一种基于可控硅原理的双向可编程过压保护器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于可控硅原理的双向可编程过压保护器件，包含：N型衬底硅片；设置在N型衬底内部的P型穿通区；设置在第一、第二两穿通区之间的NPN三极管，包含背面深磷N+扩散区，N型衬底，P型基区，N+发射区，P+基极欧姆接触区；设置在第二、第三两穿通区之间的双向NPNPN可控硅，包含N型背面K区，P型背面短基区，N型衬底硅片，P型正面短基区，N型正面K区，所述P型背面短基区和P型正面短基区同时光刻及扩散形成，N型背面K区和N型正面K区同时光刻及扩散形成。本实用新型专利技术既可以实现双向可编程，双向过压防护，又可以实现更高的集成度、具有更简易的工艺、更小的芯片面积。

【技术实现步骤摘要】
一种基于可控硅原理的双向可编程过压保护器件
本技术涉及半导体功率器件
，具体为一种基于双向可控硅原理的集成式双向可编程过压保护器件，用于保护通讯设备语音处理芯片(SLICIC)免受过压损坏。
技术介绍
半导体过压保护器件，作为防止浪涌过压的重要元器件，种类较多，包括TVS器件，固定电压放电管器件，静电保护器件，可编程过压保护器件等等。随着5G通讯时代即将到来，微通讯基站设备将越来越多，人们对通讯系统可靠性要求越来越高。通讯系统中语音处理芯片是较为敏感的IC，易遭受电网过压或雷电等因素而损毁，一旦损坏将导通通讯故障，造成信息中断，设备失灵，因此对其进行保护至关重要。由于不同通讯设备所用的SLIC芯片所承受的电压各不相同，因此可编程过压保护器件尤其适用于通讯设备的过压保护。传统的可编程过压保护器件由两个单向可控硅和两个二极管分别提供负向和正向的过压防护，如市面常见的61089可编程半导体浪涌保护器件，如图1所示。该类器件由于正向浪涌是靠二极管泄放，无法实现对保护电压进行编程，因此是单向编程过压保护器件。专利CN10325881本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于可控硅原理的双向可编程过压保护器件，其特征在于，包含：/nN型衬底硅片(1)；/n设置在N型衬底内部的P型穿通区(2)；/n设置在第一、第二两穿通区之间的NPN三极管，包含背面深磷N+扩散区(3)，N型衬底硅片(1)，P型基区(4)，N+发射区(8)，P+基极欧姆接触区(9a)；/n设置在第二、第三两穿通区之间的双向NPNPN可控硅，包含N型背面K区(10B)，P型背面短基区(5B)，N型衬底硅片(1)，P型正面短基区(5a)，N型正面K区(10a)，所述P型背面短基区(5B)和P型正面短基区(5a)同时光刻及扩散形成，N型背面K区(10B)和N型正面K区(10a)同时光刻及扩散形...

【技术特征摘要】
1.一种基于可控硅原理的双向可编程过压保护器件，其特征在于，包含：
N型衬底硅片(1)；
设置在N型衬底内部的P型穿通区(2)；
设置在第一、第二两穿通区之间的NPN三极管，包含背面深磷N+扩散区(3)，N型衬底硅片(1)，P型基区(4)，N+发射区(8)，P+基极欧姆接触区(9a)；
设置在第二、第三两穿通区之间的双向NPNPN可控硅，包含N型背面K区(10B)，P型背面短基区(5B)，N型衬底硅片(1)，P型正面短基区(5a)，N型正面K区(10a)，所述P型背面短基区(5B)和P型正面短基区(5a)同时光刻及扩散形成，N型背面K区(10B)和N型正面K区(10a)同时光刻及扩散形成；
设置在最右侧穿通区内的PNP三极管，包括P型穿通区(2)，N型基区(6)，P型发射区(7)，N+基区欧姆接触区(10b)，所述N+基区欧姆接触区(10b)是同N型正面K区(10a)同时光刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：张超，王成森，朱明，
申请(专利权)人：捷捷半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32