一种叠层芯片键合结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种叠层芯片键合结构，包括基板和若干个叠层芯片；基板上设置有接电电路，若干个叠层芯片中的任一叠层芯片包括倒装芯片和水平芯片，倒装芯片的发光颜色和水平芯片的发光颜色不同；倒装芯片底部设置有倒装芯片电极，基板上设置有与倒装芯片电极所对应的倒装芯片焊盘，倒装芯片电极基于导电的第一粘合剂与所对应的倒装芯片焊盘连接；水平芯片顶部设置有水平芯片电极，水平芯片底部为透明的衬底，衬底基于第二粘合剂固定在倒装芯片顶面上；倒装芯片的倒装芯片电极基于所对应的倒装芯片焊盘与接电电路电性连接，水平芯片的水平芯片电极基于导线与接电电路电性连接。本实用新型专利技术所公开的叠层芯片键合结构具有发光均匀的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种叠层芯片键合结构
本技术涉及发光器件领域，具体涉及到一种叠层芯片键合结构。
技术介绍
现有的多基色COB器件是在基板上设置有多种发光颜色不同的芯片，利用多种发光颜色不同的芯片激发荧光胶层中的荧光粉实现器件的发光，由于采用了多种发光颜色不同的芯片作为光源，该类叠层芯片键合结构的显色指数通常较高，具有良好的显色效果。但具体实施中发现，现有多基色COB器件结构由于采用了多种发光颜色不同的芯片，且多种发光颜色不同的芯片是平铺分布在基板上的，不同发光颜色的芯片之间具有一定的亮度差异和位置差异，且不同发光颜色的芯片对荧光粉的激发效果不一致，器件各个区域的光色均匀性差异较大，影响该类COB器件的发光效果。
技术实现思路
为了克服现有多基色COB器件结构发光不均匀的缺点，本技术提供了一种叠层芯片键合结构，该叠层芯片键合结构将两种发光颜色不同的芯片叠合形成叠层芯片，若干个叠层芯片在基板上按照预设方式布置，从而使基板上不同位置的发光效果一致性增加，提高了基于该叠层芯片键合结构制成的多基色COB器件的发光均匀性，具有良好的实用性。相应的，本技术提供了一种叠层芯片键合结构，包括基板和若干个叠层芯片；所述基板上设置有接电电路，所述若干个叠层芯片中的任一叠层芯片包括倒装芯片和水平芯片，所述倒装芯片的发光颜色和所述水平芯片的发光颜色不同；所述倒装芯片底部设置有倒装芯片电极，所述基板上设置有与所述倒装芯片电极所对应的倒装芯片焊盘，所述倒装芯片电极基于导电的第一粘合剂与所对应的倒装芯片焊盘连接；r>所述水平芯片顶部设置有水平芯片电极，所述水平芯片底部为透明的衬底，所述衬底基于第二粘合剂固定在所述倒装芯片顶面上；所述倒装芯片的倒装芯片电极基于所对应的倒装芯片焊盘与所述接电电路电性连接，所述水平芯片的水平芯片电极基于导线与所述接电电路电性连接。可选的实施方式，所述若干个叠层芯片的倒装芯片分别组成若干条倒装芯片支路，所述若干条倒装芯片支路中的任一条倒装芯片支路中包括至少一个倒装芯片，且所述任一条倒装芯片支路中的倒装芯片通过所述倒装芯片焊盘依次串联电性连接；所述若干个叠层芯片的水平芯片分别组成若干条水平芯片支路，所述若干条水平芯片支路中的任一条水平芯片支路中包括至少一个水平芯片，且所述任一条水平芯片支路中的水平芯片通过导线依次串联电性连接；所述若干条倒装芯片支路的正极和所述若干条水平芯片支路的正极相互电性连接，所述若干条倒装芯片支路的负极和所述若干条水平芯片支路的负极相互电性连接。可选的实施方式，所述若干条倒装芯片支路和所述若干条水平芯片支路的数量相同；所述若干条倒装芯片支路中的每一条倒装芯片支路包括同样数量的倒装芯片；所述若干条水平芯片支路中的每一条水平芯片支路包括同样数量的水平芯片。可选的实施方式，所述接电电路包括正极电路和负极电路；所述若干条倒装芯片支路的正极与所述正极电路电性连接；所述若干条水平芯片支路的正极与所述正极电路电性连接；所述若干条倒装芯片支路的负极与所述负极电路电性连接；所述若干条水平芯片支路的负极与所述负极电路电性连接。可选的实施方式，所述正极电路和所述负极电路在所述基板上围成圆形的芯片安置区；所述若干个叠层芯片设置在所述芯片安置区内。可选的实施方式，以所述芯片安置区内的中心点为圆心构建等半径差的若干个同心圆、过所述圆心且等角度差的若干条直线；所述若干个同心圆和所述若干条直线相交并形成若干个定位交点；所述若干个叠层芯片分别设置在所述若干个定位交点上。可选的实施方式，以所述芯片安置区的中心点为圆心构建一个等分圆，所述等分圆的半径为所述芯片安置区的半径的二分之一；所述若干个叠层芯片中的部分叠层芯片设置在所述等分圆内或所述等分圆上，所述若干个叠层芯片中的其余叠层芯片设置在所述等分圆外；设置在所述等分圆外的叠层芯片沿所述等分圆的圆心圆周均匀分布。可选的实施方式，在所述芯片安置区内构建若干条等间距的水平线和若干条等间距的竖直线；所述若干条水平线与所述若干条竖直线相交并形成若干个定位交点；所述若干个叠层芯片分别设置在所述若干个定位交点上。可选的实施方式，所述基板上还设置有正极触点和负极触点，所述正极触点与所述正极电路电性连接，所述负极触点与所述负极电路电性连接。可选的实施方式，所述倒装芯片的发光峰值波长为[430nm,460nm]，所述水平芯片的发光峰值波长为[460nm,500nm]；或所述倒装芯片的发光峰值波长为[460nm,500nm]，所述水平芯片的发光峰值波长为[430nm,460nm]。本技术提供了一种叠层芯片键合结构，该叠层芯片键合结构中的叠层芯片采用倒装芯片在下、水平芯片在上的叠合结构，可保证倒装芯片和水平芯片的光激发区域接近，提高不同颜色的芯片对荧光胶层层激发的均匀性；叠层芯片采用串并联结合的支路电性连接方式，可较为清晰的示意出故障区域，为制程优化提供参考；叠层芯片在芯片安置区内的布置结构的设计，可提高该叠层芯片键合结构的整体发光均匀性。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1示出了本技术实施例的叠层芯片键合结构的三维结构示意图；图2示出了本技术实施例的叠层芯片正视结构示意图；图3示出了本技术实施例的基板俯视结构示意图；图4示出了本技术实施例的叠层芯片键合结构俯视结构示意图；图5示出了本技术实施例一的叠层芯片设置位置示意图；图6示出了本技术实施例二的叠层芯片设置位置示意图；图7示出了本技术实施例三的叠层芯片设置位置示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。图1示出了本技术实施例的叠层芯片键合结构的三维结构示意图，需要说明的是，附图中的部件结构仅用于示意其设置位置及主要的设置形式，不表示部件唯一的设置方式，具体请结合以下文字说明进行理解。本实施例提供了一种叠层芯片键合结构，该叠层芯片键合结构包括基板1和若干个叠层芯片2。所述基板上设置有接电电路，所述接电电路用于供芯片连接，可选的，所述接电电路包括正极电路和负极电路。图2示出了本技术实施例的芯片正视结构示意图。所述若干个芯片2中的任一叠层芯片2包括发光颜色不同的倒装芯片2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种叠层芯片键合结构，其特征在于，包括基板和若干个叠层芯片；/n所述基板上设置有接电电路，所述若干个叠层芯片中的任一叠层芯片包括倒装芯片和水平芯片，所述倒装芯片的发光颜色和所述水平芯片的发光颜色不同；/n所述倒装芯片底部设置有倒装芯片电极，所述基板上设置有与所述倒装芯片电极所对应的倒装芯片焊盘，所述倒装芯片电极基于导电的第一粘合剂与所对应的倒装芯片焊盘连接；/n所述水平芯片顶部设置有水平芯片电极，所述水平芯片底部为透明的衬底，所述衬底基于第二粘合剂固定在所述倒装芯片顶面上；/n所述倒装芯片的倒装芯片电极基于所对应的倒装芯片焊盘与所述接电电路电性连接，所述水平芯片的水平芯片电极基于导线与所述接电电路电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种叠层芯片键合结构，其特征在于，包括基板和若干个叠层芯片；
所述基板上设置有接电电路，所述若干个叠层芯片中的任一叠层芯片包括倒装芯片和水平芯片，所述倒装芯片的发光颜色和所述水平芯片的发光颜色不同；
所述倒装芯片底部设置有倒装芯片电极，所述基板上设置有与所述倒装芯片电极所对应的倒装芯片焊盘，所述倒装芯片电极基于导电的第一粘合剂与所对应的倒装芯片焊盘连接；
所述水平芯片顶部设置有水平芯片电极，所述水平芯片底部为透明的衬底，所述衬底基于第二粘合剂固定在所述倒装芯片顶面上；
所述倒装芯片的倒装芯片电极基于所对应的倒装芯片焊盘与所述接电电路电性连接，所述水平芯片的水平芯片电极基于导线与所述接电电路电性连接。


