯片呈品字形设置在所述固晶区域。
13、本专利技术还提供了一种发光芯片封装方法，包括：
14、提供如上述的发光芯片待封装结构；
15、在所述发光芯片待封装结构中发光芯片的上侧进行点胶，使封装胶完全填充所述发光芯片待封装结构中的凹陷结构，并在所述凹陷结构的外侧形成球冠状封装胶水；所述球冠状封装胶水的边缘截止在所述发光芯片待封装结构中限位凹槽靠向所述凹陷结构的边缘轮廓处；
16、对所述封装胶水进行烘烤，制备封装胶，得到发光芯片封装结构。
17、可选的，在所述发光芯片待封装结构中发光芯片的上侧进行点胶，使封装胶水完全填充所述发光芯片待封装结构中的凹陷结构，并在所述凹陷结构的外侧形成球冠状封装胶水，包括：
18、在所述发光芯片的上侧进行一次点胶，使一次封装胶水填充量达到预设填充量，定形为一次封装胶；所述预设填充量为所述凹陷结构内总填充量的百分之八十至百分之九十；
19、在所述一次封装胶的上侧进行二次点胶，使二次封装胶水完全填充所述凹陷结构，并在所述凹陷结构的外侧形成所述球冠状封装胶水。
20、可选的，在所述发光芯片的上侧进行一次点胶，使一次封装胶水填充量达到预设填充量，包括：
21、利用混有气相二氧化硅的封装胶水在所述发光芯片的上侧进行一次点胶，使所述混有气相二氧化硅的封装胶水填充量达到所述预设填充量，定形为所述一次封装胶；
22、在所述一次封装胶的上侧进行二次点胶，使二次封装胶水完全填充所述凹陷结构，并在所述凹陷结构的外侧形成所述球冠状封装胶水，包括：
23、利用混有增强触变性添加剂的透明胶水，在所述一次封装胶的上侧进行二次点胶，使所述混有增强触变性添加剂的透明胶水完全填充所述凹陷结构，并在所述凹陷结构的外侧形成所述球冠状封装胶水。
24、可见，本专利技术提供的发光芯片待封装结构中，通过设置包围凹陷结构的限位凹槽，在点胶制备封装胶时，能够使封装胶外轮廓截止于限位凹槽靠向凹陷结构的一侧轮廓处，能够避免封装胶向外蔓延，并解决了最终成型的封装胶弧度变化较平缓，即最终成型的封装胶弧度对应的圆心角较小，进而导致灯珠发光角度小的问题。本方案在保证点胶用料量不变的情况下，显著增大了灯珠的发光角度，进而提高了灯珠发光的整体视效性，另外，本专利技术通过将限位凹槽旁侧中靠向凹陷结构的一侧的表面高度，设置为低于限位凹槽旁侧中远离凹陷结构的一侧的表面高度，在丝网印刷油墨时能够避免在点胶区域印刷油墨，提高组件良率。
25、此外，本专利技术还提供了一种发光芯片封装方法，同样具有上述有益效果。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种发光芯片待封装结构，其特征在于，包括承载架和发光芯片；
2.根据权利要求1所述的发光芯片待封装结构，其特征在于，所述限位凹槽为底部是倒圆角形状的凹槽。
3.根据权利要求1所述的发光芯片待封装结构，其特征在于，所述凹陷结构为碗杯状凹陷结构。
4.根据权利要求1所述的发光芯片待封装结构，其特征在于，所述第一表面与所述第二表面的高度差处于100微米至200微米之间。
5.根据权利要求4所述的发光芯片待封装结构，其特征在于，所述第一表面的宽度处于80微米至100微米之间。
6.根据权利要求1至5任一项所述的发光芯片待封装结构，其特征在于，所述发光芯片为RGB芯片；
7.根据权利要求6所述的发光芯片待封装结构，其特征在于，所述RGB芯片中子芯片呈品字形设置在所述固晶区域。
8.一种发光芯片封装方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的发光芯片封装方法，其特征在于，在所述发光芯片待封装结构中发光芯片的上侧进行点胶，使封装胶水完全填充所述发光芯片待封装结构中的凹陷结构，并在所述凹陷结
10.根据权利要求9所述的发光芯片封装方法，其特征在于，在所述发光芯片的上侧进行一次点胶，使一次封装胶水填充量达到预设填充量，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种发光芯片待封装结构，其特征在于，包括承载架和发光芯片；
2.根据权利要求1所述的发光芯片待封装结构，其特征在于，所述限位凹槽为底部是倒圆角形状的凹槽。
3.根据权利要求1所述的发光芯片待封装结构，其特征在于，所述凹陷结构为碗杯状凹陷结构。
4.根据权利要求1所述的发光芯片待封装结构，其特征在于，所述第一表面与所述第二表面的高度差处于100微米至200微米之间。
5.根据权利要求4所述的发光芯片待封装结构，其特征在于，所述第一表面的宽度处于80微米至100微米之间。
6.根据权利要求1至5任一项所述的发光芯片待封装结...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱博，
申请(专利权)人：盐城东山精密制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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