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本申请实施例公开的一种静电保护结构及静电保护电路，包括衬底、电阻、二极管组件和第一阱区；二极管组件和第一阱区均设置于所述衬底上；第一阱区为低压阱区；第一阱区包括第一掺杂区、第一绝缘区、第二掺杂区、第二绝缘区和第三掺杂区；第一绝缘区用于隔离第...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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