2.如权利要求1所述的叠层芯片键合结构，其特征在于，所述若干个叠层芯片的倒装芯片分别组成若干条倒装芯片支路，所述若干条倒装芯片支路中的任一条倒装芯片支路中包括至少一个倒装芯片，且所述任一条倒装芯片支路中的倒装芯片通过所述倒装芯片焊盘依次串联电性连接；
所述若干个叠层芯片的水平芯片分别组成若干条水平芯片支路，所述若干条水平芯片支路中的任一条水平芯片支路中包括至少一个水平芯片，且所述任一条水平芯片支路中的水平芯片通过导线依次串联电性连接；
所述若干条倒装芯片支路的正极和所述若干条水平芯片支路的正极相互电性连接，所述若干条倒装芯片支路的负极和所述若干条水平芯片支路的负极相互电性连接。


3.如权利要求2所述的叠层芯片键合结构，其特征在于，所述若干条倒装芯片支路和所述若干条水平芯片支路的数量相同；
所述若干条倒装芯片支路中的每一条倒装芯片支路包括同样数量的倒装芯片；
所述若干条水平芯片支路中的每一条水平芯片支路包括同样数量的水平芯片。


4.如权利要求2所述的叠层芯片键合结构，其特征在于，所述接电电路包括正极电路和负极电路；
所述若干条倒装芯片支路的正极与所述正极电路电性连接；
所述若干条水平芯片支路的正极与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁进勤，黎楚沂，唐国劲，林宇珊，赵志学，袁毅凯，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44