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本实用新型公开了一种基于可控硅原理的双向可编程过压保护器件，包含：N型衬底硅片；设置在N型衬底内部的P型穿通区；设置在第一、第二两穿通区之间的NPN三极管，包含背面深磷N+扩散区，N型衬底，P型基区，N+发射区，P+基极欧姆接触区；设置在第...
该专利属于捷捷半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过捷捷半导体有限公司授权不得商用。

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