一种静电保护结构及静电保护电路制造技术

本申请实施例公开的一种静电保护结构及静电保护电路，包括衬底、电阻、二极管组件和第一阱区；二极管组件和第一阱区均设置于所述衬底上；第一阱区为低压阱区；第一阱区包括第一掺杂区、第一绝缘区、第二掺杂区、第二绝缘区和第三掺杂区；第一绝缘区用于隔离第一掺杂区与第二掺杂区，第二绝缘区用于隔离第二掺杂区与第三掺杂区；第一绝缘区与第二绝缘区跨接引出高压栅极端；第一掺杂区与第三掺杂区跨接引出源极端，源极端接地；第二掺杂区引出漏极端；电阻的第一端与栅极端连接，电阻的第二端接地。基于本申请实施例，通过在栅极端串接电阻，与漏极端‑栅极端间寄生的耦合电容形成电容耦合效应，提高静电保护结构的导通均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种静电保护结构及静电保护电路
本专利技术涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种静电保护结构及静电保护电路。
技术介绍
抗静电泄放能力作为衡量集成电路产品可靠性的一项重要性能指标，是集成电路静电保护设计的重要考虑因素。随着体硅工艺的高速发展，集成电路的制程尺寸越来越小，单位尺寸上的所需面临的静电释放风险也越来越高。现有技术中，采用如图1所示的静电保护电路以提高抗静电泄放能力。图中采用多指并联的低压N型场效应晶体管作为保护结构保护低压静电电路，或者采用多指并联的高压N型场效应晶体管作为保护结构保护高压静电电路。众所周知，低压N型场效应晶体管和高压N型场效应晶体管的漏极和源极均为N型重掺杂区，离子注入浓度相同、深度相同，两者的区别在于栅极和P阱不同。由于低压N型场效应晶体管的P阱为低压P阱，掺杂浓度高，漏极-P阱间的反向击穿电压低，然而在相同的静电释放电流作用下，由于高压N型场效应晶体管的P阱为高压P阱，容易发生部分寄生三极管先行导通放电，使得漏极-源极两端的电压差迅速降低至保持点电压。随着静电释放电流的增大，在高压N型场效应晶体管发生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电保护结构，其特征在于，包括：衬底、电阻、二极管组件和第一阱区；/n所述二极管组件和所述第一阱区均设置于所述衬底上；/n所述第一阱区为低压阱区；/n所述第一阱区包括第一掺杂区、第一绝缘区、第二掺杂区、第二绝缘区和第三掺杂区；所述第一绝缘区用于隔离所述第一掺杂区与所述第二掺杂区，所述第二绝缘区用于隔离所述第二掺杂区与所述第三掺杂区；/n所述第一绝缘区与所述第二绝缘区跨接引出高压栅极端；/n所述第一掺杂区与所述第三掺杂区跨接引出源极端，所述源极端接地；/n所述第二掺杂区引出漏极端；/n所述电阻的第一端与所述栅极端连接，所述电阻的第二端接地。/n

【技术特征摘要】
1.一种静电保护结构，其特征在于，包括：衬底、电阻、二极管组件和第一阱区；
所述二极管组件和所述第一阱区均设置于所述衬底上；
所述第一阱区为低压阱区；
所述第一阱区包括第一掺杂区、第一绝缘区、第二掺杂区、第二绝缘区和第三掺杂区；所述第一绝缘区用于隔离所述第一掺杂区与所述第二掺杂区，所述第二绝缘区用于隔离所述第二掺杂区与所述第三掺杂区；
所述第一绝缘区与所述第二绝缘区跨接引出高压栅极端；
所述第一掺杂区与所述第三掺杂区跨接引出源极端，所述源极端接地；
所述第二掺杂区引出漏极端；
所述电阻的第一端与所述栅极端连接，所述电阻的第二端接地。


2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一阱区设有第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽；
所述第一掺杂区设置于所述第一凹槽内，所述第二掺杂区设置于所述第二凹槽内，所述第三掺杂区设置于所述第三凹槽内。


3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述第三掺杂区均为N+掺杂区；
所述第一阱区为低压P阱区。

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【专利技术属性】
技术研发人员：单毅，董业民，陈晓杰，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31